制备基板上晶体岛的方法技术

某些电子应用，例如，有机发光二极管显示背板，要求在大面积上分布高品质半导体材料小岛。该面积超出了利用传统的基于晶锭的技术所能够制造的晶体半导体晶片的面积。本申请提供了一种岛状材料晶体岛的制造方法，该方法包括将岛状材料颗粒沉积在基板上，加热基板和岛状材料颗粒以熔化和融合颗粒从而形成熔球，然后冷却基板和熔球使熔球结晶，从而将岛状材料晶体岛固定在基板上。该方法可以用于在大面积范围内制造晶体岛阵列，远超基于传统晶锭技术所能制造的晶体半导体晶片面积。

【技术实现步骤摘要】
制备基板上晶体岛的方法交叉引用本申请要求以下申请的优先权：2016年6月16日递交的编号为15/184,429的美国申请；以及2017年2月10日递交的编号为15/429,367的美国申请；上述申请的内容以引用方式被包含于此。
本申请涉及一种与基板邻接的一个或多个岛状材料晶体岛的制造方法。
技术介绍
某些电子应用，如有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)显示器背板，需要在大区域上分布高品质半导体材料的小岛。该区域的对角线可以为50英寸以上，超出了利用传统的基于晶锭(boule)的技术所能够制造的晶体半导体晶片的尺寸。WO2013/053052A1(通过引用将其并入本文)公开了以下内容：制造大量的小型、松散的晶体半导体球体。然后将这些球体分布在图案化的基板上并以预设位置固定在所述基板上，从而在所述基板上形成球体的阵列。将球体平坦化，使得各球体的截面暴露，由此提供高品质的晶体半导体岛阵列，以用于在整体平坦化的表面上进行器件制造。美国专利第4,637,855号(通过引用将其并入本文)公开了通过以下方式在基板上制造硅球体：将冶金级硅的浆料施加在基板上，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备基板上晶体岛的方法，该方法包括：将岛状材料沉积在基板上；加热所述基板和所述岛状材料，所述加热熔化所述岛状材料以形成熔球，所述加热形成包括氧和所述岛状材料的熔盘，所述熔盘处在所述熔球和所述基板之间；以及冷却所述基板、所述熔球和所述熔盘以结晶所述熔球从而形成结晶群，所述结晶群的至少一部分形成岛状材料晶体岛。

【技术特征摘要】
2016.06.16 US 15/184,429;2017.02.10 US 15/429,3671.一种制备基板上晶体岛的方法，该方法包括：将岛状材料沉积在基板上；加热所述基板和所述岛状材料，所述加热熔化所述岛状材料以形成熔球，所述加热形成包括氧和所述岛状材料的熔盘，所述熔盘处在所述熔球和所述基板之间；以及冷却所述基板、所述熔球和所述熔盘以结晶所述熔球从而形成结晶群，所述结晶群的至少一部分形成岛状材料晶体岛。2.根据权利要求1所述的方法，进一步包括平坦化所述晶体岛的至少一部分，露出所述晶体岛的截面。3.根据权利要求1所述的方法，进一步的包括，在所述冷却之后：通过过度包覆层过度包覆所述晶体岛和所述基板以形成堆垛结构；以及平坦化所述堆垛结构，露出所述晶体岛的截面。4.根据权利要求1所述的方法，进一步的包括，在所述沉积之前：在所述基板上形成氧化层；其中：所述沉积包括将所述岛状材料沉积在所述氧化层上；以及所述熔盘包括在熔融状态下的所述氧化层。5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述形成所述氧化层包括将包括所述岛状材料和氧化物的所述氧化层沉积在所述基板上。6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述沉积包括根据预先设定的图案沉积所述氧化层。7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述形成所述氧化层包括：根据预先设定的图案将所述岛状材料沉积在所述基板上；以及氧化所述岛状材料。8.根据权利要求4所述的方法，其中，所述加热包括在非氧化气氛下加热所述基板、所述岛状材料和所述氧化层。9.根据权利要求1所述的方法，进一步包括以下的一种或几种，在所述沉积之前：根据预先设定的图案抛光所述基板；以及根据所述预先设定的图案粗糙化所述基板。10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板包括氧化铝。11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述熔盘进一步包括来自于所述基板的铝。12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述岛状材料包括硅，...

【专利技术属性】
技术研发人员：道格拉斯·R·迪卡尔，
申请(专利权)人：迪夫泰克激光公司，
类型：发明
国别省市：加拿大,CA