The invention discloses a display panel, display panel manufacturing and display device, the display panel process includes: laying of nano silicon oxide on the substrate, forming nano silicon oxide layer; the laying of amorphous silicon in the nano silicon oxide layer, an amorphous silicon layer is formed by laser irradiation; the amorphous silicon layer, the amorphous silicon layer recrystallized polysilicon layer is formed; a gate oxide on the polysilicon layer on the gate oxide layer is formed. In the invention, the amorphous silicon layer is irradiated by laser so that the amorphous silicon layer is recrystallized to form a polysilicon layer, thereby reducing the laser irradiation energy and reducing the cost.
【技术实现步骤摘要】
显示面板、显示面板的制程和显示装置
本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种显示面板、显示面板的制程和显示装置。
技术介绍
液晶显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点,得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器,其包括液晶面板及背光模组(BacklightModule)。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子,并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向,以将背光模组的光线折射出来产生画面。其中,薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LiquidCrystalDisplay,TFT-LCD)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能,目前已经逐渐占据了显示领域的主导地位。同样,薄膜晶体管液晶显示器包含液晶面板和背光模组,液晶面板包括彩膜基板(ColorFilterSubstrate,CFSubstrate,也称彩色滤光片基板)和薄膜晶体管阵列基板(ThinFilmTransistorSubstrate,TFTSubstrate),上述基板的相对内侧存在透明电极。两片基板之间夹一 ...
【技术保护点】
一种显示面板的制程,其特征在于,所述制程包括以下步骤:在基板上铺设纳米氧化硅,形成纳米氧化硅层;在所述纳米氧化硅层上铺设非晶硅,形成非晶硅层;通过能量小于或等于250兆焦耳的激光照射所述非晶硅层,使得所述非晶硅层再结晶形成多晶硅层;在所述多晶硅层上铺设栅极氧化物,形成栅极氧化物层。
【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制程,其特征在于,所述制程包括以下步骤:在基板上铺设纳米氧化硅,形成纳米氧化硅层;在所述纳米氧化硅层上铺设非晶硅,形成非晶硅层;通过能量小于或等于250兆焦耳的激光照射所述非晶硅层,使得所述非晶硅层再结晶形成多晶硅层;在所述多晶硅层上铺设栅极氧化物,形成栅极氧化物层。2.如权利要求1所述的显示面板的制程,其特征在于,所述在纳米氧化硅层上铺设非晶硅,形成非晶硅层的步骤包括:在所述纳米氧化硅层上铺设缓冲氧化物,形成缓冲氧化物层;在所述缓冲氧化物层上铺设所述非晶硅,并形成所述非晶硅层。3.如权利要求1所述的显示面板的制程,其特征在于,所述在基板上铺设纳米氧化硅,形成纳米氧化硅层的步骤包括:在所述基板上铺设缓冲氮化物,形成缓冲氮化物层;在所述缓冲氮化物层上铺设所述纳米氧化硅,并形成所述纳米氧化硅层。4.如权利要求1所述的显示面板的制程,其特征在于,所述在所述多晶硅层上铺设栅极氧化物,形成栅极氧化物层的步骤之后还包括:在所述栅极氧化物层上铺设栅极线。5...
【专利技术属性】
技术研发人员:卓恩宗,田轶群,
申请(专利权)人:惠科股份有限公司,重庆惠科金渝光电科技有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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