用于闪存的内建自测试电路、系统及方法技术方案

技术编号:16039862 阅读:36 留言:0更新日期:2017-08-19 21:53
本发明专利技术提供了一种用于闪存的内建自测试电路、系统及方法,其中:所述自读取测试模块用于测试所述闪存的读取操作,并将读取测试结果发给所述命令转换模块;所述自擦除测试模块用于测试所述闪存的擦除操作,并将擦除测试结果发给所述命令转换模块;所述自编程测试模块用于测试所述闪存的编程操作,并将编程测试结果发给所述命令转换模块;所述命令转换模块用于将所述测试机台输入的测试命令发给所述自读取测试模块、所述自擦除测试模块和所述自编程测试模块,以及将所述读取测试结果、所述擦除测试结果和所述编程测试结果发给所述测试机台。

【技术实现步骤摘要】
用于闪存的内建自测试电路、系统及方法
本专利技术涉及半导体
,特别涉及一种用于闪存的内建自测试电路、系统及方法。
技术介绍
嵌入式闪存测试在整个半导体芯片测试中占有相当大的比重。由于通常闪存的尺寸较大,导致测试时间长,测试引脚多,测试机台的程序复杂,占用测试卡针数多,测试成本高。现有技术采用用于闪存的内建自测试电路来解决上述问题,但测试时间的缩短,往往导致占用更多的引脚。同时在测试时,测试机台程序的复杂程度也会对闪存测试的开发和维护有比较大的影响,如果要测试比较全面,机台程序就非常复杂,从而使机台程序的开发和维护难度大,成本高。因此,需要设计一种使用简单方便的用于闪存的内建自测试电路、系统及方法。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种用于闪存的内建自测试电路、系统及方法,以解决现有的闪存测试难度大的问题。为解决上述技术问题,本专利技术提供一种用于闪存的内建自测试电路,所述用于闪存的内建自测试电路连接在测试机台和测试闪存之间,所述用于闪存的内建自测试电路包括自读取测试模块、自擦除测试模块、自编程测试模块和命令转换模块,其中:所述自读取测试模块用于测试所述闪存的读取操作,并将读取本文档来自技高网...
用于闪存的内建自测试电路、系统及方法

【技术保护点】
一种用于闪存的内建自测试电路,所述用于闪存的内建自测试电路连接在测试机台和测试闪存之间,其特征在于,所述用于闪存的内建自测试电路包括自读取测试模块、自擦除测试模块、自编程测试模块和命令转换模块,其中:所述自读取测试模块用于测试所述闪存的读取操作,并将读取测试结果发给所述命令转换模块;所述自擦除测试模块用于测试所述闪存的擦除操作,并将擦除测试结果发给所述命令转换模块;所述自编程测试模块用于测试所述闪存的编程操作,并将编程测试结果发给所述命令转换模块;所述命令转换模块用于将所述测试机台输入的测试命令发给所述自读取测试模块、所述自擦除测试模块和所述自编程测试模块,以及将所述读取测试结果、所述擦除测试...

【技术特征摘要】
1.一种用于闪存的内建自测试电路,所述用于闪存的内建自测试电路连接在测试机台和测试闪存之间,其特征在于,所述用于闪存的内建自测试电路包括自读取测试模块、自擦除测试模块、自编程测试模块和命令转换模块,其中:所述自读取测试模块用于测试所述闪存的读取操作,并将读取测试结果发给所述命令转换模块;所述自擦除测试模块用于测试所述闪存的擦除操作,并将擦除测试结果发给所述命令转换模块;所述自编程测试模块用于测试所述闪存的编程操作,并将编程测试结果发给所述命令转换模块;所述命令转换模块用于将所述测试机台输入的测试命令发给所述自读取测试模块、所述自擦除测试模块和所述自编程测试模块,以及将所述读取测试结果、所述擦除测试结果和所述编程测试结果发给所述测试机台。2.如权利要求1所述的用于闪存的内建自测试电路,其特征在于,所述用于闪存的内建自测试电路还包括自判断模块,其中:所述自读取测试模块将所述读取测试结果发给所述自判断模块;所述自擦除测试模块将所述擦除测试结果发给所述自判断模块;所述自编程测试模块将所述编程测试结果发给所述自判断模块;所述自判断模块根据所述读取测试结果、所述擦除测试结果和所述编程测试结果得到测试成功结果或测试失败结果,所述自判断模块将所述测试成功结果或所述测试失败结果发送给所述测试机台。3.如权利要求2所述的用于闪存的内建自测试电路,其特征在于,所述用于闪存的内建自测试电路具有第一引脚和第二引脚,所述测试机台通过所述第一引脚向所述命令转换模块发送时钟信号,所述测试机台通过所述第二引脚向所述命令转换模块发送所述测试命令,或接收所述读取测试结果、所述擦除测试结果、所述编程测试结果、所述测试成功结果或所述测试失败结果。4.如权利要求3所述的用于闪存的内建自测试电路,其特征在于,所述测试命令包括第一测试命令,其中:所述第一测试命令包括命令段和数据段,所述用于闪存的内建自测试电路根据所述命令段判断对闪存进行读取操作、编程操作或擦除操作。5.如权利要求4所述的用于闪存的内建自测试电路,其特征在于,所述测试机台发送所述第一测试命令时,所述时钟信号为第一时钟信号,所述用于闪存的内建自测试电路向所述测试机台发送所述读取测试结果、所述擦除测试结果或所述编程测试结果。6.如权利要求3所述的用于闪存的内建自测试电路,所述测试闪存包括多个闪存模块,其特征在于,所述测试命令包括第二测试命令,其中:所述第二测试命令含有多个闪存地址,所述用于闪存的内建自测试电路根据所述闪存地址对所述测试闪存中的不同闪存模块进行测试操作。7.如权利要求6所述的用于闪存的内...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘峰张迪宇
申请(专利权)人:武汉新芯集成电路制造有限公司
类型:发明
国别省市:湖北,42

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