一种自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法技术

本发明专利技术提出一种自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法，包括下列步骤：根据器件的不同功能来定义扫描区域，设定不同的扫描参数；对定义的不同区域图形和光强调试时反映的数据进行分析，作为区分不同区域的特性并记录；对后续的工艺层建立缺陷扫描方程式时，增加对当前层的图形和光强分析，根据之前不同区域所表征的特性重新定义不同的扫描区域；若无法对应到之前所记录的区域特性，系统提示额外增加新的扫描区域。本发明专利技术提出的自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法，针对不同工艺层图形变化较大的情况下重新精确定义扫描区域的方法，避免扫描区域不够精确发生缺陷反馈不准确，导致问题判断失误。

【技术实现步骤摘要】
一种自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法
本专利技术涉及半导体集成电路制造领域，且特别涉及一种自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法。
技术介绍
近年来，随着半导体集成电路的迅速发展与关键尺寸按比例缩小，其制造工艺也变得越发复杂。目前先进的集成电路制造工艺一般都包含几百个工艺步骤，其中的一个步骤出现问题就会引起整个半导体集成电路芯片的问题，严重的还可能导致整个芯片的失效，所以在半导体集成电路的制造过程中，对产品制造工艺中存在的问题进行及时地发现就显得尤为重要。基于上述考虑，业界一般通过缺陷检测来控制制造工艺中的缺陷问题，来提升产品良率。随着集成电路行业的飞速发展，各家公司在产品研发的过程中都趋向于多元化，为了能够保证产品的安全生产，建立完善的缺陷扫描系统是极其必要的，而且缺陷扫描的准确性对一些重大问题的判断尤显重要。目前线上传统的建立缺陷扫描方程式的方法是在产品刚下线第一道光罩曝光之后建立第一个缺陷扫描母方程式，根据器件的不同功能来划分不同扫描区域(如SRAM,LOGIC,FULL等)，之后所有工艺层的扫描方程式都根据第一个母程式定义的扫描区域建立。但由于后续工艺的进行，发现不同工本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法，其特征在于，包括下列步骤：根据器件的不同功能来定义扫描区域，设定不同的扫描参数；对定义的不同区域图形和光强调试时反映的数据进行分析，作为区分不同区域的特性并记录；对后续的工艺层建立缺陷扫描方程式时，增加对当前层的图形和光强分析，根据之前不同区域所表征的特性重新定义不同的扫描区域；若无法对应到之前所记录的区域特性，系统提示额外增加新的扫描区域。

【技术特征摘要】
1.一种自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法，其特征在于，包括下列步骤：根据器件的不同功能来定义扫描区域，设定不同的扫描参数；对定义的不同区域图形和光强调试时反映的数据进行分析，作为区分不同区域的特性并记录；对后续的工艺层建立缺陷扫描方程式时，增加对当前层的图形和光强分析，根据之前不同区域所表征的特性重新定义不同的扫描区域；若无法对应到之前所记录的区域特性，系统提示额外增加新的扫描区域。2.根据权利要求1所述的自适应定义缺陷扫描方程式扫描区域的方法，其特征在于，所述定义扫描区域包括LOGI...

【专利技术属性】
技术研发人员：成智，何广智，柳祚钺，黄莉晶，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31