纳米机电装置结构制造方法及图纸

本发明专利技术的实施例提供一种纳米机电装置结构，包括：基板，内连线结构形成于基板之上。纳米机电装置结构还包括：介电层形成于内连线结构之上，梁结构形成于介电层之中与之上，其中梁结构包括固定部分与可移动部分，固定部分沿着垂直方向延伸，且可移动部分沿着水平方向延伸。纳米机电装置结构尚包括：盖结构形成于介电层与梁结构之上；以及凹洞形成于梁结构与盖结构之间。

【技术实现步骤摘要】
纳米机电装置结构
本专利技术的实施例涉及一种半导体装置结构，且特别涉及一种纳米机电(NEMS)装置结构与其形成方法。
技术介绍
半导体装置使用于各种电子应用中，举例而言，诸如个人电脑、手机、数码相机以及其他电子设备。半导体装置的制造通常是通过在半导体基板上依序沉积绝缘层或介电层材料、导电层材料以及半导体层材料，接着使用光刻工艺图案化所形成的各种材料层，藉以在此半导体基板之上形成电路零件及组件。通常在单一个半导体晶片上制造许多集成电路，并且通过沿着切割线在集成电路之间进行切割，以切割位于晶片上的各个晶粒(die)。举例而言，接着将个别的晶粒分别封装在多晶片模块中或其它类型的封装结构中。最近开始发展纳米机电(NEMS)装置结构。纳米机电装置结构包括使用半导体技术所形成的装置，用以形成机械与电性特征结构。纳米机电系统装置的例子包括齿轮(gears)、杠杆(levers)、阀门(valves)与铰链(hinges)。微机电系统装置应用于速度计(accelerometers)、压力传感器(pressuresensors)、麦克风(microphones)、致动器(actuators)、镜子(m本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种纳米机电装置结构，包括：一内连线结构，形成于一基板之上，其中该内连线结构包括一第一导电层形成于一第一介电层之上，该第一导电层包括一第一部分、一第二部分以及一第三部分介于该第一部分与该第二部分之间；一第二介电层，形成于该内连线结构之上；一第一支撑电极，形成于该第二介电层之中以及延伸高于该第二介电层，其中该第一支撑电极电性连接到该第一导电层的该第一部分；一第二支撑电极，形成于该第二介电层之中以及延伸高于该第二介电层，其中该第一支撑电极电性连接到该第一导电层的该第二部分；以及一梁结构，形成于该第一支撑电极与该第二支撑电极之上，其中一第一凹洞由该第一支撑电极、该梁结构以及该第二支撑电极所组成。

【技术特征摘要】
2016.01.27 US 15/007,8521.一种纳米机电装置结构，包括：一内连线结构，形成于一基板之上，其中该内连线结构包括一第一导电层形成于一第一介电层之上，该第一导电层包括一第一部分、一第二部分以及一第三部分介于该第一部分与该第二部分之间；一第二介电层，形成于该内连线结构之上；一第一支撑...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈欣苹，杨岱宜，后藤贤一，眭晓林，卡罗斯·H·戴尔兹，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71