晶片加工用带及晶片加工方法技术

本发明专利技术涉及晶片加工用带及晶片加工方法。目的在于提供不易发生崩边的晶片加工用带及使用该晶片加工用带的晶片加工方法。晶片加工用带具有追随层、和配置于该追随层的背面的背面层，切出297mm×210mm的试验片，并在使前述背面层处于下方而静置于平坦载台的状态下，4个角部的从载台的翘曲量的平均值为30mm以下。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶片加工用带及晶片加工方法。

技术介绍

1、对半导体晶片进行加工时，为了保护其免遭破损而粘贴粘合片。例如，在对半导体晶片进行加工时的背面研磨(backgrind)工序中，粘贴粘合片以保护半导体晶片的图案面。从与突起电极(凸块)这样的具有凹凸的图案面的粘合性、图案面保护的可靠性的观点考虑，对粘合片要求对图案面的凹凸的追随性(高低差追随性)。

2、为了使粘合片具有追随性，在市场上一般是增加粘合剂厚度、在基材膜与粘合剂之间设置具有缓冲性的柔软树脂层，但在图案面的凹凸大的情况下，追随性不足、残胶的风险增高。

3、另外，以提高半导体晶片加工工序中基材与载台的密合性为目的，已知有于130℃加热10分钟后的md和td上的热收缩率均为0％以上的用于半导体晶片的加工用粘合片的基材(专利文献1)。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：wo2023/068088

技术实现思路

1、专利技术所要解决的课题

2、但是，在以往的基材中，在用本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.晶片加工用带，其具有追随层、和配置于该追随层的背面的背面层，

2.如权利要求1所述的晶片加工用带，其还具有配置于追随层的表面的脱模层。

3.如权利要求1所述的晶片加工用带，其在所述追随层与所述背面层之间还具有粘接层。

4.如权利要求1所述的晶片加工用带，其中，所述背面层的厚度为3～50μm。

5.如权利要求1所述的晶片加工用带，其中，所述背面层的拉伸弹性模量为2.0～5.0GPa。

6.如权利要求1所述的晶片加工用带，其中，所述背面层的在150℃、30分钟条件下的加热收缩率为3.0％以下。

7.如权利要求1所述的...

【技术特征摘要】

1.晶片加工用带，其具有追随层、和配置于该追随层的背面的背面层，

2.如权利要求1所述的晶片加工用带，其还具有配置于追随层的表面的脱模层。

3.如权利要求1所述的晶片加工用带，其在所述追随层与所述背面层之间还具有粘接层。

4.如权利要求1所述的晶片加工用带，其中，所述背面层的厚度为3～50μm。

5.如权利要求1所述的晶片加工用带，其中，所述背面层的拉伸弹性模量为2.0～5.0gpa。

6.如权利要求1所述的晶片加工用带，其中，所述背面层的...

【专利技术属性】
技术研发人员：楯洋亮，升田优亮，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：