倒装高压LED芯片的制备方法技术

本发明专利技术涉及LED芯片工艺领域，公开了一种倒装高压LED芯片的制备方法，包括在外延层上进行刻蚀形成隔离沟槽和N电极沟槽以形成Mesa平台，在Mesa平台上生长欧姆接触层并在其上形成反射层，深刻蚀隔离沟槽形成隔离道，形成第一隔离层并在其上形成第一P导电通道和第一N导电通道，制作连接层，制作第二隔离层并在其上形成第二P导电通道和第二N导电通道，制作焊接用的P焊垫和N焊垫，制作chip。本发明专利技术可以同时避开P电极上导电层吸收光和电极焊垫遮光，降低驱动电压及提高光强；减少电压转换时的能量损失，缓解电流积聚，便于光学设计；在同样光通量的情况下，比正装芯片的光效约高20％—30％左右。

Method for preparing flip chip high voltage LED chip

The present invention relates to the field of LED chip technology, and discloses a preparation method for high voltage LED flip chip, including etching in the epitaxial layer formed on the isolation trench and N electrode trench to form a Mesa platform, the growth of the ohmic contact layer on the Mesa platform and a reflection layer on the etched isolation trench isolation. The formation of the first insulating layer and forming a first conductive channel and the first N P in the conductive channel, making the connection layer, making second isolation layer and the formation of second P and second N conductive channel in the conductive channel, making for the welding of the P pad and N pad, chip. The invention can also avoid the conductive layer on a P electrode and an electrode pad absorbs light shading, reducing the driving voltage and improve the light intensity; energy loss decreased when the voltage is switched, alleviate the current accumulation for optical design; in the same flux under the condition of light efficiency is 20% higher than - 30% dress chip around.

【技术实现步骤摘要】
倒装高压LED芯片的制备方法
本专利技术涉及LED芯片的制作工艺领域，特别涉及一种倒装高压LED芯片的制备方法。
技术介绍
作为节能领域的支柱产业，LED行业从发展之初就受到政府的大力扶持。随着投资LED行业产能的不断增加，LED芯片的需求呈现出饱和趋势，导致市场对处于LED行业上游领域芯片成本要求越来越高。为了适应市场的需求，高良率、低成本、高光效成为LED芯片研发的重点。传统的蓝宝石衬底GaN芯片结构，P、N电极刚好位于芯片的出光面，在这种结构中，小部分p-GaN层和“发光”层被刻蚀，以便与下面的n-GaN层形成电接触；光从最上面的p-GaN层取出。p-GaN层有限的电导率要求在p-GaN层表面再沉淀一层电流扩散的导电层，这个电流扩散层会吸收部分光，从而降低芯片的出光效率；为了减少发射光的吸收，电流扩展层的厚度应减少到几百纳米，厚度的减少反过来又限制了电流扩散层在p-GaN层表面均匀和可靠地扩散大电流的能力。因此这种p型接触结构制约了LED芯片的工作功率，同时pn结的热量通过蓝宝石衬底导出去，导热路径较长，且蓝宝石的热导系数较金属低(为35W/mK)，因此，这种结构的LED芯片热本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种倒装高压LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供具有n个芯片单元区域A1、A2······An的透光衬底(1001)，一个所述倒装高压LED芯片A由m个所述芯片单元区域A1、A2······Am首尾串联而成，其中，n≥2，2≤m≤n；S2：在所述透光衬底(1001)上生长外延层；S3：在各所述芯片单元区域上同时刻蚀出隔离沟槽(1002)和N电极沟槽(1003)以形成Mesa平台(1004)；S4：在各所述Mesa平台(1004)的上表面形成欧姆接触层(1005)；S5：在各所述欧姆接触层(1005)上表面形成反射层(1006)；S6：刻蚀所述隔离沟槽(1002)至其底部暴...

【技术特征摘要】
1.一种倒装高压LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：提供具有n个芯片单元区域A1、A2······An的透光衬底(1001)，一个所述倒装高压LED芯片A由m个所述芯片单元区域A1、A2······Am首尾串联而成，其中，n≥2，2≤m≤n；S2：在所述透光衬底(1001)上生长外延层；S3：在各所述芯片单元区域上同时刻蚀出隔离沟槽(1002)和N电极沟槽(1003)以形成Mesa平台(1004)；S4：在各所述Mesa平台(1004)的上表面形成欧姆接触层(1005)；S5：在各所述欧姆接触层(1005)上表面形成反射层(1006)；S6：刻蚀所述隔离沟槽(1002)至其底部暴露所述透光衬底(1001)的上表面以形成隔离道(1007)；S7：在所述反射层(1006)、所述隔离道(1007)和所述N电极沟槽(1003)上形成第一隔离层(1008)；S8：图形化所述第一隔离层(1008)，以在每个所述N电极沟槽(1003)正上方形成第一N导电通道(1009)、在每个所述Mesa平台(1004)正上方形成第一P导电通道(1010)；S9：制作能够分别将各所述A中的A1、A2······Am首尾串联的连接层(1011)；S10：在所述连接层(1011)和所述第一隔离层(1008)上形成第二隔离层(1012)；S11：图形化所述第二隔离层(1012)以在各所述A中A1的第一P导电通道(1010)正上方形成第二P导电通道(1013)、在各所述A中Am的第一N导电通道(1009)正上方形成第二N导电通道(1014)；S12：制作分别覆盖各所述第二P导电通道(1013)和各所述第二N导电通道(1014)的P焊垫(1015)和N焊垫(1016)；S13：将各所述A制作成chip。2.根据权利要求1所述的倒装高压LED芯片的制备方法，其特征在于，所述外延层自下而上依次为缓冲层Buffer(1017)、N型半导体层N-GaN(1018)、发光层MQW(1019)和P型半导体层P-GaN(1020)。3.根据权利要求2所述的倒装高压LED芯片的制备方法，其特征在于，在所述S3中，所述隔离沟槽(1002)位于各所述芯片单元区域的边缘四周，所述N电极沟槽(1003)位于各所述芯片单元区域的N电极位置，每个所述芯片单元区域中除所述隔离沟槽(1002)和所述N电...

【专利技术属性】
技术研发人员：李智勇，张向飞，刘坚，
申请(专利权)人：淮安澳洋顺昌光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32