半导体加工用片材制造技术

本发明专利技术的半导体加工用片材(1)具备基材(2)及层叠于基材(2)的至少一面侧的粘着剂层(3)，其中，粘着剂层(3)由粘着剂组合物形成，所述粘着剂组合物含有：聚合物，具有盐及能量射线固化性基团；及能量射线固化性粘着成分(除上述聚合物以外)，粘着剂组合物将含有具有醚键的结构单元及能量射线固化性基团的化合物作为能量射线固化性粘着成分的一个成分而含有，或者含有具有醚键的结构单元作为聚合物的侧链。该种半导体加工用片材(1)能够发挥充分的抗静电性，并且在照射能量射线之后进行剥离时抑制被粘物的污染。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体加工用片材
本专利技术涉及一种半导体加工用片材。
技术介绍
在对半导体晶圆进行研削、切断的工序中，以半导体晶圆的固定或电路等的保护为目的，使用粘着片。作为这样的粘着片，有如下粘着片，其在贴附半导体晶圆之后的处理工序中具有较强的粘着力，另一方面，具备在剥离时粘着力因能量射线的照射而下降的能量射线固化性的粘着剂层。这些粘着片当规定的处理工序结束时被剥离，但此时，在粘着片与作为被粘物的半导体晶圆或半导体芯片(以下有时仅称为“芯片”)等之间会产生被称作剥离带电的静电。这样的静电成为半导体晶圆、芯片和形成于晶圆、芯片的电路等被破坏的原因。为了防止该现象，已知有在半导体晶圆的加工时所使用的粘着片中，通过在粘着剂中添加低分子量的季铵盐化合物来使粘着片具备抗静电性。但是，在使用低分子量的季铵盐化合物作为抗静电剂的情况下，存在该化合物从粘着片渗出，或者导致粘着剂的残渣物(微粒)污染半导体晶圆或芯片等被粘物的表面的问题。对此，作为具备抗静电性的粘着剂，提出有将具有季铵盐的(甲基)丙烯酸类共聚物作为粘着成分的光学构件用抗静电性粘着剂(参阅专利文件1)。该种粘着剂是将季铵盐导入(甲基)丙烯酸类共聚物而成为高分子量而得。现有技术文献专利文献专利文献1：日本专利特开2011-12195号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题然而，专利文件1中公开的粘着剂是在贴附于偏振片等光学构件的粘着片中使用，而并非以基于能量射线照射的剥离为前提。因此，其所要求的物性与在能量射线照射前后大幅改变粘着力的、在半导体加工用途中使用的粘着片完全不同。在此，专利文件1的粘着剂的粘着成分其本身附有抗静电性。在该种抗静电性粘着成分中，例如，为了适用于半导体加工用途，欲控制其粘着性或抗静电性中的任意一方而改变抗静电性粘着成分的组成等，则还会影响另一方特性。因此，在这种抗静电性粘着成分中，其设计的自由度方面存在限制。本专利技术是鉴于如上述的现状而完成的，其目的在于，提供一种能够发挥充分的抗静电性，并且在照射能量射线之后进行剥离时抑制被粘物的污染的半导体加工用片材。解决技术问题的技术手段为了实现上述目的，第一、本专利技术提供一种半导体加工用片材，具备基材、及层叠于所述基材的至少一面侧的粘着剂层，其中，所述粘着剂层由粘着剂组合物形成，所述粘着剂组合物含有：聚合物，该聚合物具有盐及能量射线固化性基团；及与所述聚合物不同的能量射线固化性粘着成分，所述粘着剂组合物将含有具有醚键的结构单元及能量射线固化性基团的化合物作为能量射线固化性粘着成分的一成分而含有，或者含有具有醚键的结构单元作为所述聚合物的侧链(专利技术1)。作为本专利技术的半导体加工用片材，例如可以举出在半导体晶圆、各种封装类的切割工序中使用的切割片、在半导体晶圆等背面研磨工序中使用的背面研磨片等，但并不限定于此。本专利技术的半导体加工用片材特别优选作为切割片使用。另外，使本专利技术的半导体加工用片材包含具有用于贴附环状框架的另一粘着剂层(及基材)的半导体加工用片材，例如以环绕贴附于晶圆的部分的方式设有圆环状等的粘着构件的半导体加工用片材。并且，使本专利技术的半导体加工用片材还包含粘着剂层局部地设置于基材上的半导体加工用片材，例如，只在基材的周缘部设有粘着剂层而在内周部未设置粘着剂层的半导体加工用片材。另外，设本专利技术中的“片材”还包含“带”的概念。上述专利技术(专利技术1)的半导体加工用片材，其通过粘着剂组合物中所含的聚合物具有盐(阳离子)，且粘着剂组合物包含具有醚键的结构单元来发挥充分的抗静电性。另外，上述聚合物具有能量射线固化性基团，且具有醚键的结构单元作为具有能量射线固化性基团的化合物，或作为上述聚合物的侧链，包含于粘着剂组合物中，由此上述聚合物彼此、上述聚合物与能量射线固化性成分之间，或含有具有醚键的结构单元及能量射线固化性基团的化合物与上述聚合物及能量射线固化性成分之间通过能量射线的照射发生反应而交联。由此，在照射能量射线之后剥离被粘物时，附着于被粘物的微粒的产生变少，能够抑制被粘物的污染。其中，含有具有醚键的结构单元及能量射线固化性基团的化合物，其作为能量射线固化性粘着成分的一成分而含有，且有助于该粘着成分的能量射线固化性。在上述专利技术(专利技术1)中，具有所述醚键的结构单元优选为环氧烷烃单元(专利技术2)，所述环氧烷烃单元的重复数优选为2～40(专利技术3)。在上述专利技术(专利技术1～3)中，所述粘着剂组合物中的所述聚合物的含量优选为0.5～65质量％(专利技术4)。在上述专利技术(专利技术1～4)中，所述聚合物的重均分子量优选为500～20万(专利技术5)。在上述专利技术(专利技术1～5)中，所述聚合物优选具有(甲基)丙烯酰基作为所述能量射线固化性基团(专利技术6)。在上述专利技术(专利技术1～6)中，所述聚合物的每单位质量的所述能量射线固化性基团的含量优选为5×10-5～2×10-3摩尔/g(专利技术7)。在上述专利技术(专利技术1～7)中，所述能量射线固化性粘着成分可以含有不具有能量射线固化性的丙烯酸类聚合物及能量射线固化性化合物(专利技术8)，亦可以含有侧链上导入有能量射线固化性基团的丙烯酸类聚合物(专利技术9)。在上述专利技术(专利技术1～9)中，所述能量射线固化性粘着成分优选含有交联剂(专利技术10)。在上述专利技术(专利技术1～10)中，所述盐优选为季铵盐(专利技术11)。专利技术效果本专利技术的半导体加工用片材能够发挥充分的抗静电性，并且在照射能量射线之后进行剥离时抑制晶圆或芯片等被粘物的污染。附图说明图1为本专利技术的一实施方式的半导体加工用片材的剖面图。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式进行说明。图1是本专利技术的一实施方式的半导体加工用片材的剖面图。本实施方式的半导体加工用片材1构成为具备基材2、及层叠于基材2的一面(图1中为上侧的表面)的粘着剂层3。本实施方式的半导体加工用片材1能够用作切割片、背面研磨片等，以下，重点对用作切割片的情况进行说明。1.基材关于本实施方式的半导体加工用片材1的基材2，半导体加工用片材1只要能够在切割工序/扩展工序或背面研磨工序等所希望的工序中适当地发挥作用，则其结构材料没有特别限定，通常由以树脂类的材料为主材料的薄膜构成。作为该薄膜的具体例，可以举出乙烯-乙酸乙烯共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物薄膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物薄膜等乙烯类共聚薄膜；低密度聚乙烯(LDPE)薄膜、直链低密度聚乙烯(LLDPE)薄膜、高密度聚乙烯(HDPE)薄膜等聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚丁烯薄膜、聚丁二烯薄膜、聚甲基戊烯薄膜、乙烯-降冰片烯共聚物薄膜、降冰片烯树脂薄膜等聚烯烃类薄膜；聚氯乙烯薄膜、氯乙烯共聚物薄膜等聚氯乙烯类薄膜；聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯薄膜等聚酯类薄膜；聚氨基甲酸酯薄膜；聚酰亚胺薄膜；聚苯乙烯薄膜；聚碳酸酯薄膜；氟树脂薄膜等。并且，也可以使用诸如这些薄膜的交联薄膜、离聚物薄膜等改性薄膜。上述的基材2可以为由这些薄膜之中的一种构成的薄膜，进一步地，也可以为将这些薄膜组合两种以上而成的层叠薄膜。另外，本说明书中的“(甲基)丙烯酸”是指丙烯酸及甲基丙烯酸双方。对于其他类似术语亦相同。构成基材2的薄膜优选具备乙烯类共聚薄膜及聚烯烃类薄膜中的至少一种。乙烯类共聚薄膜通过改变共聚比来在较宽范围内容易地控制其机械特性。因此，具备乙烯类共聚薄膜的基材2容易满足作为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体加工用片材，其具备基材、及层叠于所述基材的至少一面侧的粘着剂层，其特征在于，所述粘着剂层由粘着剂组合物形成，所述粘着剂组合物含有：聚合物，该聚合物具有盐及能量射线固化性基团；及与所述聚合物不同的能量射线固化性粘着成分，所述粘着剂组合物将含有具有醚键的结构单元及能量射线固化性基团的化合物作为能量射线固化性粘着成分的一个成分而含有，或者含有具有醚键的结构单元作为所述聚合物的侧链。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.03 JP 2015-0418181.一种半导体加工用片材，其具备基材、及层叠于所述基材的至少一面侧的粘着剂层，其特征在于，所述粘着剂层由粘着剂组合物形成，所述粘着剂组合物含有：聚合物，该聚合物具有盐及能量射线固化性基团；及与所述聚合物不同的能量射线固化性粘着成分，所述粘着剂组合物将含有具有醚键的结构单元及能量射线固化性基团的化合物作为能量射线固化性粘着成分的一个成分而含有，或者含有具有醚键的结构单元作为所述聚合物的侧链。2.根据权利要求1所述的半导体加工用片材，其特征在于，具有所述醚键的结构单元为环氧烷烃单元。3.根据权利要求2所述的半导体加工用片材，其特征在于，所述环氧烷烃单元的重复数为2～40。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体加工用片材，其特征在于，所述粘着剂组合物中的所述聚合物的含量为0.5～65质量％。5.根据权利要求1～4中任一项所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：山下茂之，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP