晶片固定带、半导体晶片的处理方法和半导体芯片技术

一种晶片固定带、半导体晶片的处理方法和半导体芯片，该晶片固定带为在基材膜上具有粘合剂层而成的晶片固定带，基材膜包含利用金属离子将三元共聚物交联而成的离聚物树脂，与粘合剂层5b相反侧的基材膜表面的算术平均粗糙度Ra为0.1μm～3.0μm。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】晶片固定带、半导体晶片的处理方法和半导体芯片
本专利技术涉及将半导体晶片单片化为芯片的处理方法，更具体而言，涉及使用了等离子体切割的半导体晶片的处理方法、用于等离子体切割的晶片固定带、以及通过该处理方法得到的半导体芯片。
技术介绍
近年来，由于移动设备的发展，对于半导体器件期待进一步的薄型化。因此，需要使半导体芯片的厚度薄至50μm～100μm或更低。通常，在背面磨削时，将表面保护带贴合于半导体晶片的施加有电路等的图案面，进行图案面的保护和晶片的固定，并进行背面磨削。之后，经过切割、拾取、芯片接合、树脂封装等各种工序，制造半导体装置。在切割半导体晶片而进行芯片化时，在半导体晶片的背面(磨削面)贴合切割带，将晶片保持于切割带上的同时进行晶片的单片化(切割)。因此，在晶片的切割时，一方面需要以充分的粘接力将晶片固定，另一方面需要在切割结束后从切割带上拾取单片化的芯片。在半导体晶片的切割时，会产生被称为碎裂的芯片的缺损、裂痕，其尺寸有时会达到100μm。在薄膜化不断发展的半导体器件中，即使是几十微米的碎裂，有时碎裂也会达到图案面，这会导致成品率的降低。该碎裂是由于切割时晶片切断用的旋转刃使芯片发生振动、芯片与旋转刃接触或者芯片彼此接触而产生的。为了解决碎裂的问题，专利文献1中公开了用于更牢固地保持芯片的粘合剂构成物，但尚未达到充分抑制碎裂的程度。近年来，开始使用各种方法代替利用旋转刃进行切割的方法。其中，等离子体切割不仅可抑制对于芯片的振动，而且蚀刻速率非常高，出于上述等理由，被认为是最适合于芯片截断的工艺之一。关于等离子体切割，例如在专利文献2中有记载。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2011-233718号公报专利文献2：日本特开2007-019385号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题拾取工序在将切割带扩张的状态下进行。即，利用销从切割带的下部将待拾取的半导体芯片顶起，从上部用夹头(collet)等进行真空吸附，从而进行拾取。在利用该销顶起时，会将切割带拉伸而扩大芯片间隔，因而切割带需要具备可被拉伸的扩张性。另一方面，等离子体切割工序被置于高热下，因而需要具备耐热性。现有的切割带难以兼顾上述两种性质，若为扩张性良好的带则容易因等离子体切割时的热而熔融，若为耐热性良好的带则无法容易地扩张。因此，要求开发出兼顾了扩张性与耐热性的切割带。本专利技术是鉴于上述问题而进行的，其目的在于提供一种晶片固定带，其在使用了等离子体切割的半导体晶片的处理中，进行等离子体切割时的耐热性优异，进行拾取时的扩张性优异。另外，本专利技术的目的在于提供一种半导体晶片的处理方法，其为使用该晶片固定带进行的半导体晶片的处理方法，该方法可抑制碎裂的产生，拾取性优异；并且提供通过该半导体晶片的处理方法制造的半导体芯片。用于解决课题的手段本专利技术的上述课题可通过以下的手段实现。[1]一种晶片固定带，其为在基材膜上具有粘合剂层而成的晶片固定带，其特征在于，上述基材膜包含利用金属离子将三元共聚物交联而成的离聚物树脂，与上述粘合剂层相反侧的基材膜表面的算术平均粗糙度Ra为0.1μm～3.0μm。[2]如[1]所述的晶片固定带，其特征在于，热导率为0.2W/m·K～5.0W/m·K。[3]如[1]或[2]所述的晶片固定带，其特征在于，上述粘合剂层在100℃加热10分钟后对硅的粘合力的变化为0.3N/25mm以下。[4]如[1]～[3]中任一项所述的晶片固定带，其特征在于，其为能够贴合于半导体晶片而实施等离子体切割工序的等离子体切割带。[5]一种半导体晶片的处理方法，其特征在于，包括下述工序：(a)等离子体切割工序，利用SF6等离子体，从图案面贴合有[1]～[4]中任一项所述的晶片固定带、背面层叠有抗蚀剂的半导体晶片的背面侧将半导体晶片截断，单片化为半导体芯片；和(d)灰化工序，利用O2等离子体将上述抗蚀剂除去。[6]如[5]所述的半导体晶片的处理方法，其特征在于，包括从晶片固定带侧照射紫外线而使上述粘合剂层交联的工序。[7]一种半导体晶片的处理方法，其特征在于，包括下述工序：(a)等离子体切割工序，利用SF6等离子体，从图案面层叠有抗蚀剂、背面贴合有[1]～[4]中任一项所述的晶片固定带的半导体晶片的图案面侧将半导体晶片截断，单片化为半导体芯片；和(d)灰化工序，利用O2等离子体将上述抗蚀剂除去。[8]如[7]所述的半导体晶片的处理方法，其特征在于，进一步包括将单片化的半导体芯片从上述晶片固定带上转移至拾取用带上的工序。[9]如[5]～[8]中任一项所述的半导体晶片的处理方法，其特征在于，包括在半导体晶片的图案面贴合有表面保护带的状态下对半导体晶片的背面进行磨削的工序。[10]如[5]～[9]中任一项所述的半导体晶片的处理方法，其特征在于，包括利用环形框架对上述晶片固定带进行支撑固定的工序、和从晶片固定带上拾取芯片的工序。[11]一种半导体芯片，其特征在于，利用上述[5]～[10]中任一项所述的半导体晶片的处理方法制造而成。专利技术的效果根据本专利技术，具有等离子体切割时的耐热性和良好的拾取性，能够降低碎裂的产生，能够改善成品率。本专利技术的上述和其它特征及优点可适当参照附图由下述记载内容进一步明确。附图说明图1是对本专利技术的第1实施方式中的至半导体晶片上的表面保护带贴合为止的工序进行说明的示意性截面图，分图1(a)表示半导体晶片，分图1(b)表示贴合表面保护带的状况，分图1(c)表示贴合有表面保护带的半导体晶片。图2是对本专利技术的第1实施方式中的至半导体晶片的薄膜化和掩模形成为止的工序进行说明的示意性截面图，分图2(a)表示半导体晶片的薄膜化处理，分图2(b)表示将表面保护带剥离的状况，分图2(c)表示在图案面形成了掩模的状态，分图2(d)表示晶片固定带的层构成。图3是对本专利技术的第1实施方式中的至芯片单片化为止的工序进行说明的示意性截面图，分图3(a)表示贴合有晶片保护带的状态，分图3(b)表示进行等离子体切割的状况，分图3(c)表示单片化为芯片的状态。图4是对本专利技术的第1实施方式中的至拾取芯片为止的工序进行说明的示意性截面图，分图4(a)表示进行等离子体灰化的状况，分图4(b)表示除去了成为掩模的抗蚀剂后的状态，分图4(c)表示拾取芯片的状况。图5是对本专利技术的第1实施方式的变形例中的至半导体晶片上的表面保护带贴合为止的工序进行说明的示意性截面图，分图5(a)表示半导体晶片，分图5(b)表示利用抗蚀剂遮蔽了图案面的状态，分图5(c)表示贴合表面保护带的状况。图6是对本专利技术的第1实施方式的变形例中的至半导体晶片的薄膜化和表面保护带剥离为止的工序进行说明的示意性截面图，分图6(a)表示在遮蔽的图案面上贴合了表面保护带的状况，分图6(b)表示半导体晶片的薄膜化处理，分图6(c)表示剥离表面保护带的状况。图7是对本专利技术的第1实施方式的另一变形例中的至拾取为止的状态进行说明的示意性截面图，分图7(a)表示晶片固定带上的单片化的半导体芯片，分图7(b)表示将各芯片转移至拾取用带上的工序，分图7(c)表示从拾取用带上拾取芯片的状况。图8是对本专利技术的第1实施方式的又一变形例中的紫外线照射前后的工序进行说明的示意性截面图，分图8(a)表示图案面被抗蚀剂被覆的状态，分图8(本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片固定带，其为在基材膜上具有粘合剂层而成的晶片固定带，其特征在于，所述基材膜包含利用金属离子将三元共聚物交联而成的离聚物树脂，与所述粘合剂层相反侧的基材膜表面的算术平均粗糙度Ra为0.1μm～3.0μm。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.13 JP 2015-0514811.一种晶片固定带，其为在基材膜上具有粘合剂层而成的晶片固定带，其特征在于，所述基材膜包含利用金属离子将三元共聚物交联而成的离聚物树脂，与所述粘合剂层相反侧的基材膜表面的算术平均粗糙度Ra为0.1μm～3.0μm。2.如权利要求1所述的晶片固定带，其特征在于，热导率为0.2W/m·K～5.0W/m·K。3.如权利要求1或2所述的晶片固定带，其特征在于，所述粘合剂层在100℃加热10分钟后对硅的粘合力的变化为0.3N/25mm以下。4.如权利要求1～3中任一项所述的晶片固定带，其特征在于，其为能够贴合于半导体晶片而实施等离子体切割工序的等离子体切割带。5.一种半导体晶片的处理方法，其特征在于，包括下述工序：(a)等离子体切割工序，利用SF6等离子体，从图案面贴合有权利要求1～4中任一项所述的晶片固定带、背面层叠有抗蚀剂的半导体晶片的背面侧将半导体晶片截断，单片化为半导体芯片；和(d)灰化工序，利用O2等离子体将所述抗蚀剂...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈祥文，青山真沙美，
申请(专利权)人：古河电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP