薄膜晶体管及其制作方法、显示装置、曝光装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示装置、曝光装置。该方法包括：采用单缝隙掩膜板和曝光机对源漏层进行构图工艺，形成源漏极和所述薄膜晶体管的沟道区域；其中，所述单缝隙掩膜板的图形分辨率不大于所述曝光机的分辨率，以形成凹槽型的曝光结构，所述凹槽型的曝光结构对应所述沟道区域。本发明专利技术实施例，采用图形分辨率不大于曝光机的分辨率的掩膜板，形成沟道长度不大于3.5μm的窄沟道，提升开态电流和充电率，减小薄膜晶体管的尺寸。

Thin film transistor and its manufacturing method, display device and exposure device

The invention provides a thin film transistor and its manufacturing method, display device and exposure device. The method includes: using single slit mask and exposure machine on the drain layer patterning process, forming a source drain and channel region of the thin film transistor; wherein, the resolution of the single slit mask graphics resolution is not higher than the exposure machine, to expose the groove structure is formed. The exposure of the groove structure corresponding to the channel region. The embodiment of the invention, the mask graphics resolution is not greater than the resolution of the exposure machine, forming a channel length of not more than 3.5 m narrow channel, enhance the on state current and charging rate, reduce the size of thin film transistor.

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管及其制作方法、显示装置、曝光装置
本专利技术涉及薄膜晶体管
，特别是涉及一种薄膜晶体管及其制作方法、显示装置、曝光装置。
技术介绍
薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)特性对显示装置的充电率有着决定性的影响。薄膜晶体管小型化和开态电流(Ion)提升一直是业界努力提升的目标。对于小尺寸的显示装置，由于一般要求低功耗，高透过率，这就迫切需要减小薄膜晶体管尺寸，开发窄沟道技术。由于氧化物薄膜晶体管(OxideTFT)技术开发尚未成熟，而低温多晶硅薄膜晶体管(LowTemperaturePoly-SiliconThinFilmTransistor，LTPSTFT)的成本高且无法用于高世代线，目前大部分显示装置仍然使用非晶硅(a-Si)作为薄膜晶体管的有源(Active)层。现有技术的这种薄膜晶体管的制作方法制作的薄膜晶体管的沟道区域的长度一般大于3.5μm，使得沟道区域的长度较大；并且，工艺稳定性差，对设备依赖性大。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种薄膜晶体管及其制作方法、显示装置、曝光装置，以解决现有技术无法制作较窄沟道区域的薄膜晶体管的问题。第一方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：采用单缝隙掩膜板和曝光机对源漏层进行构图工艺，形成源漏极和所述薄膜晶体管的沟道区域；其中，所述单缝隙掩膜板的图形分辨率不大于所述曝光机的分辨率，以形成凹槽型的曝光结构，所述凹槽型的曝光结构对应所述沟道区域。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：采用单缝隙掩膜板和曝光机对源漏层进行构图工艺，形成源漏极和所述薄膜晶体管的沟道区域；其中，所述单缝隙掩膜板的图形分辨率不大于所述曝光机的分辨率，以形成凹槽型的曝光结构，所述凹槽型的曝光结构对应所述沟道区域。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用单缝隙掩膜板和曝光机对所述源漏层进行构图工艺，形成源漏极和所述薄膜晶体管的沟道区域的步骤，包括：在所述源漏层上涂覆第一光刻胶；根据预设源漏极的尺寸，采用所述单缝隙掩膜板和所述曝光机对所述第一光刻胶进行曝光和显影，使残留的所述第一光刻胶在所述源漏层上形成凹槽型的曝光结构；灰化去除位于所述凹槽型的曝光结构的底部的所述第一光刻胶，露出所述源漏层；湿刻所述源漏层，形成所述源漏极，并在所述凹槽型的曝光结构对应的位置露出有源层，形成所述薄膜晶体管的沟道区域；将残留的所述第一光刻胶去除。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述灰化的时间为25～100s。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述灰化的温度为25～60℃。5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述湿刻所述源漏层的刻蚀液为酸性刻蚀液。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用单缝隙掩膜板和曝光机对源漏层进行构图工艺的步骤之前，所述方法还包括：在衬底上形成有源层；在所述衬底和所述有源层上形成源漏层；其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：许卓，邓鸣，王志会，唐秀珠，陈帅，田振国，刘棵菓，赵彦礼，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，重庆京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11