一种外延缺陷的处理方法技术

本发明专利技术公开了一种外延缺陷的处理方法，包括以下步骤：将所述外延片表面的外延缺陷的凸起部分采用物理方法破坏，形成凹陷；准备一临时衬底，在其上制备至少一层腐蚀截止层作为键合层；将所述外延片与临时衬底进行键合，使所述外延片表面的键合层与临时衬底表面的腐蚀截止层接合；去除临时衬底；采用退火和胶带粘拉等物理方法破坏凹陷处的腐蚀截止层，露出腐蚀截止层下的外延层；用湿法腐蚀的方法腐蚀上述露出的外延层；去除剩余的腐蚀截止层。

【技术实现步骤摘要】
一种外延缺陷的处理方法
本专利技术涉及一种外延缺陷的处理方法，属半导体器件与工艺

技术介绍
化学气相沉积方法例如金属有机化学气相沉积（MOCVD）在LED与多结太阳电池等领域的应用非常广泛。LED与多结太阳电池的外延层均具由多个薄层组成。以发展最为成熟的Ge/In0.01GaAs/GaInP三结电池为例，其外延过程是在Ge衬底上MOCVD生长In0.01GaAs中电池和GaInP顶电池，每一结电池都具有窗口层、发射区、基区、背场层多层外延结构，同时子电池之间还有隧穿结层。在化学气相沉积的过程中，外延片表面很难保证绝对的洁净，经常会有颗粒杂质等异物掉落到外延片表面，我们称之为外延掉点现象。在后续的外延生长过程中，有时外延掉点会被后续生长的外延层层层覆盖，最后形成外延片表面的凸起，有时外延掉点附近的外延生长过程较慢或无法生长外延层，使得外延掉点处形成凹陷。由于掉点覆盖了原有的外延表面，在掉点处生长的外延层的晶体质量会变得比较差，原子排列变得杂乱无章，更接近于非晶的状态。而对LED器件与光伏器件等光电器件来说，其外延层的晶体质量非常重要。晶体质量差会导致所外延生长的半导体材料的非本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种外延缺陷的处理方法，其步骤包括：（1）提供一外延片，具有多层不同半导体材料的外延层，其表面具有外延缺陷部位；（2）采用物理方法破坏所述外延片表面的外延缺陷部位，形成凹陷；（3）准备一临时衬底，在其上制备至少一层腐蚀截止层作为键合层；（4）将所述外延片与临时衬底进行键合，使所述外延片表面与临时衬底表面的腐蚀截止层接合；（5）去除临时衬底；（6）采用物理方法破坏所述凹陷处的腐蚀截止层，露出腐蚀截止层下的外延层；（7）用湿法腐蚀的方法腐蚀上述露出的外延层；（8）去除剩余的腐蚀截止层。

【技术特征摘要】
1.一种外延缺陷的处理方法，其步骤包括：（1）提供一外延片，具有多层不同半导体材料的外延层，其表面具有外延缺陷部位；（2）采用物理方法破坏所述外延片表面的外延缺陷部位，形成凹陷；（3）准备一临时衬底，在其上制备至少一层腐蚀截止层作为键合层；（4）将所述外延片与临时衬底进行键合，使所述外延片表面与临时衬底表面的腐蚀截止层接合；（5）去除临时衬底；（6）采用物理方法破坏所述凹陷处的腐蚀截止层，露出腐蚀截止层下的外延层；（7）用湿法腐蚀的方法腐蚀上述露出的外延层；（8）去除剩余的腐蚀截止层。2.根据权利要求1所述的一种外延缺陷的处理方法，其特征在于：所述外延缺陷是在外延过程中由于异物掉落在外延表面所形成的，包含凸起与凹陷两种类型。3.根据权利要求2所述的一种外延缺陷的处理方法，其特征在于：所述外延缺陷的直径范围为5~1000μm，凸起的高度范围为1μm以上，凹陷的深度范围为0.5~50μm。4.根据权利要求2所述的一种外延缺陷的处理方法，其特征在于：所述步骤（2）中采用刮除或研磨的方式破坏凸起的外延缺陷，在处理过程中不影响缺陷以外区域的外延层与凹陷的外延缺陷，处理后所述凸起的外延缺陷转变为凹陷，所述外延片表面的外延缺陷的凹陷部分形貌不变。5.根据权利要求1所述的一种外延缺陷的处理方法，其特征在于：所述临时衬底包含半导体衬底、玻璃衬底或金属衬底。6.根据权利要求1所述的一种外延缺陷的处理方法，其特征在于：所述腐蚀截止层材料为固体材料，不能被用于腐蚀上述外延层...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘冠洲，毕京锋，李明阳，宋明辉，李森林，陈文浚，
申请(专利权)人：天津三安光电有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12