一种识别单颗产品在QFN框架上位置信息的方法技术

本发明专利技术公开了一种识别单颗产品在QFN框架上位置信息的方法，包括以下步骤：将QFN引线框架上的产品进行排列；在单颗产品芯片基座蚀刻点的排列矩阵；分别获取单颗产品在框架上面的位置信息与单颗产品芯片基座蚀刻点矩阵位置信息，将分别获取的两种位置信息相对应，然后取消单颗产品在芯片基座相对应位置的蚀刻点；检查单颗产品芯片基座点的排列矩阵，获取检查结果，即得单颗产品在QFN框架上面的位置。本发明专利技术可以实现对有特殊产品位置要求的实验，主要解决了单颗产品无法做到ID识别和无法满足生产过程中的共性或规律性需求的使用问题，提升了QFN产品在制造过程中的可追溯性，其操作简单、成本低，值得推广。

【技术实现步骤摘要】
一种识别单颗产品在QFN框架上位置信息的方法
本专利技术涉及半导体QFN产品封装
，尤其涉及一种识别单颗产品在QFN框架上位置信息的方法。
技术介绍
QFN(QuadFlatNo-leadPackage，方形扁平无引脚封装)，表面贴装型封装之一，呈正方形或矩形，现在多称为LCC。QFN是日本电子机械工业会规定的名称。封装四侧配置有电极触点，贴装占有面积小，高度低。封装底部中央位置有一个大面积裸露焊盘用来导热，围绕大焊盘的封装外围四周有实现电气连结的导电焊盘。由于QFN封装不像传统的SOIC与TSOP封装那样具有鸥翼状引线，内部引脚与焊盘之间的导电路径短，自感系数以及封装体内布线电阻很低，所以它能提供卓越的电性能。此外，它还通过外露的引线框架焊盘提供了出色的散热性能，该焊盘具有直接散热通道，用于释放封装内的热量。通常将散热焊盘直接焊接在电路板上，并且PCB中的散热过孔有助于将多余的功耗扩散到铜接地板中，从而吸收多余的热量。QFN封装体积小、重量轻、具有杰出的电性能和热性能，适合任何一个对尺寸、重量和性能都有要求的应用。QFN封装具有优异的热性能，主要是因为封装底部有大面积散热焊盘，为了能有效地将热量从芯片传导到PCB上，PCB底部必须设计与之相对应的散热焊盘以及散热过孔，散热焊盘提供了可靠的焊接面积，过孔提供了散热途径。通常散热焊盘的尺寸至少和元件暴露焊盘相匹配，然而还需考虑各种其他因素，例如避免和周边焊盘的桥接等，所以散热焊盘尺寸需要修订。识别单颗QFN产品在未切割前在框架上的位置，可用于识别单颗产品的ID，解决生产过程中的共性或规律性需求的使用问题，提升制造过程中的可追溯性。然而，在现实应用中，多数混料后的QFN产品没标识，少数识别混料后单颗产品在QFN框架上位置信息的方法是使用相同的图案或者采用数字标识，操作难度大，操作成本高，且识别效率低。因此，缺少能快速有效识别混料后单颗产品在QFN框架上位置信息的方法。
技术实现思路
专利技术目的：为了解决现有技术存在的问题，识别每一单粒QFN产品在框架上面的位置，本专利技术提供一种识别单颗产品在QFN框架上位置信息的方法。技术方案：一种识别单颗产品在QFN框架上位置信息的方法，包括以下步骤：S1：将QFN引线框架上的QFN产品进行排列，对每个QFN产品定义一个单颗排列矩阵，同一QFN引线框架上的不同QFN产品的单颗排列矩阵不同；S2：在单颗QFN产品的芯片基座增加蚀刻的点，得到蚀刻的点的排列矩阵，且蚀刻的点的排列矩阵与步骤S1中单颗FNQ产品的单颗排列矩阵相对应；S3：分别获取步骤S1中单颗QFN产品在引线框架上单颗排列矩阵的位置信息与步骤S2中单颗QFN产品芯片基座增加蚀刻的点的排列矩阵的位置信息，将分别获取的两种位置信息相对应；然后取消待识别的单颗QFN产品在芯片基座相对应位置的蚀刻点；S4：检查单颗QFN产品在芯片基座增加蚀刻的点的排列矩阵，获取检查结果，获取单颗QFN产品芯片基座增加蚀刻的点的排列矩阵中缺少的蚀刻点的位置信息，并将所述缺少的蚀刻点的位置信息与QFN框架上的单颗QFN产品的位置信息相对应，得到单颗QFN产品在QFN框架上面的位置。优选地，所述步骤S1中，所述单颗排列矩阵的整个矩阵中只有一个元素是蚀刻点。优选地，所述步骤S2中，在单颗QFN产品的芯片基座增加蚀刻的点的方法为干蚀刻或湿蚀刻中的一种。优选地，所述识别单颗产品在QFN框架上位置信息的方法可实现对有特殊产品位置要求的实验。优选地，QFN框架上共有N行M列单颗产品，排列矩阵为N×M的矩阵。有益效果：本专利技术提供的一种识别单颗产品在QFN框架上位置信息的方法，采用在QFN产品芯片基座上面增加蚀刻矩阵的方法以达到在同一个框架上面所有的单颗QFN产品都有不同的识别点，QFN产品芯片基座的蚀刻矩阵排列和QFN框架的蚀刻矩阵排列相同，从而达到识别每一单粒QFN产品在框架上面的位置。本专利技术可以实现对有特殊产品位置要求的实验，使单颗QFN产品在混料后依然可以查找到在未切割前框架上的位置，主要解决了单颗产品无法做到ID识别和无法满足生产过程中的共性或规律性需求的使用问题，提升了QFN产品在制造过程中的可追溯性，本专利技术相比于传统方法，操作简单、成本低，可以实现对QFN产品在制造过程中的快速准确定位，实现了QFN产品的位置追随，值得推广。附图说明图1为QFN引线框架上的QFN产品的单颗排列矩阵；图2为单颗QFN产品芯片基座增加蚀刻的点的排列矩阵。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明。一种识别单颗产品在QFN框架上位置信息的方法，包括以下步骤：S1：将QFN引线框架上的QFN产品进行排列，对每个QFN产品定义一个单颗排列矩阵，同一QFN引线框架上的不同QFN产品的单颗排列矩阵不同，如图1所示，QFN框架1上共有5行8列单颗产品2，一个单颗产品2对应一个单颗排列矩阵。排列矩阵设计为5×8的矩阵。每个单颗排列矩阵的矩阵中只有一个元素是蚀刻点，这样方便后面的检查。S2：在单颗QFN产品的芯片基座增加蚀刻的点，得到蚀刻的点的排列矩阵，且蚀刻的点的排列矩阵与步骤S1中单颗QFN产品的单颗排列矩阵相对应，如图2所示为QFN框架左上角第一排第一列单颗QFN产品2的芯片基座增加的蚀刻的点，该蚀刻的点3即为排列矩阵的第一行第一列元素；S3：分别获取步骤S1中单颗QFN产品在引线框架上单颗排列矩阵的位置信息与步骤S2中单颗QFN产品芯片基座增加蚀刻的点的排列矩阵的位置信息，将分别获取的两种位置信息相对应；然后取消待识别的单颗QFN产品在芯片基座相对应位置的蚀刻点；S4：检查单颗QFN产品在芯片基座增加蚀刻的点的排列矩阵，获取检查结果，获取单颗QFN产品芯片基座增加蚀刻的点的排列矩阵中缺少的蚀刻点的位置信息，并将所述缺少的蚀刻点的位置信息与QFN框架上的单颗QFN产品的位置信息相对应，得到单颗QFN产品在QFN框架上面的位置。本实施例中增加蚀刻点的方法为干蚀刻，也可以采用湿蚀刻。本实施例的识别单颗产品在QFN框架上位置信息的方法，可以实现对有特殊产品位置要求的实验。本实施例采用在QFN产品芯片基座上面增加蚀刻矩阵的方法以达到在同一个QFN框架上面所有的单颗QFN产品都有不同的识别点，QFN产品芯片基座的蚀刻矩阵排列和框架的蚀刻矩阵排列相同，从而达到识别每一单粒QFN产品在框架上面的位置，本专利技术可以实现对有特殊产品位置要求的实验，使单颗QFN产品在混料后依然可以查找到在未切割前框架上的位置，主要解决了单颗产品无法做到ID识别和无法满足生产过程中的共性或规律性需求的使用问题，提升了QFN产品在制造过程中的可追溯性，本专利技术相比于传统方法，操作简单、成本低，可以实现对QFN产品在制造过程中的快速准确定位，实现了QFN产品的位置追随，值得推广。以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种识别单颗产品在QFN框架上位置信息的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将QFN引线框架上的QFN产品进行排列，对每个QFN产品定义一个单颗排列矩阵，同一QFN引线框架上的不同QFN产品的单颗排列矩阵不同；S2：在单颗QFN产品的芯片基座增加蚀刻的点，得到蚀刻的点的排列矩阵，且蚀刻的点的排列矩阵与步骤S1中单颗FNQ产品的单颗排列矩阵相对应；S3：分别获取步骤S1中单颗QFN产品在引线框架上单颗排列矩阵的位置信息与步骤S2中单颗QFN产品芯片基座增加蚀刻的点的排列矩阵的位置信息，将分别获取的两种位置信息相对应；然后取消待识别的单颗QFN产品在芯片基座相对应位置的蚀刻点；S4：检查单颗QFN产品在芯片基座增加蚀刻的点的排列矩阵，获取检查结果，获取单颗QFN产品芯片基座增加蚀刻的点的排列矩阵中缺少的蚀刻点的位置信息，并将所述缺少的蚀刻点的位置信息与QFN框架上的单颗QFN产品的位置信息相对应，得到单颗QFN产品在QFN框架上面的位置。

【技术特征摘要】
1.一种识别单颗产品在QFN框架上位置信息的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：将QFN引线框架上的QFN产品进行排列，对每个QFN产品定义一个单颗排列矩阵，同一QFN引线框架上的不同QFN产品的单颗排列矩阵不同；S2：在单颗QFN产品的芯片基座增加蚀刻的点，得到蚀刻的点的排列矩阵，且蚀刻的点的排列矩阵与步骤S1中单颗FNQ产品的单颗排列矩阵相对应；S3：分别获取步骤S1中单颗QFN产品在引线框架上单颗排列矩阵的位置信息与步骤S2中单颗QFN产品芯片基座增加蚀刻的点的排列矩阵的位置信息，将分别获取的两种位置信息相对应；然后取消待识别的单颗QFN产品在芯片基座相对应位置的蚀刻点；S4：检查单颗QFN产品在芯片基座增加蚀刻的点的排列矩阵，获取检查结果，获取单颗QFN产品芯片基座增加蚀刻的点的排列矩阵中缺少的蚀刻点的位置信息，...

【专利技术属性】
技术研发人员：王玲，彭林源，
申请(专利权)人：南京矽邦半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32