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本发明涉及制备III‑N‑模板和制备III‑N‑单晶，其中III表示元素周期表第三主族中选自Al、Ga和In的至少一种元素。通过在晶体生长过程中调节确定的参数可以获得III‑N‑模板，所述模板赋予在异质衬底上生长的晶体层特性，所述特性使得能...
该专利属于弗赖贝格化合物原料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过弗赖贝格化合物原料有限公司授权不得商用。

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