半导体装置制造方法及图纸

半导体装置。一种半导体装置，包括：基板，其包括：第一基板侧面、与所述第一基板侧面相反的第二基板侧面、以及多个延伸在所述第一基板侧面与所述第二基板侧面之间的周边基板侧面；中央图案，其在所述第一基板侧面被露出；多个导电贯孔，其连接至所述中央图案并且在所述第二基板侧面被露出；以及边缘图案，其在所述周边基板侧面被露出并且完全地环绕所述基板来延伸；以及半导体晶粒，其耦接至所述第一基板侧面。

Semiconductor device

Semiconductor device. A semiconductor device includes a substrate, comprising: a first substrate side, and the first substrate side opposite the second substrate side, and a plurality of extending between the first substrate and the second substrate side side between the surrounding substrate side; central pattern, which is exposed on the first substrate side; multi a conducting hole, which is connected to the central pattern and is exposed on the surface of the second substrate; and edge pattern, which is exposed and completely surrounds the substrate to extend in the periphery of the substrate side; and the semiconductor crystal grains, is coupled to the first substrate side.

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本技术有关于半导体装置。
技术介绍
目前的半导体装置以及其制造方法例如在产生薄型封装上是不足的，其可能会在边缘处遭受到碎裂。现有及传统的方式的进一步限制及缺点对于具有此项技术的技能者而言，透过此种方式与如同在本申请案的其余部分中参考图式所阐述的本
技术实现思路
的比较将会变成是明显的。
技术实现思路
此
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的各种特点是提供一种具有强化的边缘保护的薄型半导体装置、以及一种制造其的方法。例如且在无限制下，此
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的各种特点提供一种包括一具有一边缘保护的区域的基板的薄型半导体装置、以及一种制造其的方法。一种半导体装置，包括：基板，其包括：第一基板侧面、与所述第一基板侧面相反的第二基板侧面、以及多个延伸在所述第一基板侧面与所述第二基板侧面之间的周边基板侧面；第一导电层，其在所述第一基板侧面并且包括在所述第一基板侧面的中央图案、以及在所述第一基板侧面而且在所述周边基板侧面的第一边缘图案；以及第二导电层，其在所述第二基板侧面并且电连接至所述第一导电层；半导体晶粒，其包括第一晶粒侧面、与所述第一晶粒侧面相反并且耦接至所述第一基板侧面的第二晶粒侧面、以及多个延伸在所述第一晶粒侧面与所述第二晶粒侧面之间的周边晶粒侧面；以及导电的互连结构，其将所述半导体晶粒电连接至所述中央图案；囊封体，其在所述第一基板侧面上并且至少覆盖所述周边晶粒侧面。进一步地，所述半导体装置包括囊封体，所述囊封体在所述第一基板侧面上并且至少覆盖所述周边晶粒侧面。进一步地，其中所述第二导电层包括导电贯孔，其从所述第一导电层直接延伸至所述第二基板侧面。进一步地，其中所述第一导电层以及所述第二导电层中的一层是直接电镀在所述第一导电层以及所述第二导电层中的另一层上。进一步地，其中所述第一边缘图案包括所述第一导电层的连续的带，其覆盖所述第一基板侧面的整个周边。进一步地，其中所述第二导电层包括在所述周边基板侧面的第二边缘图案。进一步地，其中所述周边基板侧面中的至少一个是完全由所述第一边缘图案以及所述第二边缘图案所构成。进一步地，其中所述第二边缘图案具有不同于所述第一边缘图案的横向的宽度。进一步地，其中所述第二边缘图案比所述第一边缘图案较厚的。进一步地，其中所述第一导电层包括连接器图案，其连接所述中央图案以及所述第一边缘图案。一种半导体装置，包括：基板，其包括：第一基板侧面、与所述第一基板侧面相反的第二基板侧面、以及多个延伸在所述第一基板侧面与所述第二基板侧面之间的周边基板侧面；中央图案，其在所述第一基板侧面被露出；多个导电贯孔，其连接至所述中央图案并且在所述第二基板侧面被露出；以及边缘图案，其在所述周边基板侧面被露出并且完全地环绕所述基板来延伸；以及半导体晶粒，其耦接至所述第一基板侧面。进一步地，其中所述边缘图案包括多个在所述周边基板侧面的导电层。进一步地，其中所述边缘图案包括：第一导电层，其在所述周边基板侧面并且具有第一宽度；以及第二导电层，其在所述周边基板侧面并且具有不同于所述第一宽度的第二宽度。进一步地，所述半导体装置包括连接图案，所述连接图案包括多个将所述边缘图案连接至所述中央图案的接地线路的线路。进一步地，所述半导体装置包括单一连续的层的模制材料，所述模制材料覆盖以下的每一个的至少一侧表面：所述中央图案、所述多个导电贯孔、以及所述边缘图案。进一步地，其中所述边缘图案在所述基板的整个周边周围形成连续的导电的带。一种半导体装置，包括：基板，其包括：第一基板侧面、与所述第一基板侧面相反的第二基板侧面、以及多个延伸在所述第一基板侧面与所述第二基板侧面之间的周边基板侧面；第一导电层，其在所述第一基板侧面并且包括：在所述第一基板侧面的中央图案；以及边缘图案的第一部分，其在所述第一基板侧面并且在所述周边基板侧面；以及第二导电层，其在所述第二基板侧面并且包括：导电贯孔，其在所述第二基板侧面并且连接至所述中央图案；以及所述边缘图案的第二部分，其在所述第二基板侧面而且在所述周边基板侧面，并且连接至所述边缘图案的所述第一部分；以及半导体晶粒，其耦接至所述第一基板侧面。进一步地，其中所述第一导电层及第二导电层中的一层是直接电镀在所述第一导电层及第二导电层中的另一层上。进一步地，其中所述基板包括单一连续的介电层，其围绕所述第一导电层及第二导电层的侧表面。进一步地，其中所述周边基板侧面中的至少一个是完全由所述边缘图案所构成。附图说明图1是描绘根据本
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的各种特点的一种范例的半导体装置的横截面图。图2是描绘一种制造图1的范例的半导体装置的范例的方法的流程图。图3A至3K是描绘在图2中所示的范例的方法的各种特点的横截面图。图4是描绘根据本
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的各种特点的一种范例的半导体装置的横截面图。图5是描绘一种制造图4的范例的半导体装置的方法的各种特点的横截面图。图6是描绘根据本
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的各种特点的一种范例的半导体装置的横截面图。图7是描绘一种制造图6的范例的半导体装置的方法的各种特点的横截面图。图8是描绘根据本
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的各种特点的一种范例的半导体装置的横截面图。图9是描绘一种制造图8的范例的半导体装置的方法的各种特点的横截面图。图10是描绘根据本
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的各种特点的一种范例的半导体装置的横截面图。图11是描绘一种制造图10的范例的半导体装置的方法的各种特点的横截面图。图12是描绘一种制造图10的范例的半导体装置的方法的各种特点的横截面图。图13是描绘根据本
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的各种特点的一种范例的半导体装置的横截面图。图14是描绘一种制造图13的范例的半导体装置的方法的各种特点的横截面图。图15是描绘根据本
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的各种特点的一种范例的半导体装置的横截面图。图16是描绘一种制造图15的范例的半导体装置的方法的各种特点的横截面图。图17是描绘根据本
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的各种特点的一种范例的半导体装置的横截面图。图18是描绘一种制造图17的范例的半导体装置的方法的各种特点的横截面图。具体实施方式以下的讨论是通过提供本
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的例子来呈现本
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的各种特点。此种例子并非限制性的，并且因此本揭露内容的各种特点的范畴不应该是必然受限于所提供的例子的任何特定的特征。在以下的讨论中，这些措辞“例如”、“譬如”以及“范例的”并非限制性的，并且大致与“举例且非限制性的”、“例如且非限制性的”、及类似者为同义的。如同在此所利用的，“及/或”是表示在表列中通过“及/或”所加入的项目中的任一个或多个。举例而言，“x及/或y”是表示这三个元素的集合{(x)、(y)、(x,y)}中的任一元素。换言之，“x及/或y”是表示“x及y中的一或两者”。作为另一例子的是，“x、y及/或z”是表示这七个元素的集合{(x)、(y)、(z)、(x,y)、(x,z)、(y,z)、(x,y,z)}中的任一元素。换言之，“x、y及/或z”是表示“x、y及z中的一或多个”。再者，如同在此所利用的，该术语“在…上”是表示“在…上”以及“直接在…上”(例如，没有介于中间的层)两者。再者，该术语“在…之上”是表示“在…之上”以及“直接在…之上”两者，并且该术语“上方”是表示“上方”以及“正上方”两者。再者，该术语“在…之下”是表示“在…之下”以及“直接在…之下”两者，并且该术语“下方”本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其特征在于，包括：基板，其包括：第一基板侧面、与所述第一基板侧面相反的第二基板侧面、以及多个延伸在所述第一基板侧面与所述第二基板侧面之间的周边基板侧面；第一导电层，其在所述第一基板侧面并且包括在所述第一基板侧面的中央图案、以及在所述第一基板侧面而且在所述周边基板侧面的第一边缘图案；以及第二导电层，其在所述第二基板侧面并且电连接至所述第一导电层；半导体晶粒，其包括第一晶粒侧面、与所述第一晶粒侧面相反并且耦接至所述第一基板侧面的第二晶粒侧面、以及多个延伸在所述第一晶粒侧面与所述第二晶粒侧面之间的周边晶粒侧面；以及导电的互连结构，其将所述半导体晶粒电连接至所述中央图案；囊封体，其在所述第一基板侧面上并且至少覆盖所述周边晶粒侧面。

【技术特征摘要】
2016.03.14 US 15/069,4161.一种半导体装置，其特征在于，包括：基板，其包括：第一基板侧面、与所述第一基板侧面相反的第二基板侧面、以及多个延伸在所述第一基板侧面与所述第二基板侧面之间的周边基板侧面；第一导电层，其在所述第一基板侧面并且包括在所述第一基板侧面的中央图案、以及在所述第一基板侧面而且在所述周边基板侧面的第一边缘图案；以及第二导电层，其在所述第二基板侧面并且电连接至所述第一导电层；半导体晶粒，其包括第一晶粒侧面、与所述第一晶粒侧面相反并且耦接至所述第一基板侧面的第二晶粒侧面、以及多个延伸在所述第一晶粒侧面与所述第二晶粒侧面之间的周边晶粒侧面；以及导电的互连结构，其将所述半导体晶粒电连接至所述中央图案；囊封体，其在所述第一基板侧面上并且至少覆盖所述周边晶粒侧面。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，包括囊封体，所述囊封体在所述第一基板侧面上并且至少覆盖所述周边晶粒侧面。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二导电层包括导电贯孔，其从所述第一导电层直接延伸至所述第二基板侧面。4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电层以及所述第二导电层中的一层是直接电镀在所述第一导电层以及所述第二导电层中的另一层上。5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一边缘图案包括所述第一导电层的连续的带，其覆盖所述第一基板侧面的整个周边。6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第二导电层包括在所述周边基板侧面的第二边缘图案。7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述周边基板侧面中的至少一个是完全由所述第一边缘图案以及所述第二边缘图案所构成。8.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第二边缘图案具有不同于所述第一边缘图案的横向的宽度。9.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第二边缘图案比所述第一边缘图案较厚的。10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一导电层包括连接器图案，其连接所述中央图案以及所述第一边缘图案。11.一种半导体装置，其特征在于，包括：基板，其包括：第一基板侧面、与所述第一基板侧面相反的第二基板侧面、以及多个延...

【专利技术属性】
技术研发人员：班文贝，欧坤锡，
申请(专利权)人：艾马克科技公司，
类型：新型
国别省市：美国,US