【技术实现步骤摘要】
用于制造半导体器件的方法和系统
本专利技术的实施例涉及用于制造半导体器件的方法和系统。
技术介绍
半导体集成电路(IC)产业经历了指数级增长。在IC材料和设计中的技术进步已经产生了多代集成电路,其中每一代比上一代具有更小和更复杂的电路。在IC演化的过程中,功能密度(即,每芯片面积的互连器件的数量)已普遍增加,而几何尺寸(即,可使用制造工艺创建的最小组件(或线))减小。这种按比例缩小工艺通常通过提高生产效率和降低相关成本来提供益处。这种按比例减小也已经增加了处理和制造IC的复杂度,并且为了实现这些进步,需要IC处理和制造中的类似发展,例如,光刻工艺通常实施曝光和显影工艺以在IC晶圆制造和掩模制造期间图案化小部件。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供了一种用于制造半导体器件的方法,包括:在具有第一化学品的显影液中形成多个气泡;将所述显影液施加至设置在衬底上的光刻胶层上,其中,所述光刻胶层具有曝光区域,并且所述第一化学品配置为通过化学反应来溶解所述光刻胶层的曝光区域。本专利技术的另一实施例提供了一种用于制造半导体器件的方法,包括:将气体引入显影液;和通过使用部分溶解所述气 ...
【技术保护点】
一种用于制造半导体器件的方法,包括:在具有第一化学品的显影液中形成多个气泡;将所述显影液施加至设置在衬底上的光刻胶层上,其中,所述光刻胶层具有曝光区域,并且所述第一化学品配置为通过化学反应来溶解所述光刻胶层的曝光区域。
【技术特征摘要】
2015.09.30 US 14/871,8461.一种用于制造半导体器件的方法,包括:在具有第一化学品的显影液中形成多个气泡;将所述显影液施加至设置在衬底上的光刻胶层上,其中,所述光刻胶层具有曝光区域,并且所述第一化学品配置为通过化学反应来溶解所述光刻胶层的曝光区域。2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述形成包括:混合所述显影液与第二化学品,所述第二化学品配置为在所述显影液中形成所述多个气泡。3.根据权利要求2所述的方法,其中,所述混合包括:通过使用螺旋桨混合所述显影液与所述第二化学品。4.根据权利要求2所述的方法,其中,所述第二化学品配置为产生含有二氧化碳的气泡。5.根据权利要求1所述的方法,其中,所述曝光区域的去除在所述光刻胶层中形成图案化结构,并且所述气泡配置为防止在所述图案化结构的底部处形成基脚部分。6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述形成包括:混合所述显影液与第三...
【专利技术属性】
技术研发人员:余俊益,庄明轩,罗益全,林长发,郑景弘,
申请(专利权)人:台湾积体电路制造股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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