一种垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法技术
A vertical double diffused field effect transistor and its manufacturing method
The present invention provides a vertical double diffused field effect transistor (VDMOS) and its manufacturing method. The production method of vertical double diffused field effect transistor includes: P type injection and the formation of P type injection region in N epitaxial layer; in the N type epitaxial layer formed on the surface of the P epitaxial layer, the P epitaxial layer covering the P type injection region; the first type N injection and the formation of the first N type injection region in the P epitaxial layer, the first N type injection region is located on the P type injection region and the inside from the P epitaxial layer extends to the N epitaxial layer; in the P type epitaxial layer formed on the surface of the gate oxide layer and a polysilicon layer. Wherein the gate oxide layer and the polysilicon layer covering the P type injection region and the first N type injection region; second N and second N type injection injection forming region in the P epitaxial layer, the second N type injection region is located outside the gate oxide layer and the polycrystalline silicon layer.
【技术实现步骤摘要】
一种垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法
本专利技术涉及半导体芯片制作
，特别地，涉及一种垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)及其制作方法。
技术介绍
垂直双扩散场效应晶体管(VDMOS)的漏源两极分别在器件的两侧，使电流在器件内部垂直流通，增加了电流密度，改善了额定电流，单位面积的导通电阻也较小，是一种用途非常广泛的功率器件。对于功率器件来说，有两个极为重要的参数，一个是导通电阻，另一个是击穿电压。从功率器件在电子设备中的应用来说，希望导通电阻尽可能的小，而击穿电压越高越好。功率器件为了承受高电压，需要采用很厚的低掺杂外延层。通过增加外延层厚度或减小外延层的掺杂浓度，可以提高击穿电压，但这样做的同时却提高了导通电阻，不利于降低器件导通时的功率损耗。由此可见，一般的功率器件很难对导通电阻和击穿电压同时进行优化；也即是说，现有的作为主要功率器件的垂直双扩散场效应晶体管的性能较低。有鉴于此，有必要提供一种垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法，以解决现有技术存在的上述问题。
技术实现思路
本专利技术的其中一个目的在于为解决上述问题而提供一种垂直双扩散场效应晶体...
【技术保护点】
一种垂直双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在N型外延层进行P型注入并形成P型注入区；在所述N型外延层表面形成P型外延层，所述P型外延层覆盖所述P型注入区；在所述P型外延层进行第一次N型注入并形成第一N型注入区，所述第一N型注入区位于所述P型注入区的内侧且其从所述P型外延层延伸到所述N型外延层；在所述P型外延层表面形成栅氧化层和多晶硅层，其中所述栅氧化层和所述多晶硅层覆盖所述P型注入区和所述第一N型注入区；在所述P型外延层进行第二次N型注入并形成第二N型注入区，所述第二N型注入区位于所述栅氧化层和所述多晶硅层的外侧。
【技术特征摘要】
1.一种垂直双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在N型外延层进行P型注入并形成P型注入区；在所述N型外延层表面形成P型外延层，所述P型外延层覆盖所述P型注入区；在所述P型外延层进行第一次N型注入并形成第一N型注入区，所述第一N型注入区位于所述P型注入区的内侧且其从所述P型外延层延伸到所述N型外延层；在所述P型外延层表面形成栅氧化层和多晶硅层，其中所述栅氧化层和所述多晶硅层覆盖所述P型注入区和所述第一N型注入区；在所述P型外延层进行第二次N型注入并形成第二N型注入区，所述第二N型注入区位于所述栅氧化层和所述多晶硅层的外侧。2.根据权利要求1所述的垂直双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，还包括：在所述P型外延层和所述多晶硅层表面形成在介质层，并在所述介质层和N型衬底表面分别形成正面金属层和背面金属层，其中所述正面金属层通过接触孔与所述第二N型注入区相接触。3.根据权利要求2所述的垂直双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述接触孔形成在所述栅氧化层和所述多晶硅层的外侧，并邻近于所述栅氧化层和所述多晶硅层的侧面，且所述接触孔至少部分延伸至所述P型外延层表面的第二N型注入区。4.根据权利要求3所述的垂直双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述正面金属层覆盖所述介质层，并通过接触孔与所述第二N型注入区电性接触，所述背面金属层覆盖所述N型衬底的表面；所述正面金属层和所述背面金属层分别作为所述垂直双扩散场效应晶体管的源极和漏极。5.根据权利要求1所述的垂直双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述在N型外延层进行P型注入并形成P型注入区的步骤包括：提供N型衬底，并在所述N型衬底表面形成所述N型外延层；利用所述光刻胶作为掩膜，在所述N型外延层表面形成P型注入窗口；利用所述P型注入窗口对所述N型外延层进行P型注入，从而在所述N型外延层形成P型注入区。6.根据权利要求1所述的垂直双扩散场效应晶体管的制作方法，其特征在于，在所述P型外延层进行第一次N型注入并形成第一N型注入区的步骤包括：在所述P型外延层表面涂覆光刻胶，并利用所述...
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