一种用于处理基板的装置和方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于用液体处理基板的装置和方法。所述基板处理装置包括用于支撑基板的基板支撑单元、用于向支撑在基板支撑单元上的基板供应液体的液体供应单元、以及用于控制液体供应单元的控制器，其中，液体供应单元包括用于供应第一液体的第一喷嘴和用于供应第二液体的第二喷嘴，并且向基板上供应第二液体的第二区域设置在向基板上供应第一液体的第一区域内。供应作为疏水膜的第一液体和第二液体以彼此不同的方式排出。因此，可以根据各排出方法去除具有各种尺寸的颗粒。

【技术实现步骤摘要】
一种用于处理基板的装置和方法
本文中公开的本专利技术涉及一种用于用液体处理基板的装置和方法。
技术介绍
在制造平板显示器或半导体器件的方法中，进行各种工艺诸如光刻工艺、灰化工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺、薄膜沉积工艺和清洁工艺。清洁工艺去除残留在基板中的颗粒，并且在每个工艺之前和之后进行。根据基板的表面性质而应用不同的清洁工艺。特别地，当基板具有疏水性例如LK(Low-K，低K)、ULK(UltraLow-K，超低K)和SiCN时，难以进行用液体清洁基板的湿式清洁工艺。因此，如专利文件1中所述的干式清洁装置和去除工艺那样形成气体团簇，然后进行去除工艺以去除附着在基板表面中的颗粒。然而，根据分析设备的发展，已经发现90nm以上的颗粒及其分解的较小颗粒被再附着至基板表面，从而难以期望高效率地干式清洁具有疏水性的基板表面。
技术实现思路
本专利技术提供一种可以提高对具有疏水性的基板表面的清洁效率的装置和方法。此外，本专利技术提供一种用于用湿式清洁处理具有疏水性的基板表面的装置和方法。本专利技术的实施方式提供了一种用于用液体处理基板的装置和方法。所述基板处理装置包括用于支撑基板的基板支撑单元、用于向支撑在所述基板支撑单元上的所述基板供应液体的液体供应单元、以及用于控制所述液体供应单元的控制器，其中所述液体供应单元包括用于供应第一液体的第一喷嘴和用于供应第二液体的第二喷嘴，并且向基板上供应第二液体的第二区域设置在向基板上供应第一液体的第一区域内。将第一液体和第二液体以彼此不同的方式排出，其中，将第一区域设置为液膜，并且第二液体可以以雾气方式排出。控制器可以控制液体供应单元以同时供应第一液体和第二液体。控制器可以控制液体供应单元以在供应第一液体之后供应第二液体。第一液体和第二液体中的每一个可以用于去除由在基板上形成的疏水膜产生的颗粒，并且可以作为包括有机溶剂的液体提供。液体供应单元还可以包括用于移动第一喷嘴和第二喷嘴的喷嘴移动构件，其中，控制器可以控制喷嘴移动构件以使第一区域和第二区域可以在基板的端部和基板的中心之间移动。在用液体处理在基板上形成的疏水膜的方法中，通过向基板上供应第一液体和第二液体来用液体处理该基板，其中，向基板上供应第二液体的第二区域设置在向基板上供应第一液体的第一区域内。第一液体和第二液体以彼此不同的方式排出，并且可以通过第一液体在基板上形成液膜，其中，第二液体可以以雾气方式排出。在液膜上，第二液体可以被排出。第一液体和第二液体中的每一个可以作为包括有机溶剂的液体提供。疏水膜可以包括Lk(Low-K)、ULK(UltraLow-K)和SiCN中的一种，其中，有机溶剂可以包括IPA。根据本专利技术的实施方式，用于疏水膜的湿式处理的液体包括有机溶剂。有机溶剂作为对疏水膜的表面活性剂提供，从而可以用湿式清洁来处理疏水膜。同样根据本专利技术的实施方式，将供应作为疏水膜的第一液体和第二液体以彼此不同的方式排出。因此，可以根据每个排出方式去除各种尺寸的颗粒。附图说明图1是根据本专利技术的实施方式的基板处理装置的平面图。图2是图1的基板处理装置的截面图。图3表示图2的液体供应单元。图4至7是使用图2的液体供应单元的基板处理工艺的截面图。图8是图3的液体供应单元的另一个实施方式的截面图。具体实施方式在下文中将参照附图更全面地描述各种示例性实施方式，在附图中示出了一些示例性实施方式。然而，本专利技术可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式以使得本专利技术充分且完整，并且将向本领域技术人员充分地传达本专利技术的范围。因此，附图的特征被夸大以突出明确的解释。一个实施方式解释了一种用于清洁在基板上形成的疏水膜的方法。下面通过参考图1至8详细解释本专利技术的实施方式。图1是根据本专利技术的实施方式的基板处理装置的平面图。参考图1，基板处理装置1包括转位模块10和工艺处理模块20。转位模块10具有装载端口120和转移框架140。装载端口120、转移框架140和工艺处理模块20顺序地排列成一排。在下文中，将装载端口120、转移框架140和工艺处理模块20的布置方向称为第一方向12。并将与第一方向12垂直的方向称为第二方向14，当从顶侧观察时，将与包括第一方向12和第二方向14的平面垂直的方向称为第三方向16。存储基板W的载体18位于装载端口120上。装载端口120设置为多个，并且它们沿着第二方向14布置成一排。装载端口120的数目可以根据要求如工艺效率和工艺处理模块20的占用空间而增加或减少。在载体18中，设置多个插槽(未示出)以存放与平面平行布置的基板W。可以使用前开式标准晶圆盒(FOUP)作为载体18。工艺处理模块20包括缓冲单元220、转移室240和工艺室260。转移室240设置为使其纵向方向与第一方向12平行。工艺室260设置在转移室240的两侧。工艺室260对称地设置在转移室240的两侧。一些工艺室260沿着转移室240的纵向方向设置。此外，一些工艺室260彼此垂直堆叠。也就是说，在转移室240的一侧中，工艺室260可以以A×B阵列布置。在此，A是沿着第一方向12设置的工艺室260的数目，B是沿着第三方向16设置的工艺室260的数目。当在转移室240的一侧设置四个或六个工艺室260时，工艺室260可以布置为2×2或3×2阵列。工艺室260的数量可以增加或减少。工艺室260可以仅选择性地设置在转移室240的一侧。此外，与上述不同，可以在转移室240的一侧和两侧将工艺室260设置为单层。缓冲单元220设置在转移框架140和转移室240之间。在转移基板W之前，缓冲单元220在转移室240和转移框架140之间为基板W提供暂时停放的空间。在缓冲单元220的内部设置放置基板的插槽(未示出)。插槽(未示出)沿着第三方向16彼此间隔开地设置有多个。缓冲单元220的面向转移框架140的一侧和缓冲单元220的面向转移室240的另一侧被打开。转移框架140在缓冲单元220和安置在装载端口120上的载体18之间转移基板W。在转移框架140中，设置有转位轨道142和转位机器人144。转位轨道142设置为使得纵向方向平行于第二方向14。转位机器人144安装在转位轨道142上，并且沿着转位轨道142沿第二方向14直线移动。转位机器人144包括基部144a、主体144b和转位臂144c。基部144a沿着转位轨道142可移动地安装。主体144b联接至基部144a。主体144b可沿第三方向16移动地设置在基部144a上。此外，主体144b可旋转地设置在基部144a上。转位臂144c联接至主体144b，并且设置为前后移动至主体144b。转位臂144c设置有多个，并且它们被独立驱动。转位臂144c垂直布置，即沿着第三方向16彼此间隔开。当将基板W从工艺处理模块20转移到载体18时可以使用一些转位臂144c，并且一些转位臂144c可以在将基板W从载体18转移到工艺处理模块20时使用。以这种方式，在转位机器人144输入或输出基板W的期间，可以防止在处理工艺之前来自基板的颗粒粘附到经过处理工艺后的基板。转移室240在工艺室260和缓冲单元220之间以及在工艺室260之间转移基板W。导轨242和主机器人244设置在转移室240中。导轨242放置为使得纵本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于处理基板的装置，其包括：基板支撑单元，其用于支撑所述基板；液体供应单元，其用于向所述基板支撑单元上支撑的所述基板供应液体；以及控制器，其用于控制所述液体供应单元；其中，所述液体供应单元包括：用于供应第一液体的第一喷嘴；和用于供应第二液体的第二喷嘴，其中，向所述基板上供应所述第二液体的第二区域设置在向所述基板上供应所述第一液体的第一区域内。

【技术特征摘要】
2016.03.22 KR 10-2016-00339091.一种用于处理基板的装置，其包括：基板支撑单元，其用于支撑所述基板；液体供应单元，其用于向所述基板支撑单元上支撑的所述基板供应液体；以及控制器，其用于控制所述液体供应单元；其中，所述液体供应单元包括：用于供应第一液体的第一喷嘴；和用于供应第二液体的第二喷嘴，其中，向所述基板上供应所述第二液体的第二区域设置在向所述基板上供应所述第一液体的第一区域内。2.根据权利要求1所述的装置，其中，将所述第一液体和所述第二液体以彼此不同的方式排出，其中，将所述第一区域设置为液膜，并且将所述第二液体以雾气方式排出。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述控制器控制所述液体供应单元以同时供应所述第一液体和所述第二液体。4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述控制器控制所述液体供应单元以在供应所述第一液体之后供应所述第二液体。5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其中，所述第一液体和所述第二液体中的每一个用于去除由所述基板上形成的疏水膜产生的颗粒，并...

【专利技术属性】
技术研发人员：金大民，朴素永，李茂贤，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR