存储器的读取方法与存储器装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种存储器的多个存储器单元的一目标字线的读取数据方法及存储器装置。该读取数据方法包括：决定该目标字线的一干扰状态；该干扰状态反映一相邻字线对该目标字线的这些存储器单元的一干扰；该方法更包括：根据该目标字线的该干扰状态，决定该目标字线的一读取电压；以及施加该读取电压至该目标字线的这些存储器单元。

【技术实现步骤摘要】
存储器的读取方法与存储器装置
本案是有关于一种存储器的多个存储器单元的一目标字线的读取数据方法及存储器装置，且特别是有关于一种根据干扰状态来调整读取阈值电压的方法及存储器装置。
技术介绍
在半导体存储器中，存储器单元的阈值电压改变可通过改变在存储器单元的储存层内所储存的电荷量而达成。因而，通过储存不同电荷量，存储器单元可储存不同数据。例如，对于单位存储器单元，储存层内没有电荷的状态可代表逻辑0或1，而储存层内有电荷的状态可代表逻辑1或0。以另一例来说，在多位存储器单元中，例如，双位存储器单元，通过储存不同电荷量，不同状态可代表逻辑00，01，10与11。不同状态下的存储器单元具有不同阈值电压。因为，为决定存储器单元中所储存的数据，读取电压(高于在低临界状态下的阈值电压但低于高临界状态下的阈值电压)被施加至存储器单元，以决定此存储器单元是否已被编程至高临界状态。将数据存在半导体存储器的存储器单元内的过程也称为「编程(programming)」。在半导体存储器的编程过程中，编程电压施加至存储器单元，以将电荷注入至各存储器单元的储存层，将这些存储器单元编程至高临界态。然而，因为在半导体存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器的多个存储器单元的一目标字线的读取数据方法，包括：决定该目标字线的一干扰状态，该干扰状态反映一相邻字线对该目标字线的这些存储器单元的一干扰；根据该目标字线的该干扰状态，决定该目标字线的一读取电压；以及施加该读取电压至该目标字线的这些存储器单元。

【技术特征摘要】
1.一种存储器的多个存储器单元的一目标字线的读取数据方法，包括：决定该目标字线的一干扰状态，该干扰状态反映一相邻字线对该目标字线的这些存储器单元的一干扰；根据该目标字线的该干扰状态，决定该目标字线的一读取电压；以及施加该读取电压至该目标字线的这些存储器单元。2.根据权利要求1所述的方法，其中，决定该目标字线的该干扰状态包括：决定该相邻字线的一编程状态；以及该方法更包括：产生一指令串，该指令串包括该目标字线的一读取指令与相关于该目标字线的该读取指令的至少一特殊指令，该至少一特殊指令代表该目标字线的一读取操作要被执行于一不同读取模式。3.根据权利要求2所述的方法，其中，产生该指令串包括：产生一前置指令以当成该至少一特殊指令，该前置指令位于该目标字线的该读取指令之前。4.根据权利要求2所述的方法，其中，产生该指令串包括：产生一模式进入指令与一模式退出指令以当成该至少一特殊指令，在该指令串中，该模式进入指令位于该目标字线的该读取指令之前，而该模式退出指令位于该目标字线的该读取指令之后。5.根据权利要求2所述的方法，其中，决定该相邻字线的该编程状态包括：读取一编程标识以决定该相邻字线的该编程状态，该编程标识编码于该相邻字线的多个冗余存储器单元之内；以及读取该编程标识包括：检查该相邻字线的已编程冗余存储器单元的一数量或已擦除冗余存储器单元的一数量的至少一者。6.根据权利要求2所述的方法，其中，该存储器包括一双位存储器，以及决定该相邻字线的该编程状态包括：决定该相邻字线的一最低有效位(LSB)页是否已被编程，与决定该相邻字线的一最高有效位(MSB)页是否已被编程。7.根据权利要求1所述的方法，其中，该存储器更包括多个冗余存储器单元，分别相关于该目标字线与该相邻字线；各该目标字线与各该相邻字线的这些冗余存储器单元分成至少一已擦除群组与至少一已编程群组，在该至少一已擦除群组内的这些冗余存储器单元处于一擦除状态，而在该至少一已编程群组内的这些冗余存储器单元处于一编程状态，该至少一已擦除群组与该至少一已编程群组交替排列；该目标字线的该至少一已擦除群组与该至少一已编程群组的排列，与该相邻字线的该至少一已擦除群组与该至少一已编程群组的排列，彼此相反；以及决定该目标字线的该干扰状态包括：读取该目标字线的该至少一擦除群组内的一冗余存储器单元的一实际编程状态；以及根据该目标字线的该至少一擦除群组内的该冗余存储器单元的该实际编程状态来决定该目标字线的该干扰状态。8.一种存储器装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪俊雄，阮士洲，郭乃萍，刘亦峻，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71