显示面板的制造方法和显示面板技术

本发明专利技术公开了一种显示面板的制造方法和显示面板，属于显示技术领域。所述方法包括：在形成有第一膜层结构的衬底基板上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成过孔；在形成有所述绝缘层的衬底基板上形成接触电极和第二膜层结构，所述接触电极位于所述过孔内，使得所述第一膜层结构、所述第二膜层结构及所述接触电极三者之间均构成电连接。本发明专利技术通过在过孔处形成接触电极，以接触电极来连接两个膜层结构，解决了相关中两个膜层结构可能在过孔处断开的问题。达到了位于绝缘层两侧的两个膜层结构能够稳定的形成电连接的效果。

Manufacturing method of display panel and display panel

The invention discloses a manufacturing method of a display panel and a display panel, belonging to the display technology field. The method comprises: an insulating layer formed on the first substrate layer structure in forming; forming holes on the insulating layer; forming a contact electrode and the second layer structure of the substrate in the insulating layer is formed on the contact electrode is positioned in the through hole, between the first. The film structure, the second layer structure and the contact electrodes three are connected. By forming contact electrodes at the through hole, the contact electrode is used to connect the two film structures, and the problem that the two film structures in the correlation may be broken at the through hole is solved. The two film layers on the two sides of the insulating layer are arranged, and the effect of the electric connection can be stably formed.

【技术实现步骤摘要】
显示面板的制造方法和显示面板
本专利技术涉及显示
，特别涉及一种显示面板的制造方法和显示面板。
技术介绍
显示面板通常包括有多个膜层结构，在制造显示面板的过程中，存在要将位于绝缘层两侧的膜层结构电连接的情况。相关技术中有一种显示面板的制造方法，该方法包括：1、在衬底基板上形成第一膜层结构；2、在形成有第一膜层结构的衬底基板上形成绝缘层；3、通过刻蚀的方式在绝缘层上形成过孔，该过孔使所述第一膜层结构露出；4、在形成有绝缘层的衬底基板上形成像素电极，该像素电极在过孔处与所述第一膜层结构电连接。其中，第一膜层结构和第二膜层结构为位于绝缘层两端且被设计为构成电连接的两个结构。在实现本专利技术的过程中，专利技术人发现现有技术至少存在以下问题：在通过刻蚀的方式在绝缘层上形成过孔时，可能会由于刻蚀液在平行于绝缘层表面的方向对绝缘层的刻蚀不均匀而对绝缘层的底部过度刻蚀，形成底切(undercut)现象，进而导致像素电极在过孔处极易断裂。如图1所示，其为存在底切现象的衬底基板的结构示意图，绝缘层12形成于第一膜层结构11上，第二膜层结构13形成于绝缘层12上，绝缘层12上形成有过孔K，在过孔K中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示面板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在形成有第一膜层结构的衬底基板上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成过孔；在形成有所述绝缘层的衬底基板上形成接触电极和第二膜层结构，所述接触电极位于所述过孔内，使得所述第一膜层结构、所述第二膜层结构及所述接触电极三者之间均构成电连接。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板的制造方法，其特征在于，所述方法包括：在形成有第一膜层结构的衬底基板上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成过孔；在形成有所述绝缘层的衬底基板上形成接触电极和第二膜层结构，所述接触电极位于所述过孔内，使得所述第一膜层结构、所述第二膜层结构及所述接触电极三者之间均构成电连接。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层为钝化层，所述在形成有第一膜层结构的衬底基板上形成绝缘层之前，所述方法包括：在所述衬底基板上形成多个薄膜晶体管，所述第一膜层结构为所述多个薄膜晶体管中的漏极所形成的漏极图案。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述绝缘层的衬底基板上形成接触电极和第二膜层结构，包括：在形成有所述绝缘层的衬底基板上形成像素电极层；在形成有所述像素电极层的衬底基板上形成接触导电层；在形成有所述接触导电层的衬底基板上形成光刻胶图案，所述光刻胶图案包括第一光刻胶区、第二光刻胶区和光刻胶完全去除区，且所述第一光刻胶区的光刻胶厚度大于所述第二光刻胶区的光刻胶厚度；去除与所述光刻胶完全去除区对应的接触导电层和所述光刻胶完全去除区对应的像素电极层，得到像素电极图案，所述像素电极图案为所述第二膜层结构；去除所述第二光刻胶区的光刻胶；去除所述第二光刻胶区对应的接触导电层，得到所述接触电极。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述接触导电层的衬底基板上形成光刻胶...

【专利技术属性】
技术研发人员：李贺飞，王铖铖，刘天真，段献学，安晖，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，合肥京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11