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本发明提供了一种沟槽型功率器件及其制作方法。所述沟槽型功率器件的制作方法包括：在第一N型外延层表面制作氧化层，并在所述氧化层形成注入窗口；利用所述注入窗口进行P型注入，并在所述第一N型外延层形成P型埋层；在所述第一N型外延层表面形成第二N型...
该专利属于罗灿所有，仅供学习研究参考，未经过罗灿授权不得商用。

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