【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】切割片、切割片的制造方法与模具芯片的制造方法
本专利技术涉及一种对以树脂密封多个半导体芯片等芯片状部件而成的半导体封装等模具封装进行切割时所使用的切割片。此外,本专利技术涉及一种上述切割片的制造方法、以及使用上述切割片的模具芯片的制造方法。
技术介绍
以树脂密封有半导体芯片等芯片状部件的部件(本说明书中称为“模具芯片”),被密封的芯片状部件为半导体芯片的情况下,通常如以下方式进行制作。首先,在如TAB卷带的多个基台连接而形成的集合体的各基台上装载半导体芯片,将这些半导体芯片全部一起树脂密封,获得电子部件集合体(本说明书中称为“半导体封装”)。接着,通过在半导体封装的一面上,粘贴具有基材与粘着剂层的粘着片(本说明书中称为“切割片”),使半导体封装固定在切割片上。将固定于切割片的半导体封装切断分离(切割),使其单片化,制作多个模具芯片在切割片上邻近配置的部件(切割工序)。通常切割片的粘着剂层以通过特定刺激来减少粘着剂层相对于被粘着面的粘着性的方式而被设定,作为这种特定刺激,举如可采用能量线照射。因而,包含在进行以下工序前,对切割片照射能量线,使粘着剂层相对于被粘着面的 ...
【技术保护点】
一种切割片,其具备基材与层叠于所述基材至少一侧面上的粘着剂层,其特征在于,所述粘着剂层于23℃的储能模量在能量线照射前的状态中为50kPa以上且为80kPa以下,且在能量线照射后的状态中为5.0MPa以上且为120MPa以下,所述粘着剂层的厚度小于20μm,所述粘着剂层的面在能量线照射前的状态下,在JIS Z0237:1991所记载的方法中,通过将剥离速度变更为1mm/分钟的条件,使用探头式初粘力试验仪所测定的能量的量为0.10mJ/5mmφ以上且为0.8mJ/5mmφ以下。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.03.26 JP 2015-0653641.一种切割片,其具备基材与层叠于所述基材至少一侧面上的粘着剂层,其特征在于,所述粘着剂层于23℃的储能模量在能量线照射前的状态中为50kPa以上且为80kPa以下,且在能量线照射后的状态中为5.0MPa以上且为120MPa以下,所述粘着剂层的厚度小于20μm,所述粘着剂层的面在能量线照射前的状态下,在JISZ0237:1991所记载的方法中,通过将剥离速度变更为1mm/分钟的条件,使用探头式初粘力试验仪所测定的能量的量为0.10mJ/5mmφ以上且为0.8mJ/5mmφ以下。2.根据权利要求1所述的切割片,其中,在使用时,在所述粘着剂层的与所述基材侧的相反侧的面上,粘贴有模具封装的树脂密封面,所述树脂密封面具有通过凹部所形成的印字部。3.根据权利要求2所述的切割片,其中,所述树脂密封面的所述印字部的凹部的平均深度为0.5μm以上。4.根据权利要求1~3中任一项所述的切割片,其中,所述粘着剂层为由含有具有能量...
【专利技术属性】
技术研发人员:西田卓生,佐藤明德,
申请(专利权)人:琳得科株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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