用于管理EEPROM存储器存取晶体管的击穿的装置和方法制造方法及图纸

提供了一种非易失性电可擦除和可编程存储器类型的存储器装置，包括，连接至位线(BL)的存储器单元(CEL)的矩阵存储板(PM)，配置用以选择存储器单元(CEL)并施加编程脉冲(VSBL)至对应位线(BL)的编程装置(MPR)。根据通常特征，存储板(PM)位于处于浮置电势的局部阱(PW)中，并且编程装置(MPR)配置用于增加所述局部阱(PW)的电势而同时施加编程脉冲至已被选存储器单元(CEL)的位线(BL)。

【技术实现步骤摘要】
用于管理EEPROM存储器存取晶体管的击穿的装置和方法
本专利技术的各个实施例涉及存储器，特别是电可擦除和可编程(EEPROM)类型的非易失性存储器。
技术介绍
在EEPROM存储器中，位元的逻辑值存储在存储器单元中，存储器单元通常包括存取晶体管以及具有控制栅极和浮置栅极的状态晶体管。浮置栅极晶体管的编程或擦除存在于借由可以为10至20伏、通常13伏量级的高电压脉冲Vp通过隧穿效应(“福勒-诺德海姆效应”)而将电荷注入至晶体管的栅极中或者从晶体管的栅极抽出。编写EEPOM存储器所必需的该13伏的高电压无法减小，并且施加了关于技术工艺和产品可靠性的紧密约束。实际上，光刻缩减(换言之增加刻蚀分辨率)导致工作电压降低，并且该高编写电压变为关于从晶体管的源/漏结的去往通常连接至接地的衬底的击穿或泄漏的显著问题。晶体管的泄漏和过早老化的这些风险对于产品的可靠性具有直接影响，并且可应用的最大高电压Vp受限于存储器单元的稳健性。因此，电压Vp对于正确发生的擦除和编程操作可以不足，从而正确地发生，或者存储器单元可以甚至退化。此外，当电压Vp接近所讨论的部件允许的最大电压时，通常由于雪崩效应而出现大的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种非易失性电可擦除和可编程存储器类型的存储器装置，包括连接至位线(BL)的存储器单元(CEL)的矩阵存储板(PM)，被配置用于选择存储器单元(CEL)并施加编程脉冲(VSBL)至对应的位线(BL)的编程装置(MPR)，其特征在于，所述存储板(PM)位于处于浮置电势的局部阱(PW)中，并且所述编程装置(MPR)被配置用于增加所述局部阱(PW)的电势并同时施加所述编程脉冲至所选的存储器单元(CEL)的位线(BL)。

【技术特征摘要】
2016.02.18 FR 16513011.一种非易失性电可擦除和可编程存储器类型的存储器装置，包括连接至位线(BL)的存储器单元(CEL)的矩阵存储板(PM)，被配置用于选择存储器单元(CEL)并施加编程脉冲(VSBL)至对应的位线(BL)的编程装置(MPR)，其特征在于，所述存储板(PM)位于处于浮置电势的局部阱(PW)中，并且所述编程装置(MPR)被配置用于增加所述局部阱(PW)的电势并同时施加所述编程脉冲至所选的存储器单元(CEL)的位线(BL)。2.根据权利要求1所述的装置，包括至少一个虚设位线(DBL)，经由PN结(JPN)连接至所述局部阱(PW)。3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述编程装置(MPR)被配置用于通过使得反向电流在所述PN结(JPN)中流动来增加所述局部阱(PW)的电势。4.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述编程装置(MPR)被配置用于施加最小非零电压至未被选择的存储器单元的位线(BL)并同时施加所述编程脉冲(VSBL)至所选的存储器单元的位线(BL)。5.根据前述权利要求中任一项所述的装...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·塔耶特，
申请(专利权)人：意法半导体鲁塞公司，
类型：发明
国别省市：法国,FR