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一种非易失性存储器件可以包括非易失性存储单元和感测电路。该感测电路耦接到该非易失性存储单元的位线。该感测电路可以使用反相器来实施，所述反相器包括耦接到电源电压线的P沟道晶体管和耦接到地电压的N沟道晶体管。所述P沟道晶体管的栅极耦接到地电压。...
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