半导体装置结构制造方法及图纸
Semiconductor device structure
A semiconductor device structure is provided. The semiconductor device structure includes a substrate and an interconnect structure formed on the substrate. The interconnect structure includes a first dielectric layer formed on the substrate, and a first graphene layer formed between the first dielectric layer and the upper dielectric layer. The first graphene layer includes the first portion in the first dielectric layer, and the second portion above the first dielectric layer, and the first insulating layer formed on the first portion of the first graphene layer.
【技术实现步骤摘要】
半导体装置结构
本专利技术实施例涉及一种半导体装置结构，且特别涉及一种具有内连线结构的半导体装置结构及其形成方法。
技术介绍
半导体装置使用于各种电子应用中，例如个人电脑、行动电话、数位相机和其他电子设备。半导体装置通常通过以下方式而制造，包括在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层、导电层及半导体层，使用微影工艺图案化上述各材料层，藉以在其上形成电路组件及元件。许多集成电路通常制造于单一半导体晶片上，且通过沿着切割线在集成电路之间进行切割，以将各个晶粒单一化。上述各个晶粒通常分别地封装于，例如，多芯片模块中或其他类型的封装中。在半导体装置的制造中，为了增加装置密度，半导体装置的尺寸持续地缩减。因此，提供了多层内连线结构。内连线结构可包括一或多个导线及通孔层。虽然现有的内连线结构及制造内连线结构的方法已普遍足以达成预期的目标，然而仍无法完全满足所有需求。
技术实现思路
本专利技术的一实施例提供一种半导体装置结构，包括：基板，以及形成于基板上的内连线结构，其中此内连线结构包括：第一介电层，形成于基板上；第一石墨烯层，形成于第一介电层之中与之上，其中第一石墨烯层包括位于第一介电...
【技术保护点】
一种半导体装置结构，包括：一基板；以及一内连线结构，形成于该基板上，其中该内连线结构包括：一第一介电层，形成于该基板上；一第一石墨烯层，形成于该第一介电层之中与之上，其中该第一石墨烯层包括位于该第一介电层之中的一第一部分，以及位于该第一介电层之上的一第二部分；以及一第一绝缘层，形成于该第一石墨烯层的该第一部分上。
【技术特征摘要】
2016.02.05 US 15/016,8661.一种半导体装置结构，包括：一基板；以及一内连线结构，形成于该基板上，其中该内连线结构包括：一第一介电层，形...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨岱宜，包天一，林天禄，朱韦臻，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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