保护膜形成用化学溶液制造技术

本发明专利技术涉及保护膜形成用化学溶液。本发明专利技术公开了一种晶片的拒水性保护膜形成用化学溶液，其特征在于，其为包含拒水性保护膜形成剂的化学溶液，所述拒水性保护膜形成剂用于在表面形成有微细的凹凸图案且该凹凸图案的至少凹部表面的一部分包含选自由钛、氮化钛、钨、铝、铜、锡、氮化钽、钌以及硅组成的组中的至少1种物质的晶片的清洗时至少在前述凹部表面形成拒水性保护膜，该拒水性保护膜形成剂为非水溶性的表面活性剂。利用该化学溶液形成的拒水性保护膜可以防止清洗工序中的晶片的图案倾塌。

【技术实现步骤摘要】
保护膜形成用化学溶液本申请是申请日为2010年10月20日、申请号为201080049331.4、专利技术名称为“保护膜形成用化学溶液”的申请的分案申请。
本专利技术涉及一种基板(晶片)的清洗技术，其目的在于，在半导体设备制造等中，进一步提高微细且高宽比高的电路图案化的设备的制造产量。
技术介绍
在网络、数字家电用的半导体设备中，要求更进一步的高性能/高功能化、低耗电化。因此电路图案的微细化正在推进，伴随着微细化的推进，电路图案的图案倾塌(patterncollapse)成为问题。在半导体设备制造中，大多用到以除去颗粒、金属杂质为目的的清洗工序，其结果，清洗工序占到半导体制造工序整体的3～4成。在该清洗工序中，图案的高宽比伴随半导体设备的微细化而变高时，进行清洗或清洗(rinse)后，气液界面通过图案时图案发生倾塌的现象即为图案倾塌。这种图案倾塌在将晶片从清洗液或者冲洗液提起时发生。认为其原因是，在图案的高宽比高的部分和低的部分之间出现残液高度的差异，由此使作用于图案的毛细力(capillaryforce)产生差异。因此，如果使毛细力变小，则可期待由残液高度的不同而导致的毛细力的差异本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清洗方法，其特征在于，其为清洗表面形成有微细的凹凸图案且该凹凸图案的至少凹部表面的一部分包含选自由钛、氮化钛、钨、铝、铜、锡、氮化钽、钌以及硅组成的组中的至少1种物质的晶片的方法，该方法至少具有以下工序：在凹凸图案的至少凹部保持保护膜形成用化学溶液的保护膜形成工序，通过干燥将液体从凹凸图案除去的干燥工序，除去保护膜的膜除去工序，所述保护膜形成用化学溶液为用于在至少所述凹部表面形成拒水性保护膜的包含拒水性保护膜形成剂的化学溶液，该拒水性保护膜形成剂为非水溶性的表面活性剂，所述膜除去工序是通过进行选自对晶片表面进行光照射的处理、对晶片进行加热的处理以及将晶片暴露于臭氧中的处理中的至少一道处理而...

【技术特征摘要】
2009.10.28 JP 2009-248133;2010.01.29 JP 2010-018001.一种清洗方法，其特征在于，其为清洗表面形成有微细的凹凸图案且该凹凸图案的至少凹部表面的一部分包含选自由钛、氮化钛、钨、铝、铜、锡、氮化钽、钌以及硅组成的组中的至少1种物质的晶片的方法，该方法至少具有以下工序：在凹凸图案的至少凹部保持保护膜形成用化学溶液的保护膜形成工序，通过干燥将液体从凹凸图案除去的干燥工序，除去保护膜的膜除去工序，所述保护膜形成用化学溶液为用于在至少所述凹部表面形成拒水性保护膜的包含拒水性保护膜形成剂的化学溶液，该拒水性保护膜形成剂为非水溶性的表面活性剂，所述膜除去工序是通过进行选自对晶片表面进行光照射的处理、对晶片进行加热的处理以及将晶片暴露于臭氧中的处理中的至少一道处理而进行的。2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述非水溶性的表面活性剂基于Griffin法的HLB值为0.001～10。3.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述非水溶性的表面活性剂为选自由以下的通式[1]所表示的化合物、通式[2]所表示的化合物及其盐化合物组成的组中的至少1种表面活性剂，式[1]中，R1为包含碳原子数1～18的烃基的1价有机基团、或者包含碳原子数1～8的氟烷基链的1价有机基团，U表示选自由氟基、氯基、溴基以及碘基组成的组中的基团，R2R3R4N[2]式[2]中，R2为包含碳原子数1～18的烃基的1价有机基团、或者包含碳原子数1～8的氟烷基链的1价有机基团，R3为氢原子、或者包含碳原子数1～18的烃基的1价有机基团、或者包含碳原子数1～8的氟烷基链的1价有机基团，R4为氢原子、或者包含碳原子数1～18的烃基的1价有机基团、或者包含碳原子数1～8的氟烷基链的1价有机基团。4.根据权利要求3所述的清洗方法，其特征在于，所述非水溶性的表面活性剂为选自由以下化合物组成的组中的至少1种表面活性剂：所述通式[1]表示的非水溶性的表面活性剂中的R1为包含碳原子数8～18的烃基的1价有机基团的化合物；所述通式[2]表示的非水溶性的表面活性剂中的R2为包含碳原子数6～18的烃基的1价有机基团、R3为氢原子或者包含碳原子数1～18的烃基的1价有机基团、R4为氢原子或者包含碳原子数1～18的烃基的1价有机基团的化合物；及其盐化合物。5.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述非水溶性的表面活性剂为选自由以下的通式[3]～[6]所表示的化合物组成的组中的至少1种表面活性剂，式[3]中，R5为包含碳原子数1～18的烃基的1价有机基团、或者包含碳原子数1～8的氟烷基链的1价有机基团，V表示氧原子或硫原子，W表示选自由氢原...

【专利技术属性】
技术研发人员：斋藤真规，荒田忍，斋尾崇，公文创一，七井秀寿，赤松佳则，
申请(专利权)人：中央硝子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP