晶片的清洗方法技术
【技术实现步骤摘要】
晶片的清洗方法本分案是申请日为2011年12月20日、申请号为2011800633494、专利技术名称为“晶片的清洗方法”的申请的分案申请。
本专利技术涉及半导体器件制造等中基板(晶片)的清洗技术。
技术介绍
在网络、数字家电用的半导体器件中，要求更进一步的高性能/高功能化、低耗电化。因此电路图案的微细化正在推进，与之相伴，导致制造成品率降低的粒度也正在微小化。其结果，多采用用于去除微小化的颗粒等污染物质的清洗工序，结果清洗工序占到全部半导体制造工序的3～4成。另一方面，在以往进行的利用氨的混合清洗剂的清洗中，伴随着电路图案的微细化，其碱性对晶片的损伤成为问题。因此，正在进行向损伤更少的例如稀氢氟酸系清洗剂的替代。由此，清洗所致的对晶片的损伤的问题得到改善，但与半导体器件的微细化相伴的图案的高宽比升高所致的问题显著化。即，清洗或冲洗后，气液界面通过图案时引起图案倾塌的现象，成品率大幅降低成为严重的问题。专利文献1中，作为抑制图案倾塌的手法，公开了下述技术：在气液界面通过图案前，将清洗液由水置换成2-丙醇。但是，据说能够对应的图案的高宽比为5以下等存在界限。另外，专...
【技术保护点】
一种晶片的清洗方法，其特征在于，其为表面具有凹凸图案的晶片的清洗方法，其至少具有以下工序：用清洗液清洗所述晶片的工序；用拒水性化学溶液置换在清洗后保持于晶片的凹部的清洗液的工序；干燥晶片的工序，所述清洗液包含80质量％以上的沸点为55～200℃的溶剂，通过使所述置换的工序中供给的拒水性化学溶液的温度为40℃以上且低于该拒水性化学溶液的沸点，从而至少使所述凹部表面拒水化,所述晶片是在凹部的表面包含硅元素的晶片，所述拒水性化学溶液包含下述通式[1]表示的硅化合物A，或者包含硅化合物A以及酸或碱，所述拒水性化学溶液是仅被烃类、酯类、醚类、酮类、含卤素元素的溶剂、亚砜系溶剂、多元醇...
【技术特征摘要】
2010.12.28 JP 2010-293853;2011.10.31 JP 2011-238621.一种晶片的清洗方法，其特征在于，其为表面具有凹凸图案的晶片的清洗方法，其至少具有以下工序：用清洗液清洗所述晶片的工序；用拒水性化学溶液置换在清洗后保持于晶片的凹部的清洗液的工序；干燥晶片的工序，所述清洗液包含80质量％以上的沸点为55～200℃的溶剂，通过使所述置换的工序中供给的拒水性化学溶液的温度为40℃以上且低于该拒水性化学溶液的沸点，从而至少使所述凹部表面拒水化,所述晶片是在凹部的表面包含硅元素的晶片，所述拒水性化学溶液包含下述通式[1]表示的硅化合物A，或者包含硅化合物A以及酸或碱，所述拒水性化学溶液是仅被烃类、酯类、醚类、酮类、含卤素元素的溶剂、亚砜系溶剂、多元醇的衍生物中不具有OH基的物质、不具有N-H基的含氮元素的溶剂或者它们的混合液稀释了的拒水性化学溶液，(R1)aSi(H)bX14-a-b[1]式[1]中，R1各自相互独立，是包含一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1～18的1价烃基的1价有机基团；另外，X1各自相互独立，表示选自由与硅元素键合的元素为氮的1价官能团、与硅元素键合的元素为氧的1价官能团、卤素基、腈基和-CO-NH-Si(CH3)3组成的组中的至少1种基团；a为1～3的整数，b为0～2的整数，a与b的合计为1～3。2.根据权利要求1所述的晶片的清洗方法，其特征在于，所述清洗液为选自由有机溶剂、水、在水中混合了有机溶剂、酸、碱、氧化剂中的至少1种的水溶液组成的组中的至少1种液体。3.根据权利要求1或2所述的晶片的清洗方法，其特征在于，所述拒水性化学溶液包含选自由氯化氢、硫酸、高氯酸、磷酸、下述通式[2]表示的磺酸及其酸酐、下述通式[3]表示的羧酸及其酸酐、烷基硼酸酯、芳基硼酸酯、三(三氟乙酰氧基)硼、三烷氧基环硼氧烷、三氟化硼、下述通式[4]表示的硅化合物B组成的组中的至少1种，R2S(O)2OH[2]式[2]中，R2是一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1～18的1价烃基，R3COOH[3]式[3]中，R3是一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1～18的1价烃基，(R4)cSi(H)dX24-c-d[4]式[4]中，R4各自相互独立，是一部分或全部氢元素任选被氟元素取代的碳原子数为1～18的1价烃基；另外，X2各自相互独立，表示选自由氯基、-OCO-R5和-OS(O)2-R6组成的组中的至少1种基团，R5是一部分或全部氢元素任选被氟...
【专利技术属性】
技术研发人员：公文创一，斋尾崇，荒田忍，斋藤真规，七井秀寿，赤松佳则，
申请(专利权)人：中央硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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