光掩模和使用该光掩模制造半导体器件的方法技术

一种光掩模包括：中间掩模衬底；设置在中间掩模衬底上并限定在半导体衬底上实现的光致抗蚀剂图案的主图案；以及与主图案相邻的抗反射图案。彼此相邻的一对抗反射图案之间的距离是第一长度，并且所述一对抗反射图案中的至少一个的宽度是第二长度。第一长度和第二长度之和等于或小于由曝光工艺的分辨率限定的最小间距。主图案和最靠近主图案的抗反射图案之间的距离等于或小于第一长度。

【技术实现步骤摘要】
光掩模和使用该光掩模制造半导体器件的方法
实施例涉及光掩模和使用该光掩模制造半导体器件的方法。
技术介绍
半导体器件由于其小尺寸、多功能特性和低制造成本而广泛地用于电子工业中。半导体器件可以被分类为存储逻辑数据的半导体存储器件、处理逻辑数据的操作的半导体逻辑器件、以及执行各种功能的混合半导体器件中的任何一个。随着电子工业的发展，越来越多地需要高集成和高速的半导体器件。然而，由于这样高的集成度和高速度，出现了各种问题(例如，定义精细图案的曝光工艺的裕度减小)。
技术实现思路
一个或更多个实施例可以提供一种光掩模，该光掩模可以包括：中间掩模衬底(reticlesubstrate)；设置在中间掩模衬底上的主图案，主图案限定在半导体衬底上实现的光致抗蚀剂图案；以及与主图案相邻的抗反射图案。彼此相邻的一对抗反射图案之间的距离可以是第一长度，并且该对抗反射图案中的至少一个的宽度可以是第二长度。第一长度和第二长度之和可以等于或小于曝光工艺的分辨率。主图案与最靠近主图案的抗反射图案之间的距离可以等于或小于第一长度。一个或更多个实施例可以提供一种用于制造半导体器件的方法，该方法可以包括：在半导体衬底上形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光掩模，包括：中间掩模衬底；在所述中间掩模衬底上的主图案，所述主图案限定将要在半导体衬底上实现的光致抗蚀剂图案；和与所述主图案相邻的抗反射图案，其中，彼此相邻的一对抗反射图案之间的距离是第一长度，所述一对抗反射图案中的至少一个的宽度是第二长度，所述第一长度和所述第二长度之和等于或小于曝光工艺的分辨率，以及所述主图案与最靠近所述主图案的所述抗反射图案之间的距离等于或小于所述第一长度。

【技术特征摘要】
2016.02.17 KR 10-2016-00186221.一种光掩模，包括：中间掩模衬底；在所述中间掩模衬底上的主图案，所述主图案限定将要在半导体衬底上实现的光致抗蚀剂图案；和与所述主图案相邻的抗反射图案，其中，彼此相邻的一对抗反射图案之间的距离是第一长度，所述一对抗反射图案中的至少一个的宽度是第二长度，所述第一长度和所述第二长度之和等于或小于曝光工艺的分辨率，以及所述主图案与最靠近所述主图案的所述抗反射图案之间的距离等于或小于所述第一长度。2.根据权利要求1所述的光掩模，其中所述第二长度与所述第一长度的比率在从2:8至8:2的范围内。3.根据权利要求1所述的光掩模，其中在所述曝光工艺中，所述抗反射图案没有被投影到所述半导体衬底上。4.根据权利要求3所述的光掩模，其中所述第一长度和所述第二长度之和小于所述分辨率。5.根据权利要求1所述的光掩模，其中所述主图案包括在第一方向上延伸的第一部分，所述第一部分具有平行于所述第一方向的第一侧，所述抗反射图案中的至少一个在与所述第一方向相交的第二方向上邻近所述第一侧并且与所述第一侧间隔开。6.根据权利要求5所述的光掩模，其中所述主图案还包括在所述第二方向上延伸的第二部分，其中所述第二部分具有平行于所述第二方向的第二侧，以及其中所述抗反射图案中的至少另一个在所述第一方向上与所述第二侧相邻并且与所述第二侧间隔开。7.根据权利要求1所述的光掩模，其中所述主图案的宽度大于所述第二长度。8.根据权利要求1所述的光掩模，其中所述主图案在平行于所述中间掩模衬底的顶表面的第一方向上延伸，以及其中所述抗反射图案具有在所述第一方向上彼此平行地延伸的线形状。9.根据权利要求1所述的光掩模，其中：所述主图案在平行于所述中间掩模衬底的顶表面的第一方向上延伸，以及所述抗反射图案具有点形状并且在所述第一方向上布置。10.根据权利要求1所述的光掩模，其中所述主图案在平行于所述中间掩模衬底的顶表面的第一方向上延伸，以及其中所述抗反射图案具有在与所述第一方向相交的第二方向上平行地延伸的线形状。11.一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成光致抗蚀剂层，所述半导体衬底包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第二区域在所述第一区域和所述第三区域之间；使用曝光装置曝光所述光致抗蚀剂层；以及显影曝光的光致抗蚀剂层以形成光致抗蚀剂图案，其中所述曝...

【专利技术属性】
技术研发人员：金良男，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR