多重基底制造技术

本发明专利技术涉及一种多重基底，其具有陶瓷板或陶瓷层(21)，所述陶瓷板或陶瓷层形成至少两个彼此紧邻的并且彼此一体连接的单个基底(22，31，36，46，47)，所述单个基底通过至少一条在单个基底(22，31，36，46，47)之间延伸的切割线(32，37，41，42，48，49)彼此隔开，其中，陶瓷层(21)的第一边缘(24)沿着第一延伸方向(25)延伸，并且陶瓷层(21)的第二边缘(26)沿着第二延伸方向(27)延伸，所述第一单个基底(22)沿着两个延伸方向(25，27)中的一个延伸方向的至少一个最长延伸不同于所述第二单个基底(31，36，46，47)沿着相同的延伸方向(25，27)的最长延伸。

【技术实现步骤摘要】
多重基底
本专利技术涉及一种根据权利要求1的前序部分所述的多重基底。
技术介绍
公知的是，在多重用途部分(Mehrfachnutzen)中制造基底，特别也是制造具有由陶瓷、例如氧化铝陶瓷构成的绝缘层或载体层的基底，也就是说，通过将数个单个基底制造在共同的绝缘层和载体层上作为多重基底并且也装备电子元件，其中，多重基底接着被分离成或分成单个基底以用于其他应用。这种分离特别是在多重基底具有由陶瓷构成的绝缘层和载体层的情况下通过特别是借助于激光沿着由单个基底限界的切割线切割和/或通过沿着切割线或应断开线断开来实现。这种多重基底例如在DE19504378A1、DE4444680A1和DE9310299U1中被描述。前述的陶瓷基底被用于制造电路、特别是功率电路，并且通常在至少一个表面侧上设有金属化层，所述金属化层在使用蚀刻技术的情况下这样结构化，以使得所述金属化层形成对于电路所需要的印刷电路、接触面以及类似的结构。为了合理地制造电路而公知的是，在多重用途部分中进行所述电路的制造，也就是说，特别是将金属面结构化用于实现所需的印刷电路、接触面以及类似的结构，然而也在多重用途部分上装备电子元件，所述多重用途部分接着在完成结构化或装备之后分成相应的单个基底。公知的多重基底通常具有矩形的、平面的形状，在所述多重基底上矩阵式或棋盘式地布置有多个在外部尺寸上相同构造的并且相同定向的单个基底。在通常的情况中，多重基底在长度和宽度方向上的尺寸不是恰好相应于单个基底的相应长度尺寸或宽度尺寸的整数倍，不能使用多重基底的整个面来布置单个基底。由此，多重基底具有下述的基底区域，所述基底区域不可用于制造单个基底并且相应地在制造中损失。
技术实现思路
在这种背景下，本专利技术的任务在于，提出一种多重基底，所述多重基底避免了前述的缺点并且实现更好地、更优化地使用由多重基底提供的基底面。该任务通过一种具有权利要求1的特征的多重基底解决。从属权利要求公开了本专利技术其他特别有利的设计方案。需要指出的是，在下述说明书中单独实施的特征能够以技术上有意义的任意方式彼此组合，并且表明本专利技术的其他设计方案。说明书特别是结合附图附加地表征和规定本专利技术。此外需要指出的是，以下描述的专利技术能够应用于任何种类的基底，例如AlN(氮化铝)、Si3N4(氮化硅)、Al2O3(氧化铝)和类似的种类。此外，基底能够以金属化层、例如Cu(铜)或Al(铝)涂覆。在此，金属化层可以通过不同的方法、例如通过AMP(ActiveMetalBrazing，活性金属钎焊)、DCB(DirectCopperBonding，直接键合铜)、DAB(DirectAluminumBonding，直接键合铝)、厚涂层方法和类似的方法施加到基底的至少一个表面侧上。在此特别优选的是DCB和AMB陶瓷基底。在这里，术语“基底”在下文中用作所有前述基底类型的同义词。根据本专利技术，多重基底具有陶瓷板或陶瓷层，所述陶瓷板或陶瓷层形成至少两个彼此紧邻的并且彼此一体连接的单个基底。至少两个单个基底通过至少一条在单个基底之间延伸的切割线彼此隔开。在此，切割线应理解为如下的线，在随后的分离步骤中沿着该线将多重基底切割和/或断开，以便使单个基底彼此分开。陶瓷层的第一边缘沿着第一延伸方向延伸，并且陶瓷层的第二边缘沿着第二延伸方向延伸。在矩形的多重基底的情况中，这两个延伸方向彼此垂直。根据本专利技术优选的是矩形的多重基底，但是应当理解，本专利技术同样可以应用于具有其他基本形状的多重基底。根据本专利技术，第一单个基底沿着这两个延伸方向中的一个延伸方向的至少一个最长延伸不同于第二单个基底沿着相同的延伸方向的最长延伸。例如这意味着，在第一单个基底和第二单个基底是正方形或圆形形状的情况下，所述单个基底根据前述条件必须具有不同的尺寸。与此相反地，如果第一单个基底和第二单个基底具有相同的形状、例如矩形的形状并且具有相同的大小、即相同的外部尺寸，则这两个单个基底中的一个单个基底必须相对于另一个单个基底旋转，优选转过+/-90度，以便满足前述的条件。由此在这两种情况中可能的是，通过转动第二单个基底和/或通过缩小第二单个基底，将如开头所述的在根据现有技术的多重基底中会损失的基底区域同样用于制造单个基底。总之，由此可以高效地使用由多重基底提供的基底面，因此特别是也可以降低单个基底的制造成本，因为与现有技术相比每个多重基底可以制造更多的单个基底。本专利技术的一个有利的设计方案设置，第一单个基底和第二单个基底关于其外部尺寸设计为相同大小的，然而第二单个基底相对于第一单个基底转过+/-90度。由此，与所有单个基底的矩阵状的相同定向的布置的情况相比，可以将更多的具有相同的大小和形状的、优选矩形的单个基底布置在多重基底所提供的基底面上。本专利技术的有利的替换方案设置，第一单个基底和第二单个基底关于其外部尺寸设计为不同大小的。由此，与相同大小的单个基底的矩阵状的相同定向的布置的情况相比，也可以将更多的单个基底布置在多重基底所提供的基底面上。根据本专利技术的另一个有利的设计方案，在第一单个基底和第二单个基底之间延伸地布置两条切割线，所述切割线具有相对彼此至少2mm、优选4mm的均匀间距。由此避免第一单个基底和第二单个基底之间T形地彼此邻接的切割线，因为该切割线在分开单个基底期间沿着切割线切割时会导致相应的T形的接触部位上的切口。单个基底上的所述切口会不利地降低其机械稳定性。本专利技术的另一个有利的设计方案设置，至少一个能光学识别的匹配标志被设置在第一单个基底和/或第二单个基底上。在此可以将匹配标志不仅布置在单个基底的正面上而且布置在背面上。匹配标志在单个基底上的布置实现了通过单个基底完全地使用由多重基底所提供的整个基底面。匹配标志在多重基底的全部加工步骤中都用于为相应的加工步骤正确地定向，加工步骤例如是：将金属化层、例如铜施加到单个基底上；将金属化层结构化成印制导线和接触面等；给单个基底装配电子元件以及类似的元件。优选地，至少一个匹配标志设计为施加到单个基底上的金属化层、例如铜的完全蚀刻部例如设计为圆形的完全蚀刻部。此外优选地，完全蚀刻部由至少1mm的金属化层围绕以更好地光学识别。根据本专利技术的另一个有利的设计方案，第一单个基底包括多个关于其外部尺寸相同大小的、相同定向地并且相连地布置的第一单个基底。在这个设计方案中，第二单个基底同样包括多个关于其外部尺寸相同大小的、相同定向地并且相连地布置的第二单个基底。换句话说，不仅多个第一单个基底而且多个第二单个基底分别矩阵式地、即分别相同大小地并且相同定向地布置在多重基底上。在此，第二单个基底如前所述地设计为与第一单个基底不同的和/或在多重基底上不同定向的，以便更高效地、在最佳情况中完全地使用由多重基底所提供的基底面。此外，多重基底的两个子区域(在这两个子区域中或者存在多个第一单个基底或者存在多个第二单个基底)可以在之后的加工步骤中彼此分开，例如通过沿着将第一单个基底与第二单个基底隔开的切割线激光切割和/或断开，并且彼此分开地、然而自身还相连地进一步加工，以便还进一步提高制造单个基底时的效率。本专利技术的另一个有利的设计方案设置，除了第一单个基底和第二单个基底以外还设置至少一个另外的单个基底，其中，第一单个基底沿着这两个延伸方向中的一个延伸方向的至少一个最本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种多重基底，具有陶瓷板或陶瓷层(21)，所述陶瓷板或陶瓷层形成至少两个彼此紧邻的并且彼此一体连接的单个基底(22，31，36，46，47)，所述单个基底通过至少一条在所述单个基底(22，31，36，46，47)之间延伸的切割线(32，37，41，42，48，49)彼此隔开，其中，所述陶瓷层(21)的第一边缘(24)沿着第一延伸方向(25)延伸，并且所述陶瓷层(21)的第二边缘(26)沿着第二延伸方向(27)延伸，其特征在于，所述第一单个基底(22)沿着两个延伸方向(25，27)中的一个延伸方向的至少一个最长延伸不同于所述第二单个基底(31，36，46，47)沿着相同的延伸方向(25，27)的最长延伸。

【技术特征摘要】
2016.02.26 EP 16157519.61.一种多重基底，具有陶瓷板或陶瓷层(21)，所述陶瓷板或陶瓷层形成至少两个彼此紧邻的并且彼此一体连接的单个基底(22，31，36，46，47)，所述单个基底通过至少一条在所述单个基底(22，31，36，46，47)之间延伸的切割线(32，37，41，42，48，49)彼此隔开，其中，所述陶瓷层(21)的第一边缘(24)沿着第一延伸方向(25)延伸，并且所述陶瓷层(21)的第二边缘(26)沿着第二延伸方向(27)延伸，其特征在于，所述第一单个基底(22)沿着两个延伸方向(25，27)中的一个延伸方向的至少一个最长延伸不同于所述第二单个基底(31，36，46，47)沿着相同的延伸方向(25，27)的最长延伸。2.根据权利要求1所述的多重基底，其特征在于，所述第一单个基底(22)和所述第二单个基底(31)在所述第一单个基底和所述第二单个基底的外部尺寸方面设计为相同大小的，然而所述第二单个基底(31)相对于所述第一单个基底(22)转过+/-90度。3.根据权利要求1所述的多重基底，其特征在于，所述第一单个基底(22)和所述第二单个基底(36，46，47)在所述第一单个基底和所述第二单个基底的外部尺寸方面设计为不同大小的。4.根据前述权利要求中任一项所述的多重基底，其特征在于，在所述第一单个基底(22)和所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：A·罗特，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE