The invention discloses an evaporation source and a vapor deposition device, the evaporation source includes a crucible body and a crucible cover, the surface of crucible body and the crucible cover for the first contact surface, the surface of the crucible covered on the first surface and the second contact surface, a first surface and a second surface. A boss is arranged on the corresponding position of the convex structure structure, another is provided with a convex structure corresponding to the concave structure. The technical scheme of the invention through the convex and concave structure are respectively arranged in the crucible and the crucible body on the upper cover, convex concave and convex concave structure and structure, to achieve the crucible cover and the crucible body tightly fixed, so as to effectively prevent the relative sliding between the crucible cover and the crucible body, thereby avoiding leakage of gas evaporation.
【技术实现步骤摘要】
蒸发源和蒸镀装置
本专利技术涉及显示
,特别涉及一种蒸发源和蒸镀装置。
技术介绍
图1为现有技术中线性蒸发源的截面示意图,图2为图1中区域A的放大示意图,如图1和图2所示,该线性蒸发源包括:坩埚本体1和坩埚上盖2(含喷嘴3),在蒸镀过程中,需要将坩埚上盖2固定于坩埚本体1的上方,坩埚本体1和坩埚上盖2以围成一个密闭腔室。然而,在实际应用中发现,由于坩埚本体1和坩埚上盖2两者相接触的表面4十分光滑,在蒸镀过程中随着密闭腔室内压强增大,使得坩埚本体1和坩埚上盖2之间出现相对滑动,并出现间隙,从而导致蒸发气体泄漏的问题,影响正常工艺进行。
技术实现思路
本专利技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种蒸发源和蒸镀装置。为实现上述目的,本专利技术提供了一种蒸发源,包括:坩埚本体和坩埚上盖,坩埚本体上与坩埚上盖接触的表面为第一表面,坩埚上盖上与所述第一表面相接触的表面为第二表面,所述第一表面和所述第二表面中的一者上设置有凸结构,另一者上对应所述凸结构的位置设置有与所述凸结构相对应的凹结构。可选地,所述凸结构和/或所述凹结构的表面设置有热膨胀层,所述热膨胀层的热膨胀系数大于所述凹结构的热膨胀系数。可选地,所述凹结构的材料包括:金属钛。可选地,所述热膨胀层的材料包括金属铜、金属铝或金属铁。可选地,所述凸结构的热膨胀系数大于所述凹结构的热膨胀系数。可选地,所述凸结构在所述第一表面上的正投影沿着所述第一表面的形状围绕一周。可选地,所述凸结构的数量为多个,多个凸结构层层套置。可选地,所述凸结构的纵向截面形状为矩形或三角形。可选地,所述坩埚本体包括:本体底部和位 ...
【技术保护点】
一种蒸发源,其特征在于,包括:坩埚本体和坩埚上盖,坩埚本体上与坩埚上盖接触的表面为第一表面,坩埚上盖上与所述第一表面相接触的表面为第二表面,所述第一表面和所述第二表面中的一者上设置有凸结构,另一者上对应所述凸结构的位置设置有与所述凸结构相对应的凹结构。
【技术特征摘要】
1.一种蒸发源,其特征在于,包括:坩埚本体和坩埚上盖,坩埚本体上与坩埚上盖接触的表面为第一表面,坩埚上盖上与所述第一表面相接触的表面为第二表面,所述第一表面和所述第二表面中的一者上设置有凸结构,另一者上对应所述凸结构的位置设置有与所述凸结构相对应的凹结构。2.根据权利要求1所述的蒸发源,其特征在于,所述凸结构和/或所述凹结构的表面设置有热膨胀层,所述热膨胀层的热膨胀系数大于所述凹结构的热膨胀系数。3.根据权利要求2所述的蒸发源,其特征在于,所述凹结构的材料包括:金属钛。4.根据权利要求3所述的蒸发源,其特征在于,所述热膨胀层的材料包括金属铜、金属铝或金属铁。5.根据权利要求1所述的蒸发源,其特征在于,所述凸结构的热膨胀系数大于所述凹结构的热膨胀系数。6.根据权利要求1所述的蒸发源,其特征在于,所述凸结构在所述第一表面上的正投影沿着所述第一表面的形状围绕一周。7.根据权利要求6所述的蒸发源,其特征在于,所述凸结构的数量为多个,多个凸结构层层套...
【专利技术属性】
技术研发人员:贾晓晨,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
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