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本发明涉及晶片加工用带及晶片加工方法。目的在于提供不易发生崩边的晶片加工用带及使用该晶片加工用带的晶片加工方法。晶片加工用带具有追随层、和配置于该追随层的背面的背面层，切出297mm×210mm的试验片，并在使前述背面层处于下方而静置于平坦...
该专利属于电化株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过电化株式会社授权不得商用。

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