激光切割用粘合片以及半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种透过粘合片照射激光进行的激光切割时，可抑制粘合片上的激光的散射，且在粘合片上易于通过扩张进行芯片分割，并且，可抑制在芯片分割时产生的粉尘的附着，成品率良好的芯片的激光切割用粘合片。本发明专利技术提供一种激光切割用粘合片，其特征为基材膜的一侧的面上含有背面层，该背面层含有减摩剂和抗静电剂，另一面具有粘合剂层，所述背面层表面的算数平均粗糙度为Ra为0.1μm以下，所述粘合片在23℃下的拉伸弹性模量为50～200MPa，400～1400nm的波长区域的平行线透射率为85％以上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】激光切割用粘合片以及半导体装置的制造方法
本专利技术涉及粘合片以及利用该粘合片的半导体装置的制造方法。进一步地，本专利技术涉及利用激光对半导体晶片进行激光切割时，可从粘合片侧照射激光的激光切割用粘合片，以及具备利用该粘合片对半导体晶片进行加工的工序的半导体装置的制造方法。【现有技术】半导体晶片是，形成电路后贴合粘合片之后，分别供应到切割(Dicing)成元件小片、洗净、干燥、粘合片的扩张(Expanding)、从粘合片剥离元件小片(Pickup)、安装(Mounting)等工序。在这些工序中使用的粘合片(Dicingtape)，被期待着具备从切割工序至干燥工序中对于被切割的元件小片(Chip)具有充分的粘合力，且在拾取工序中粘合力减小至无残胶的程度。另一方面，随着近年的IC器件的高性能化以及小型化，半导体芯片的薄型化正在推进，将以往的厚度为350μm程度的晶片被要求将厚度降低至100μm以下。但是，由于被用作半导体晶片的有机硅为脆性材料，降低厚度会有在运输或加工时损坏的可能。特别是，用旋转车刀切割晶片时产生的缺口或者碎片，会显著地降低芯片的抗弯强度。因此，作为抑制碎片产生的方本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种激光切割用粘合片，其特征在于：基材膜的一侧面具有背面层，该背面层含有减摩剂和抗静电剂，另一侧面具有粘合剂层，所述背面层表面的算数平均粗糙度Ra为0.1μm以下，所述粘合片在23℃的拉伸弹性模量为50～200MPa，400～1400nm波长区域的平行线透射率为85％以上。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.12.25 JP 2014-2617501.一种激光切割用粘合片，其特征在于：基材膜的一侧面具有背面层，该背面层含有减摩剂和抗静电剂，另一侧面具有粘合剂层，所述背面层表面的算数平均粗糙度Ra为0.1μm以下，所述粘合片在23℃的拉伸弹性模量为50～200MPa，400～1400nm波长区域的平行线透射率为85％以上。2.根据权利要求1所述的激光切割用粘合片，其特征在于：所述减摩剂为有机硅类接枝共聚物。3.根据权利要求1或2所述的激光切割用粘合片，其特征在于：所述抗静电剂为季铵盐单体。4.根据权利要求1至3中任一项所述的激光切割用粘...

【专利技术属性】
技术研发人员：中岛刚介，田中智章，田中秀，
申请(专利权)人：电化株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP