用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板制造技术

公开了一种用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板，能够通过向遮光层施加选通电压而非偏置电压以遮蔽薄膜晶体管的沟道区来减少薄膜晶体管漏电流和输出信号噪声。薄膜晶体管阵列基板包括：多条选通线，提供扫描信号；多条数据线，设置在与选通线垂直的方向上，输出数据；光电二极管，形成在由选通线和数据线限定的多个单元区的每一个中，执行光电转换，光电二极管包括按次序层压的第一电极、半导体层、第二电极；薄膜晶体管，形成在选通线与数据线之间的多个交叉点的每一个处，响应于选通线的扫描信号向数据线输出来自光电二极管的光电转换信号；多条偏压线，向光电二极管施加偏置电压；遮光层，处于薄膜晶体管的沟道区上方，电连接至选通线。

Thin film transistor array substrate for digital X ray detector

A thin film transistor array substrates for X digital X-ray detector is disclosed, to cover the thin film transistor by applying a gate voltage to the light shielding layer rather than the bias voltage of the channel region to reduce the leakage current of the thin film transistor and the output signal noise. Thin film transistor array substrate includes a plurality of gate lines, providing a scan signal; a plurality of data lines, set the output data in the gate lines perpendicular to the direction of the photodiode formed; each unit in the region defined by a gate line and a data line, performing photoelectric conversion, photoelectric diode according to the first order including electrode electrode, laminated semiconductor layer, second; thin film transistor, formed in each of a plurality of junctions between the gate line and the data line, in response to a scanning signal to gate line output of the photoelectric conversion from photodiode signal to the data lines; a plurality of bias line, bias the voltage to the photodiode; shading layer is above the channel region of the thin film transistor is electrically connected to the gate line.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及数字X射线检测器。更具体地说，本专利技术涉及减少漏电流和噪声的用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板。
技术介绍
一般来说，X射线是容易穿过物体的短波长辐射，并且X射线的透射率根据物体的密度来确定。即，可以通过穿过该物体的X射线的量来间接观察物体的内部状态。X射线检测器是检测穿过物体的X射线的量的装置。X射线检测器检测X射线的透射率，并且通过显示装置显示物体的内部状态。X射线检测器通常可以用作医学检查工具、非破坏性检查工具等。近年来，利用数字射线摄影术（digitalradiography，下面成为“DR”）而不使用胶片的数字X射线检测器被广泛用作X射线检测器。用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列的每一个单元都包括：光电二极管（PIN二极管），其接收X射线，将其转换成可见光并将该可见光转换成电信号；薄膜晶体管，其形成在光电二极管下面，并且将来自光电二极管的电信号输出至数据线。图1是例示普通数字X射线检测器的构造的视图。如图1所示，该普通数字X射线检本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基板包括：多条选通线，所述多条选通线用于提供扫描信号；多条数据线，所述多条数据线设置在与所述选通线垂直的方向上，用于输出数据；光电二极管，所述光电二极管处于由所述选通线和所述数据线限定的多个单元区中的每一个中，用于执行光电转换，所述光电二极管包括按次序层压的第一电极、半导体层、第二电极；薄膜晶体管，所述薄膜晶体管处于所述选通线与所述数据线之间的多个交叉点中的每一个处，用于响应于所述选通线的扫描信号向所述数据线输出来自所述光电二极管的光电转换信号；多条偏压线，所述多条偏压线用于向所述光电二极管施加偏置电压；遮光层，所述遮光层处于所述...

【技术特征摘要】
2012.11.27 KR 10-2012-01349621.一种用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基
板包括：
多条选通线，所述多条选通线用于提供扫描信号；
多条数据线，所述多条数据线设置在与所述选通线垂直的方向上，用于输出数据；
光电二极管，所述光电二极管处于由所述选通线和所述数据线限定的多个单元区
中的每一个中，用于执行光电转换，所述光电二极管包括按次序层压的第一电极、半
导体层、第二电极；
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管处于所述选通线与所述数据线之间的多个交叉点中
的每一个处，用于响应于所述选通线的扫描信号向所述数据线输出来自所述光电二极
管的光电转换信号；
多条偏压线，所述多条偏压线用于向所述光电二极管施加偏置电压；
遮光层，所述遮光层处于所述薄膜晶体管的沟道区上方，所述遮光层电连接至所
述选通线。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述数据线和所述偏压线
平行地形成在所述光电二极管的两侧处。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述遮光层由与所述数据
线和所述偏压线相同的材料形成。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述遮光层由与所述光电
二极管的所述第一电极相同的材料形成。
5.一种用于数字X射线检测器的薄膜晶体管阵列基板，所述薄膜晶体管阵列基
板包括：
薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成在基板上，所述薄膜晶体管设置有源电极、漏
电极、从选通线突出的栅电极；
第一层间绝缘膜，所述第一层间绝缘膜处于所述基板的整个表面上，具有处于所
述源电极上的第一接触孔；
光电二极管的第一电极，所述第一电极处于所述层间绝缘膜上，使得所述第一电
极通过所述第一接触孔连接至所述源电极；
半导体层，所述半导体层形成在所述第一电极上；
所述光电二极管的第二电极，所述第二电极处于所述半导体层上；
第二层间绝缘膜，所述第二层间绝缘膜处于所述基板的包括所述光电二极管的所
述第二电极的整个表面上；
第四接触孔，所述第四接触孔处于所述选通线上方、所述第一层间绝缘膜和所述<...

【专利技术属性】
技术研发人员：金旲奎，河晟峰，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR