生产用于多功能产品的半导体晶片的方法技术

本公开的各方面提供了一种用于半导体晶片制造的方法。该方法包括使用在掩模集合中的下级掩模的子集以在半导体晶片上形成下级电路结构的多个模块化单元。掩模集合包括下级掩模的子集并且至少包括上级掩模的第一子集和上级掩模的第二子集。上级掩模的第一子集限定单元内互连件。上级掩模的第二子集限定单元内互连件和单元间互连件两者。该方法还包括基于最终集成电路(IC)产品的组合要求选择上级掩模的第一子集和上级掩模的第二子集中的至少一个子集并且使用所选择的上级掩模的子集以在半导体晶片上形成上级结构。

【技术实现步骤摘要】
生产用于多功能产品的半导体晶片的方法相关申请的交叉引用本公开要求于2015年11月6日提交的、主题名称为“SHARINGDIESONTHESAMESILICONWAFER”的美国临时专利申请No.62/252,078的权益，该申请通过整体引用并入本文。
技术介绍
本文中提供的
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描述用于总体呈现本公开的上下文的目的。当前署名的专利技术人的工作在
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部分中所描述的工作的程度上以及本说明书的可能不以其他方式视为在提交时的现有技术的方面既不明确地也不隐含地被视为本公开的现有技术。在半导体工业中，电路设计者经由多个阶段来设计产品。在示例中，电路设计者决定在系统设计阶段中的产品的架构和系统级功能说明。此外，电路设计者在寄存器传输级(RTL)设计阶段将系统级功能说明转换为RTL描述。随后，电路设计者利用图案创建电路版图，以定义在物理设计阶段中的电路。基于电路版图，生成光掩模的集合。在半导体制造设备中使用光掩模以在半导体晶片上定义与电路对应的结构。
技术实现思路
本公开的一些方面提供了一种用于半导体晶片制造的方法。该方法包括利用掩模集合中的下级掩模的子集在半导体晶片上形成下级电路结构的多个模块化单元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于半导体晶片制造的方法，包括：使用在掩模集合中的下级掩模的子集以在半导体晶片上形成下级电路结构的多个模块化单元，其中所述掩模集合包括下级掩模的所述子集并且至少包括上级掩模的第一子集和上级掩模的第二子集，所述上级掩模的第一子集限定将模块化单元内的所述下级电路结构进行互连的单元内互连件，以及所述上级掩模的第二子集限定将模块化单元内的所述下级电路结构进行互连的单元内互连件和将不同模块化单元内的所述下级电路结构进行互连的单元间互连件；基于最终集成电路IC产品的组合要求选择至少所述上级掩模的第一子集和所述上级掩模的第二子集中的一个子集；以及使用所选择的上级掩模的子集以在所述半导体晶片上形成上级结构...

【技术特征摘要】
2015.11.06 US 62/252,0781.一种用于半导体晶片制造的方法，包括：使用在掩模集合中的下级掩模的子集以在半导体晶片上形成下级电路结构的多个模块化单元，其中所述掩模集合包括下级掩模的所述子集并且至少包括上级掩模的第一子集和上级掩模的第二子集，所述上级掩模的第一子集限定将模块化单元内的所述下级电路结构进行互连的单元内互连件，以及所述上级掩模的第二子集限定将模块化单元内的所述下级电路结构进行互连的单元内互连件和将不同模块化单元内的所述下级电路结构进行互连的单元间互连件；基于最终集成电路IC产品的组合要求选择至少所述上级掩模的第一子集和所述上级掩模的第二子集中的一个子集；以及使用所选择的上级掩模的子集以在所述半导体晶片上形成上级结构。2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述掩模集合中使用所述下级掩模的子集以在所述半导体晶片上形成所述下级电路结构的多个模块化单元还包括：使用在所述掩模集合中的所述下级掩模的子集以形成下级电路结构的模块化单元驻留在由模块化电路周界限定的电路区域内的所述下级电路结构的多个模块化单元。3.根据权利要求1所述的方法，其中基于所述最终IC产品的组合要求选择至少所述上级掩模的第一子集和所述上级掩模的第二子集中的一个子集包括：当所述组合要求表示所述最终IC产品中的单个自含的模块化单元时，选择所述上级掩模的第一子集。4.根据权利要求3所述的方法，还包括：沿所述模块化单元之间的划片线区域锯切所述半导体晶片，以产生限定所述最终IC产品的各个自含的模块化单元。5.根据权利要求1所述的方法，其中基于所述最终IC产品的组合要求选择至少所述上级掩模的第一子集和所述上级掩模的第二子集中的一个子集包括：当所述组合要求要求至少第一模块化单元和第二模块化单元被形成在所述最终IC产品中时，选择所述上级掩模的第二子集。6.根据权利要求5所述的方法，还包括：在不沿所述第一模块化单元和所述第二模块化单元之间的划片线区域锯切的情形下锯切所述半导体晶片，以产生限定所述最终IC产品的两个或更多个集成模块化单元。7.根据权利要求5所述的方法，其中使用所选择的上级掩模的子集以在所述半导体晶片上形成所述上级结构包括：使用所述上级掩模的第二子集，以形成将模块化单元内的所述下级电路结构进行互连的所述单元内互连件和将不同模块化单元中的所述下级电路结构进行互连的所述单元间互连件。8.根据权利要求5所述的方法，其中使用所选择的上级掩模的子集以在所述半导体晶片上形成所述上级结构包括：使用所述上级掩模的第二子集以形成以开口限定模块化单元周界的结构，从而允许所述单元间互连件将不同模块化单元内的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：E·罗特姆，R·泽马赫，I·皮莱德，
申请(专利权)人：马维尔以色列MISL有限公司，
类型：发明
国别省市：以色列,IL