切割胶带制造技术

本发明专利技术提供一种即使是小型、薄型的电子部件也能够抑制切割工序中的芯片飞散和崩裂，能够使拾取容易且不易产生残胶的切割胶带。根据本发明专利技术，提供一种切割胶带，其是在基材膜上层叠由粘合剂组合物构成的粘合剂层而形成的，其特征在于，上述粘合剂组合物含有(甲基)丙烯酸酯共聚物100质量份、光聚合性化合物5～250质量份、固化剂0.1～20质量份和光聚合引发剂0.1～20质量份，上述(甲基)丙烯酸酯共聚物含有(甲基)丙烯酸甲酯单元35～85质量％、(甲基)丙烯酸2－乙基己酯单元10～60质量％、具有羧基的单体单元0.5～10质量％以及具有羟基的单体单元を0.05～5质量％，上述光聚合性化合物是重均分子量为4000～8000，且不饱和双键官能团数为10～15的聚氨酯丙烯酸酯低聚物，上述粘合剂层的厚度为3～7μm。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】切割胶带
本专利技术涉及电子部件的制造工序中使用的切割胶带。
技术介绍
半导体晶片或基板在贴合切割胶带后将经历分割(切割)成元件小片、切割胶带的延伸(扩展)、将元件小片从切割胶带剥离(拾取，即pickup)等各工序。对于这些工序中使用的切割胶带，期望对切割工序中形成的元件小片(芯片)具有充分的粘合力，同时在拾取工序时粘合力减小至不产生残胶的程度。作为切割胶带，有如下的切割胶带：在对紫外线和/或电子束等活性光线具有透射性的基材膜上涂布有由紫外线等引起聚合固化反应的粘合剂层。该切割胶带采取如下方法：在切割工序后对粘合剂层照射紫外线等使粘合剂层聚合固化而使粘合力降低后，拾取分割成的芯片。作为这种切割胶带，专利文献1和专利文献2中公开了一种切割胶带，其在基材膜面上涂布了含有例如因活性光线而能够三维网状化的、分子内具有光聚合性不饱和双键的化合物(多官能性低聚物)而形成的粘合剂。【现有技术文献】【专利文献】【专利文献1】日本特开2006－049509号公报【专利文献2】日本特开2007－246633号公报
技术实现思路
【专利技术要解决的课题】近年来，随着电子部件的小型化、薄型化，有时在本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种切割胶带，是在基材膜上层叠由粘合剂组合物构成的粘合剂层而形成的，其特征在于，所述粘合剂组合物含有(甲基)丙烯酸酯共聚物100质量份、光聚合性化合物5～250质量份、固化剂0.1～20质量份、以及光聚合引发剂0.1～20质量份，所述(甲基)丙烯酸酯共聚物含有(甲基)丙烯酸甲酯单元35～85质量％、(甲基)丙烯酸2－乙基己酯单元10～60质量％、具有羧基的单体单元0.5～10质量％、以及具有羟基的单体单元0.05～5质量％，所述光聚合性化合物是重均分子量为4000～8000且不饱和双键官能团数为10～15的聚氨酯丙烯酸酯低聚物，所述粘合剂层的厚度为3～7μm。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.01.09 JP 2015-0028821.一种切割胶带，是在基材膜上层叠由粘合剂组合物构成的粘合剂层而形成的，其特征在于，所述粘合剂组合物含有(甲基)丙烯酸酯共聚物100质量份、光聚合性化合物5～250质量份、固化剂0.1～20质量份、以及光聚合引发剂0.1～20质量份，所述(甲基)丙烯酸酯共聚物含有(甲基)丙烯酸甲酯单元35～85质量％、(甲基)丙烯酸2－乙基己酯单元10～60质量％、具有羧基的单体单元0.5～10质量％、以及具有羟基的单体单元0.05～5质量％，所述光聚合性化合物是重均分子量为4000～8000且不饱和双键官能团数为10～15的聚氨酯丙烯酸酯低聚物，所述粘合剂层的厚度为3～7μm...

【专利技术属性】
技术研发人员：津久井友也，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP