与工作范围相关的非易失性存储器件制造技术
Nonvolatile memory devices related to operating range
A nonvolatile memory device can include nonvolatile memory units and sensing circuits. The sensing circuit is coupled to the bit line of the nonvolatile memory cell. The sensing circuit can be implemented using an inverter including a P channel transistor coupled to the voltage line of the power supply and a N channel transistor coupled to the ground voltage. The gate of the P channel transistor is coupled to the ground voltage.
【技术实现步骤摘要】
与工作范围相关的非易失性存储器件相关申请的交叉引用本申请要求2016年4月11日提交的申请号为10-2016-0044099的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体合并于此。
本公开的各种实施例总体而言可以涉及非易失性存储器件，更具体地，涉及与工作范围相关的非易失性存储器(NVM)器件。
技术介绍
半导体存储器件根据其数据易失性而通常分为随机存取存储(RAM)器件或只读存储(ROM)器件。RAM器件在电源被中断时丢失所储存的数据。与此相反的是，ROM器件在电源被中断时仍保持所储存的数据。ROM器件也可以根据数据输入方法(即，数据编程方法)而分为可编程ROM(PROM)器件或掩模ROM器件。PROM器件可以以不编程的状态制造和售出，从而在其制造之后由消费者(即，用户)来直接编程。掩模ROM器件可以在其制造期间使用基于由用户请求的数据而制造的注入掩模来编程。PROM器件可以包括一次性PROM(OTPROM)器件、可擦除PROM(EPROM)器件和电可擦除PROM(EEPROM)器件。一旦OTPROM器件被编程，就不能改变OTPROM器件的编程数据。N沟道晶体管或P沟道晶...
【技术保护点】
一种非易失性存储NVM器件，包括：非易失性存储单元；以及感测电路，耦接到所述非易失性存储单元的位线，其中，所述感测电路使用反相器来实施，所述反相器包括耦接到电源电压线的P沟道晶体管和耦接到地电压的N沟道晶体管，以及其中，所述P沟道晶体管的栅极耦接到地电压。
【技术特征摘要】
2016.04.11 KR 10-2016-00440991.一种非易失性存储NVM器件，包括：非易失性存储单元；以及感测电路，耦接到所述非易失性存储单元的位线，其中，所述感测电路使用反相器来实施，所述反相器包括耦接到电源电压线的P沟道晶体管和耦接到地电压的N沟道晶体管，以及其中，所述P沟道晶体管的栅极耦接到地电压。2.如权利要求1所述的NVM器件，其中，所述非易失性存储单元被配置成包括耦接在所述位线与地电压之间的单元晶体管。3.如权利要求1所述的NVM器件，其中，所述非易失性存储单元被配置成包括第一P沟道晶体管，所述第一P沟道晶体管具有耦接到地电压的漏极、浮栅以及源极。4.如权利要求3所述的NVM器件，其中，所述非易失性存储单元还包括耦接在所述位线与所述第一P沟道晶体管之间的选择晶体管。5.如权利要求4所述的NVM器件，其中，所述选择晶体管使用第二P沟道晶体管来实施，所述第二P沟道晶体管具有耦接到所述位线的源极、耦接到所述第一P沟道晶体管的所述源极的漏极以及输入第一使能信号的栅极。6.如权利要求1所述的NVM器件，还包括耦接在所述位线与所述电源电压线之间的电阻式负载部分。7.如权利要求6所述的NVM器件，其中，所述电阻式负载部分使用第三P沟道晶体管来实施，所述第三P沟道晶体管具有耦接到所述电源电压线的源极、耦接到所述位线的漏极以及输入第二使能信号的栅极。8.如权利要求7所述的NVM器件，其中，所述第三P沟道晶体管根据施加给所述电源电压线的电源电压的电压电平和所述第二使能信号的电压电平而工作在线性区或饱和区。9.如权利要求7所述的NVM器件，其中，所述电阻式负载部分还包括被配置成产生所述第二使能信号的第二使能信号发生器；以及其中，所述第二使能信号的电压电平根据施加给所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑会三，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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