旋涂硬掩膜材料制造技术

本文公开并且要求保护的是用于形成旋涂硬掩膜的组合物，其具有富勒烯衍生物和交联剂。还公开了用于形成硬掩膜的工艺。

Spin coating hard mask material

Disclosed herein is a composition for forming spin coated hard masks having fullerene derivatives and cross-linking agents. A process for forming a hard mask is also disclosed.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】旋涂硬掩膜材料专利
本专利申请是在用于半导体制造的成像的领域中并且更具体地是在使用旋涂(spin-on)制剂的蚀刻掩蔽(etchmasking)的领域中。背景半导体装置的最小特征尺寸继续收缩以能够增加装置密度。实现这样的高密度图案化(patterning)的一种方法是使用薄的光致抗蚀剂膜以缓解问题：在显影之后高纵横比抗蚀剂(resist)特征的此类图案塌陷(patterncollapse)。该问题的一种可能的解决方案包括使用高分辨率、高灵敏度和高蚀刻耐久性(etchdurability)的富勒烯抗蚀剂(fullereneresist)。然而，即使由此类抗蚀剂产生的纵横比可以高达5:1，总蚀刻深度明显地受可用的抗蚀剂厚度限制。多层硬掩膜堆叠(multilayerhard-maskstack)可以允许另外增大蚀刻的图像的纵横比。此类方法可以使用通过化学气相沉积在真空中沉积的厚的无定形碳，所述无定形碳然后涂覆有薄的富含硅的层(thin-siliconrichlayer)。然后，薄的光致抗蚀剂膜足以使富含硅的层图案化；因此避免图案塌陷。富含硅的层依序被用作硬掩膜，以使碳图案化，给出适于提本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于形成旋涂硬掩膜的组合物，所述组合物包含：a.富勒烯衍生物，其由以下通式表示

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于形成旋涂硬掩膜的组合物，所述组合物包含：a.富勒烯衍生物，其由以下通式表示其中n是1-6的整数，Q为在所述富勒烯中的碳原子数，是60、70、76、78、80、82或84，R1代表第一取代基，所述第一取代基包括酯、醇、酚、胺、酰胺、酰亚胺或羧酸，并且R2代表第二取代基，所述第二取代基包括氢、卤素、C6-C20芳基、C1-C20烷基、酯、醇、酚、胺、酰胺、酰亚胺或羧酸，b.交联剂，其包含两种或更多种热反应性基团或催化反应性基团。2.如权利要求1所述的组合物，还包含一种或更多种另外的富勒烯衍生物，其中Q的至少一种＝60，并且至少第二种Q＝70。3.如权利要求2所述的组合物，还包含一种或更多种热致酸发生剂。4.如权利要求2所述的组合物，其中R1是羧酸。5.如权利要求4所述的组合物，其中所述交联剂是聚芳香族二胺。6.如权利要求5所述的组合物，其中所述聚芳香族物质是4,4’-(9-亚芴基)二苯胺。7.如权利要求2所述的组合物，其中所述交联剂选自环氧酚酚醛清漆树脂、环氧甲酚酚醛清漆树脂、环氧双酚A树脂、环氧双酚A酚醛清漆树脂、环氧双酚C树脂、烷醇甲基三聚氰胺树脂、烷醇甲基甘脲树脂、烷醇甲基胍胺树脂、烷醇甲基苯并胍胺树脂、糖基脲树脂或醇酸树脂。8.如权利要求7所述的组合物，还包含一种或更多种热致酸发生剂。9.如权利要求8所述的组合物，其中所述一种或更多种热致酸发生剂选自有机磺酸的烷基酯、有机磺酸的脂环族酯、有机磺酸的胺盐、有机磺酸的2-硝基苄酯、有机磺酸的4-硝基苄酯、有机磺酸的安息香酯、...

【专利技术属性】
技术研发人员：亚历克斯·菲利普·格雷厄姆·罗宾逊，安德烈亚斯·弗罗姆霍尔德，艾伦·布朗，汤姆·拉达，
申请(专利权)人：亚历克斯·菲利普·格雷厄姆·罗宾逊，安德烈亚斯·弗罗姆霍尔德，艾伦·布朗，汤姆·拉达，
类型：发明
国别省市：英国,GB