一种沟槽型功率器件及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种沟槽型功率器件及其制作方法。所述沟槽型功率器件的制作方法包括：在第一N型外延层表面制作氧化层，并在所述氧化层形成注入窗口；利用所述注入窗口进行P型注入，并在所述第一N型外延层形成P型埋层；在所述第一N型外延层表面形成第二N型外延层，其中所述第二N型外延层覆盖所述P型埋层；对所述第二N型外延层进行刻蚀，并在所述P型埋层的内侧和外侧分别形成主结沟槽和场限环沟槽；对所述沟槽进行P型注入，并在所述沟槽侧壁形成P型注入区域，其中所述主结沟槽和所述场限环沟槽的侧壁的P型注入区域与所述第二N型外延层分别形成所述沟槽型功率器件的主结和场限环。

A trench type power device and preparation method thereof

The present invention provides a trench type power device and its manufacturing method. Including the manufacturing method of a trench type power device in the first N type epitaxial layer surface oxide layer, and into the window is formed on the oxide layer; using the injection window type P injection, and P type buried layer is formed on the first epitaxial layer of N; in the first N type epitaxial layer formed on the surface of second N type epitaxial layer, wherein the second N epitaxial layer covering the P type buried layer; etching of the N epitaxial layer second, and the P type buried layer are respectively formed inside and outside the main junction groove and field limiting ring groove of the groove; P type injection, and the side wall of the groove formed P type injection region, wherein the main grooves and the side wall of the trench field limiting ring of the P type injection region and the second N epitaxial layers are respectively formed in the trench type power device of the main junction and field limiting ring.

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽型功率器件及其制作方法
本专利技术涉及半导体芯片制作
，特别地，涉及一种沟槽型功率器件及其制作方法。
技术介绍
沟槽型垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)的漏源两极分别在器件的两侧，使电流在器件内部垂直流通，其可以有效增加电流密度,改善额定电流，并且单位面积的导通电阻也较小，是一种用途非常广泛的功率器件。超结金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的是利用复合缓冲层里面交替的N柱和P柱进行电荷补偿，使P区和N区相互耗尽,形成理想的平顶电场分布和均匀的电势分布，从而达到提高击穿电压并降低导通电阻的目的。如果超结MOSFET要达到理想的效果，其前提条件就是电荷平衡。因此，超结技术从诞生开始其制造工艺就是围绕如何制造电荷平衡的N柱和P柱进行的。目前常用的超结MOSFET使用的制造技术主要有以下几种：多次外延和注入技术、深槽刻蚀和填槽技术。功率器件的最重要性能就是阻断高压，器件经过设计可以在PN结、金属-半导体接触界面吗、MOS界面的耗尽层上承受高压，随着外加电压的增大，耗尽层电场强度也会增大，最终超过材料极限出现雪崩击穿。在器件边缘耗尽区电场曲率增大，会导致电场强本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沟槽型功率器件的制作方法，其特征在于，包括：在第一N型外延层表面制作氧化层，并在所述氧化层形成注入窗口；利用所述注入窗口进行P型注入，并在所述第一N型外延层形成P型埋层；在所述第一N型外延层表面形成第二N型外延层，其中所述第二N型外延层覆盖所述P型埋层；对所述第二N型外延层进行刻蚀，并在所述P型埋层的内侧和外侧分别形成主结沟槽和场限环沟槽；对所述沟槽进行P型注入，并在所述沟槽侧壁形成P型注入区域，其中所述主结沟槽和所述场限环沟槽的侧壁的P型注入区域与所述第二N型外延层分别形成所述沟槽型功率器件的主结和场限环。

【技术特征摘要】
1.一种沟槽型功率器件的制作方法，其特征在于，包括：在第一N型外延层表面制作氧化层，并在所述氧化层形成注入窗口；利用所述注入窗口进行P型注入，并在所述第一N型外延层形成P型埋层；在所述第一N型外延层表面形成第二N型外延层，其中所述第二N型外延层覆盖所述P型埋层；对所述第二N型外延层进行刻蚀，并在所述P型埋层的内侧和外侧分别形成主结沟槽和场限环沟槽；对所述沟槽进行P型注入，并在所述沟槽侧壁形成P型注入区域，其中所述主结沟槽和所述场限环沟槽的侧壁的P型注入区域与所述第二N型外延层分别形成所述沟槽型功率器件的主结和场限环。2.根据权利要求1所述的沟槽型功率器件的制作方法，其特征在于，所述在第一N型外延层表面制作氧化层，并在所述氧化层形成注入窗口的步骤包括：提供一个N型衬底，并在所述N型衬底表面形成第一N型外延层；对所述第一N型外延层表面进行氧化处理，以在所述第一N型外延层表面制作出氧化层；利用光刻胶作为掩膜，在所述氧化层刻蚀出所述注入窗口。3.根据权利要求1所述的沟槽型功率器件的制作方法，其特征在于，在所述第一N型外延层表面形成第二N型外延层的步骤包括：去除所述第一N型外延层表面的氧化层和光刻胶；通过外延工艺在所述第一N型外延层表面进一步形成所述第二N型外延层，其中所述第二N型外延层形成之后所述P型埋层位于所述第二N型外延层的下方。4.根据权利要求1所述的沟槽型功率器件的制作方法，其特征在于，还包括：以光刻胶作为掩膜并在所述光刻胶形成沟槽刻蚀窗口，其中所述沟槽刻蚀窗口包括位于所述P型埋层内侧的主结沟槽刻蚀窗口和位于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗灿，
申请(专利权)人：罗灿，
类型：发明
国别省市：江西,36