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本发明涉及LED芯片工艺领域，公开了一种倒装高压LED芯片的制备方法，包括在外延层上进行刻蚀形成隔离沟槽和N电极沟槽以形成Mesa平台，在Mesa平台上生长欧姆接触层并在其上形成反射层，深刻蚀隔离沟槽形成隔离道，形成第一隔离层并在其上形成第...
该专利属于淮安澳洋顺昌光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过淮安澳洋顺昌光电技术有限公司授权不得商用。

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