The invention discloses a ceramic substrate for circuit board and preparation method thereof, which comprises a ceramic base layer and copper layer between the ceramic base and the copper layer is arranged to connect the hot melt layer and the copper layer of the ceramic base, compared with the existing technology in sintering and sputtering method, can achieve in the phase of copper and a ceramic base low temperature pressing, avoid high temperature sintering expansion phenomenon, but also avoid the oxidation phenomenon of watermark sputtering, can better protect the quality of ceramic substrate.
【技术实现步骤摘要】
一种用于电路板的陶瓷基板及其制作方法
本专利技术涉及电路板制作领域,特别是一种用于电路板的陶瓷基板及其制作方法。
技术介绍
陶瓷电路板,一般由陶瓷基层、铜层及阻焊层组成,其中陶瓷基层一般由热导率最高的纯陶瓷制成,但目前行业内纯陶瓷均无法直接压铜,若无铜则难以形成电路板,现有在纯陶瓷上形成铜层的方法有两种:一种是烧结,烧结需要采用850~1300℃的高温进行,过高的温度对材料的涨缩影响很大;另一种是溅射,溅射的铜层厚度一般很薄,为1um左右,需转电镀加厚,在转运的过程中容易氧化形成水印,且加镀的均匀性难以保障。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的上述技术问题之一,提供一种能够在相对较低温度下实现铜与陶瓷基层的压合的陶瓷基板及其制作方法。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种用于电路板的陶瓷基板,包括陶瓷基层和铜层,所述陶瓷基层和铜层之间设置有用以连接陶瓷基层和铜层的热熔层。进一步的,所述热熔层由陶瓷粉和可热熔填料混合而成。进一步的,所述可热熔填料由氮化铝和硅胶混合而成。本专利技术还提供一种用于制作上述陶瓷基板的方法,其特征在于:包括以下步骤a.将含有陶瓷粉的可热熔填料涂于陶瓷基层的表面;b.将可热熔填料的上表面覆盖铜层;c.将陶瓷基层、热熔层和铜层在100℃下压合10min;d.将陶瓷基层、热熔层和铜层在120℃下压合10min;e.将陶瓷基层、热熔层和铜层在150℃~180℃下压合10min。进一步的,所述可热熔填料由50~70%的氮化铝和30~50%的硅胶组成。进一步的,陶瓷基层、热熔层和铜层采用真空压机进行压合。本专利技 ...
【技术保护点】
一种用于电路板的陶瓷基板,包括陶瓷基层(1)和铜层(2),其特征在于:所述陶瓷基层(1)和铜层(2)之间设置有用以连接陶瓷基层(1)和铜层(2)的热熔层(3)。
【技术特征摘要】
1.一种用于电路板的陶瓷基板,包括陶瓷基层(1)和铜层(2),其特征在于:所述陶瓷基层(1)和铜层(2)之间设置有用以连接陶瓷基层(1)和铜层(2)的热熔层(3)。2.根据权利要求1所述的一种用于电路板的陶瓷基板,其特征在于:所述热熔层(3)由陶瓷粉和可热熔填料混合而成。3.根据权利要求2所述的一种用于电路板的陶瓷基板,其特征在于:所述可热熔填料由氮化铝和硅胶混合而成。4.一种用于制作上述陶瓷基板的方法,其特征在于:包括以下步骤a.将含有陶瓷粉的可热熔填料涂于陶瓷基层(1)的表面;...
【专利技术属性】
技术研发人员:张志龙,
申请(专利权)人:鹤山市中富兴业电路有限公司,
类型:发明
国别省市:广东,44
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