半导体芯片的制造方法和用于该制造方法的掩模一体型表面保护带技术

一种半导体芯片的制造方法，其包括下述工序(a)～(d)。(a)在将掩模一体型表面保护带贴合于半导体晶片的图案面侧的状态下，对半导体晶片的背面进行磨削，将晶片固定带贴合于磨削后的背面，利用环形框进行固定的工序；(b)剥离表面保护带而使掩模材料层露出于表面后，使半导体晶片的切割道开口的工序；(c)通过等离子体照射而使半导体晶片单片化为芯片的等离子体切割工序；和(d)通过等离子体照射去除上述掩模材料层的灰化工序。

Semiconductor chip manufacturing method and mask type surface protection belt for the manufacturing method

A method of manufacturing a semiconductor chip includes the following process (a) ~ (D). (a) in the mask pattern of a body surface protective tape is attached to the semiconductor wafer surface state, grinding on the backside of the semiconductor wafer, the wafer is attached to the back strap after grinding, using ring box fixing process; (b) stripping surface protective tape and the mask material layer exposed on the surface, the semiconductor wafer cutting opening process; (c) by plasma irradiation and semiconductor wafer chip chip for plasma cutting process; and (d) removing the mask material layer ashing process by plasma irradiation.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体芯片的制造方法和用于该制造方法的掩模一体型表面保护带
本专利技术涉及半导体芯片的制造方法和用于该制造方法的掩模一体型表面保护带。
技术介绍
近来半导体芯片向薄膜化、小芯片化的发展显著，尤其是对于存储卡或智能卡这样的内置有半导体IC芯片的IC卡而言要求薄膜化，而且，对于LED、LCD驱动用器件等要求小芯片化。认为今后随着这些需要的增加，半导体芯片的薄膜化、小芯片化的需求会进一步提高。这些半导体芯片可通过以下方式获得，即，将半导体晶片在背面研磨工序或蚀刻工序等中薄膜化成规定厚度后，经切割工序分割成各个芯片。在该切割工序中，使用通过切割刀片而切断的刀片切割方式。在刀片切割方式中，切断时刀片所引起的切削阻力直接施加到半导体晶片。因此，有时会因该切削阻力而使半导体芯片产生微小的缺损(碎片(chipping))。碎片产生不仅有损半导体芯片的外观，而且根据情况的不同有可能因抗弯强度不足而导致拾取时的芯片破损，甚至连芯片上的电路图案也会破损。另外，这种利用刀片进行的物理切割工序中，无法使作为芯片彼此的间隔的切口(kerf)(也称为切割线(scribeline)、切割道(street))的宽度窄本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体芯片的制造方法，其包括下述工序(a)～(d)：(a)在将具有基材膜、设置于该基材膜上的粘合剂层和设置于该粘合剂层上的掩模材料层的掩模一体型表面保护带贴合于半导体晶片的图案面侧的状态下，对该半导体晶片的背面进行磨削，将晶片固定带贴合于磨削后的半导体晶片的背面，利用环形框支持固定的工序；(b)从所述掩模一体型表面保护带将所述基材膜与所述粘合剂层一体地剥离而使掩模材料层露出于表面，之后利用激光将该掩模材料层中与半导体晶片的切割道相当的部分切断，使半导体晶片的切割道开口的工序；(c)通过等离子体照射以所述切割道分割半导体晶片，从而单片化为半导体芯片的等离子体切割工序；和(d)通过等离子体照射...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.09 JP 2015-219736;2015.11.09 JP 2015-219731.一种半导体芯片的制造方法，其包括下述工序(a)～(d)：(a)在将具有基材膜、设置于该基材膜上的粘合剂层和设置于该粘合剂层上的掩模材料层的掩模一体型表面保护带贴合于半导体晶片的图案面侧的状态下，对该半导体晶片的背面进行磨削，将晶片固定带贴合于磨削后的半导体晶片的背面，利用环形框支持固定的工序；(b)从所述掩模一体型表面保护带将所述基材膜与所述粘合剂层一体地剥离而使掩模材料层露出于表面，之后利用激光将该掩模材料层中与半导体晶片的切割道相当的部分切断，使半导体晶片的切割道开口的工序；(c)通过等离子体照射以所述切割道分割半导体晶片，从而单片化为半导体芯片的等离子体切割工序；和(d)通过等离子体照射去除所述掩模材料层的灰化工序。2.如权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其中，所述掩模一体型表面保护带中的至少粘合剂层为辐射固化型，在所述工序(b)中，从所述掩模一体型表面保护带将所述基材膜与所述粘合剂层一体地剥离而使掩模材料层露出于表面之前，包括照射放射线以使粘合剂层固化的工序。3.如权利要求1或2所述的半导体芯片的制造方法，其中，在所述工序(c)中，等离子体照射为氟化合物的等离子体照射。4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体芯片的制造方法，其中，在所述工序(d)中，等离子体照射为氧等离子体照射。5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体芯片的制造方法，其中，在所述工序(d)之后，包括(e)从晶片固定带拾取半导体芯片的...

【专利技术属性】
技术研发人员：横井启时，内山具朗，冈祥文，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP