用于制备III‑N模板及其继续加工的方法和III‑N模板技术

本发明专利技术涉及制备III‑N‑模板和制备III‑N‑单晶，其中III表示元素周期表第三主族中选自Al、Ga和In的至少一种元素。通过在晶体生长过程中调节确定的参数可以获得III‑N‑模板，所述模板赋予在异质衬底上生长的晶体层特性，所述特性使得能够获得模板形式的或甚至具有大的III‑N‑层厚的无裂纹的III‑N单晶。

【技术实现步骤摘要】
用于制备III-N模板及其继续加工的方法和III-N模板相关申请本申请是申请日为2013年3月21日、申请号为201380015538.3、专利技术名称为“用于制备III-N模板及其继续加工的方法和III-N模板”的专利技术专利申请的分案申请。专利
本专利技术涉及用于制备复合衬底(以下称为“模板”)和用于制备III-N单晶的制备方法。根据本专利技术的方法能够制备无裂纹的III-N单晶，所述单晶尤其适合用作晶片。III表示元素周期表第三主族中选自Al、Ga和In的至少一种元素。
技术介绍
III-N单晶具有重要的技术意义。大量的半导体元器件和光电元器件，如功率元器件、高频元器件、发光二极管和激光器都是以这些材料为基础。在制备这样的装置时通常在起始衬底上进行外延晶体生长，或在起始衬底上首先形成模板，然后通过另外的外延生长可以在所述模板上沉积III-N层或III-N单晶体。作为起始衬底，可以使用III-N-衬底或尤其是异质衬底。在使用异质衬底的情况下，在生长过程中由于起始衬底的和已经生长的层的热膨胀系数的差异可能导致在III-N层内部出现应变或裂纹。较厚的层也可以借助于部分结构化的，通过外本文档来自技高网...

【技术保护点】
具有包含蓝宝石的衬底和至少一个III‑N晶体层的模板，其中III表示元素周期表第三主族中选自Al、Ga和In的至少一种元素，其中在异质衬底上的区域内或在模板的III‑N晶体层内设置掩膜材料作为中间层，其中在模板的III‑N晶体层内通过一个或两个的以下形变εxx值(i)/(ii)定义：(i)在室温下εxx‑值处于<0的范围，(ii)在生长温度下εxx‑值处于εxx≤0的范围。

【技术特征摘要】
2012.03.21 DE 102012204551.1;2012.03.21 DE 10201221.具有包含蓝宝石的衬底和至少一个III-N晶体层的模板，其中III表示元素周期表第三主族中选自Al、Ga和In的至少一种元素，其中在异质衬底上的区域内或在模板的III-N晶体层内设置掩膜材料作为中间层，其中在模板的III-N晶体层内通过一个或两个的以下形变εxx值(i)/(ii)定义：(i)在室温下εxx-值处于<0的范围，(ii)在生长温度下εxx-值处于εxx≤0的范围。2.根据权利要求1所述的模板，其中在模板的III-N晶体层内，εxx值(i)在室温下处于0>εxx≥-0.003的范围，优选-0.0015>εxx≥-0.0025的范围和尤其在-0.0020≥εxx≥-0.0025的范围；(ii)在生长温度下处于0>εxx>-0.0006的范围，优选在-0.0003>εxx>-0.0006的范围。3.根据权利要求1或2所述的模板，其特征在于，在对于模板使用或设定厚度(d蓝宝石)为大约430μm(即±20μm)的蓝宝石衬底和厚度(dGaN)为大约7μm(即...

【专利技术属性】
技术研发人员：F·利普斯基，F·肖尔茨，M·克莱恩，F·哈贝尔，
申请(专利权)人：弗赖贝格化合物原料有限公司，
类型：发明
国别省市：德国,DE