材料层、包括其的半导体器件、以及制造材料层和半导体器件的方法技术

本文中提供材料层、包括材料层的半导体器件、以及形成材料层和半导体器件的方法。形成SiOCN材料层的方法可包括：将硅源供应至基底上，将碳源供应至所述基底上，将氧源供应至所述基底上，将氮源供应至所述基底上，和将氢供应至所述基底上。当根据本发明专利技术构思的方法形成材料层时，可形成具有高的对湿蚀刻的耐受性和/或良好的电特性的材料层，并且所述材料层可甚至当在低温下实施所述方法时形成。

【技术实现步骤摘要】
材料层、包括其的半导体器件、以及制造材料层和半导体器件的方法相关专利申请的交叉引用本申请要求在韩国知识产权局于2015年11月6日提交的韩国专利申请No.10-2015-0155794的权益和优先权，将其公开内容全部引入本文中作为参考。
本专利技术构思总体上涉及材料层、包括材料层的半导体器件、以及制造材料层和半导体器件的方法。本专利技术构思进一步涉及具有高的耐蚀刻性和良好的电特性的材料层、包括所述材料层的半导体器件、以及制造所述材料层和/或所述半导体器件的方法。
技术介绍
对于用作半导体器件的间隔体(spacer)的材料层，对湿蚀刻的耐受性是重要因素。然而，当不必要的前体组分保留在所述材料层中时，对湿蚀刻的耐受性可劣化。在获得微小的图案时，对高温敏感的材料的使用一直在增加。当在某些温度下形成材料层时，可无法满足电特性或者物理性质如耐蚀刻性。
技术实现思路
本专利技术构思提供形成SiOCN材料层的方法，所述SiOCN材料层具有高的对湿蚀刻的耐受性和/或良好的电特性，甚至(即使)当在低温下制备时。本专利技术构思提供具有高的耐蚀刻性和/或良好的电特性的材料层堆(堆叠体)。本专利技术构思提供半导本文档来自技高网...

【技术保护点】
形成SiOCN材料层的方法，所述方法包括：将硅源供应至基底上；将碳源供应至基底上；将氧源供应至基底上；将氮源供应至基底上；和将氢供应至基底上，由此形成SiOCN材料层。

【技术特征摘要】
2015.11.06 KR 10-2015-01557941.形成SiOCN材料层的方法，所述方法包括：将硅源供应至基底上；将碳源供应至基底上；将氧源供应至基底上；将氮源供应至基底上；和将氢供应至基底上，由此形成SiOCN材料层。2.如权利要求1所述的方法，其中硅源为被卤素取代的基于硅烷的硅前体。3.如权利要求1所述的方法，其中将氢供应至基底上在与实施将硅源供应至基底上的温度相比增加的温度下实施。4.如权利要求1所述的方法，其中将氢供应至基底上在约400℃至约700℃范围内的温度下实施。5.如权利要求1所述的方法，其中将氢供应至基底上在约450℃至约630℃范围内的温度下实施。6.如权利要求1所述的方法，其中将硅源供应至基底上、将碳源供应至基底上、将氧源供应至基底上、和将氮源供应至基底上包括实施多个沉积循环，其中实施多个沉积循环包括在单一沉积循环中将硅源、碳源、氧源、和氮源供应至基底上并且重复单一沉积循环以提供多个沉积循环，和在实施多个沉积循环之后，实施将氢供应至基底上。7.如权利要求6所述的方法，其中在所述多个沉积循环期间，不实施将氢供应至基底上。8.如权利要求6所述的方法，其中重复单一沉积循环以提供多个沉积循环包括将单一沉积循环重复约5次至约100次。9.如权利要求6所述的方法，其中所述方法包括按以下顺序实施：第一实施所述多个沉积循环的步骤、第一将氢供应至基底上的步骤、第二实施所述多个沉积循环的步骤、和第二将氢供应至基底上的步骤，其中在第一和第二实施多个沉积循环的步骤中的沉积循环的数量不同。10.如权利要求6所述的方法，其中所述方法包括：第一阶段，其包括形成SiOCN材料层的具有第一厚度的第一部分；第二阶段，其包括形成SiOCN材料层的具有第二厚度的第二部分，其中第二阶段在第一阶段之后；和第三阶段，其包括形成SiOCN材料层的具有第三厚度的第三部分，其中第三阶段在第二阶段之后，其中将氢供应至基底上的步骤在第一阶段和第三阶段中比在第二阶段中更频繁地实施。11.如权利要求10所述的方法，其中第一阶段和第三阶段各自包括使温度增加至高于在第二阶段中使用的温度的暂时部分。12.如权利要求6所述的方法，其中所述方法包括至少一个沉积循环，所述沉积循环按以下顺序包括：将硅源供应至基底上，然后将氢供应至基...

【专利技术属性】
技术研发人员：卓容奭，朴起宽，金真范，具本荣，朴起演，李泰宗，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR