【技术实现步骤摘要】
多重基底
本专利技术涉及一种根据权利要求1的前序部分所述的多重基底。
技术介绍
公知的是,在多重用途部分(Mehrfachnutzen)中制造基底,特别也是制造具有由陶瓷、例如氧化铝陶瓷构成的绝缘层或载体层的基底,也就是说,通过将数个单个基底制造在共同的绝缘层和载体层上作为多重基底并且也装备电子元件,其中,多重基底接着被分离成或分成单个基底以用于其他应用。这种分离特别是在多重基底具有由陶瓷构成的绝缘层和载体层的情况下通过特别是借助于激光沿着由单个基底限界的切割线切割和/或通过沿着切割线或应断开线断开来实现。这种多重基底例如在DE19504378A1、DE4444680A1和DE9310299U1中被描述。前述的陶瓷基底被用于制造电路、特别是功率电路,并且通常在至少一个表面侧上设有金属化层,所述金属化层在使用蚀刻技术的情况下这样结构化,以使得所述金属化层形成对于电路所需要的印刷电路、接触面以及类似的结构。为了合理地制造电路而公知的是,在多重用途部分中进行所述电路的制造,也就是说,特别是将金属面结构化用于实现所需的印刷电路、接触面以及类似的结构,然而也在多重用途部分上 ...
【技术保护点】
一种多重基底,具有陶瓷板或陶瓷层(21),所述陶瓷板或陶瓷层形成至少两个彼此紧邻的并且彼此一体连接的单个基底(22,31,36,46,47),所述单个基底通过至少一条在所述单个基底(22,31,36,46,47)之间延伸的切割线(32,37,41,42,48,49)彼此隔开,其中,所述陶瓷层(21)的第一边缘(24)沿着第一延伸方向(25)延伸,并且所述陶瓷层(21)的第二边缘(26)沿着第二延伸方向(27)延伸,其特征在于,所述第一单个基底(22)沿着两个延伸方向(25,27)中的一个延伸方向的至少一个最长延伸不同于所述第二单个基底(31,36,46,47)沿着相同的延伸 ...
【技术特征摘要】
2016.02.26 EP 16157519.61.一种多重基底,具有陶瓷板或陶瓷层(21),所述陶瓷板或陶瓷层形成至少两个彼此紧邻的并且彼此一体连接的单个基底(22,31,36,46,47),所述单个基底通过至少一条在所述单个基底(22,31,36,46,47)之间延伸的切割线(32,37,41,42,48,49)彼此隔开,其中,所述陶瓷层(21)的第一边缘(24)沿着第一延伸方向(25)延伸,并且所述陶瓷层(21)的第二边缘(26)沿着第二延伸方向(27)延伸,其特征在于,所述第一单个基底(22)沿着两个延伸方向(25,27)中的一个延伸方向的至少一个最长延伸不同于所述第二单个基底(31,36,46,47)沿着相同的延伸方向(25,27)的最长延伸。2.根据权利要求1所述的多重基底,其特征在于,所述第一单个基底(22)和所述第二单个基底(31)在所述第一单个基底和所述第二单个基底的外部尺寸方面设计为相同大小的,然而所述第二单个基底(31)相对于所述第一单个基底(22)转过+/-90度。3.根据权利要求1所述的多重基底,其特征在于,所述第一单个基底(22)和所述第二单个基底(36,46,47)在所述第一单个基底和所述第二单个基底的外部尺寸方面设计为不同大小的。4.根据前述权利要求中任一项所述的多重基底,其特征在于,在所述第一单个基底(22)和所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:A·罗特,
申请(专利权)人:英飞凌科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:德国,DE
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