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一种光掩模包括：中间掩模衬底；设置在中间掩模衬底上并限定在半导体衬底上实现的光致抗蚀剂图案的主图案；以及与主图案相邻的抗反射图案。彼此相邻的一对抗反射图案之间的距离是第一长度，并且所述一对抗反射图案中的至少一个的宽度是第二长度。第一长度和第...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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