调适存储器系统中的字线脉冲宽度技术方案

本发明专利技术涉及调适存储器系统中的字线脉冲宽度。本发明专利技术揭示用于调适存储器系统中使用的字线(WL)脉冲宽度的系统、电路和方法。本发明专利技术的一个实施例针对一种包括存储器系统的设备。所述存储器系统包括：存储器，其根据具有相关联WL脉冲宽度的字线(WL)脉冲操作；内建自测(BIST)单元，其与所述存储器介接，所述BIST单元经配置以运行所述存储器的内部功能性的自测，并提供指示所述存储器通过还是未通过所述自测的信号；以及自适应WL控制电路，其与所述BIST单元和所述存储器介接，所述自适应WL控制电路经配置以基于所述BIST单元提供的所述信号而调节所述存储器的所述WL脉冲宽度。

【技术实现步骤摘要】
调适存储器系统中的字线脉冲宽度分案申请的相关信息本案是分案申请。该分案的母案是申请日为2008年12月15日、申请号为200880125490.0、专利技术名称为“调适存储器系统中的字线脉冲宽度”的专利技术专利申请案。依据35U.S.C.§119主张优先权本专利申请案主张2007年12月17日申请的标题为“用于调适存储器系统中的字线脉冲宽度的设备和方法(APPARATUSANDMETHODFORADAPTINGWORDLINEPULSEWIDTHSINMEMORYSYSTEMS)”的第61/014,257号临时申请案的优先权，所述临时申请案转让给本受让人并以引用的方式明确地并入本文中。
本专利技术的实施例涉及存储器系统。更明确地说，本专利技术的实施例涉及调适存储器系统中使用的字线脉冲宽度。
技术介绍
随着CMOS技术持续缩放到较小尺寸，归因于工艺控制限制以及基本物理限制的工艺变化趋于增加。例如内嵌式SRAM等内嵌式存储器由于侵入性设计规则及其与其它数字逻辑相比较小的大小而尤其容易受到较大工艺变化的影响。为了应对工艺变化的此较大增加，存储器电路设计者通常使用过于保守的设计方法以便实现高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括存储器系统的设备，所述存储器系统包括：存储器，其根据具有相关联字线(WL)脉冲宽度的WL脉冲操作；内建自测(BIST)单元，其与所述存储器介接，所述BIST单元经配置以运行所述存储器的内部功能性的自测，并提供指示所述存储器通过还是未通过在当前WL脉冲宽度下的所述自测的信号；以及自适应WL控制回路，其与所述BIST单元和所述存储器介接，其中所述自适应WL控制回路经配置以：基于所述BIST单元提供的所述信号而在预定义的最大和最小所允许WL脉冲宽度值之内调节所述存储器的所述WL脉冲宽度，提供超载信号，所述超载信号指示所述存储器的所述WL脉冲宽度被调节至所述预定义的最大或最小所允许WL脉冲宽度...

【技术特征摘要】
2007.12.17 US 61/014,257;2008.12.04 US 12/328,1561.一种包括存储器系统的设备，所述存储器系统包括：存储器，其根据具有相关联字线(WL)脉冲宽度的WL脉冲操作；内建自测(BIST)单元，其与所述存储器介接，所述BIST单元经配置以运行所述存储器的内部功能性的自测，并提供指示所述存储器通过还是未通过在当前WL脉冲宽度下的所述自测的信号；以及自适应WL控制回路，其与所述BIST单元和所述存储器介接，其中所述自适应WL控制回路经配置以：基于所述BIST单元提供的所述信号而在预定义的最大和最小所允许WL脉冲宽度值之内调节所述存储器的所述WL脉冲宽度，提供超载信号，所述超载信号指示所述存储器的所述WL脉冲宽度被调节至所述预定义的最大或最小所允许WL脉冲宽度值，及基于指示所述存储器的所述WL脉冲宽度被调节至所述预定义的最大所允许WL脉冲宽度值的超载信号来确定所述存储器不可操作。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述自适应WL控制回路经配置以在所述BIST单元提供的所述信号指示所述存储器未通过所述自测的情况下增加所述WL脉冲宽度，且在所述BIST单元提供的所述信号指示所述存储器通过所述自测的情况下减小所述WL脉冲宽度。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述自适应WL控制回路进一步经配置以指令所述BIST单元在所述WL脉冲宽度增加或减小时执行所述存储器的所述内部功能性的后续自测，直到所述自测的结果从通过改变为未通过或从未通过改变为通过为止。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述自适应WL控制回路经配置以将所述存储器的所述WL脉冲宽度设定为紧接在所述自测从通过改变为未通过之前使用的WL脉冲宽度值。5.根据权利要求3所述的设备，其中所述自适应WL控制回路经配置以将所述存储器的所述WL脉冲宽度设定为当所述自测从未通过改变为通过时使用的WL脉冲宽度值。6.根据权利要求3所述的设备，其中所述自适应WL控制回路经配置以通过提供基于所述BIST单元提供的所述信号确定的新值而以反馈回路的方式从初始值增加或减小所述WL脉冲宽度。7.根据权利要求6所述的设备，其中所述自适应WL控制回路经配置以递增或递减所述WL脉冲宽度。8.根据权利要求1所述的设备，其中所述自适应WL控制回路包括：第一控制电路，其与所述BIST单元介接，所述第一控制电路经配置以基于所述BIST单元提供的所述信号确定增加还是减小所述存储器的所述WL脉冲宽度，且提供指示对所述WL脉冲宽度的所确定的调节的第一控制信号；以及第二控制电路，其与所述第一控制电路介接，所述第二控制电路经配置以基于所述第一控制电路提供的所述第一控制信号来调节所述WL脉冲宽度。9.根据权利要求8所述的设备，其中所述第一控制电路确定在所述BIST单元提供的所述信号指示所述存储器未通过所述自测的情况下增加所述WL脉冲宽度，且在所述BIST单元提供的所述信号指示所述存储器通过所述自测的情况下减小所述WL脉冲宽度。10.根据权利要求8所述的设备，其中所述第二控制电路进一步经配置以将指示所述WL脉冲宽度已达到所述预定义的最大或最小所允许WL脉冲宽度值的所述超载信号提供到所述第一控制电路。11.根据权利要求10所述的设备，其中所述第二控制电路是计数器，其经配置以根据所述第一控制电路提供的所述第一控制信号来递增或递减WL脉冲宽度值，且经配置以提供经调节的WL脉冲宽度作为经递增/递减值并提供所述超载信号作为所述递增/递减操作的溢出位。12.根据权利要求8所述的设备，其中所述自适应WL控制回路进一步包含与所述第二控制电路介接的解码器，所述解码器经配置以用单调增加或减小的方式将经调节的WL脉冲宽度映射到所述存储器的所允许的WL脉冲宽度。13.根据权利要求8所述的设备，其中所述自适应WL控制回路进一步包含与所述第一和第二控制电路介接的重编程模块，所述第二控制电路经配置以将经调节的WL脉冲宽度值提供到所述重编程模块，所述第一控制电路经配置以提供指令所述重...

【专利技术属性】
技术研发人员：穆罕默德·H·阿布拉赫马，杨赛森，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US