一种新型带隙基准电路结构制造技术

本发明专利技术提供一种新型带隙基准电路结构，包括偏置模块，正温度系数电流产生模块，负温度系数电流产生模块，电流加和模块，其中正温度系数电流产生模块包括：接入第一电流镜第一支路的第一晶体管、接入第一电流镜第二支路的第二晶体管、接入第一电流镜第一支路的第一NMOS管、以及接入第一电流镜第二支路的第二NMOS管；第一NMOS管的栅极与第一晶体管的发射极相连，第二NMOS管的栅极与第二晶体管的发射极相连；第二NMOS管的漏极连接到第二电流镜第一支路，第一NMOS管的漏极连接到第二电流镜第二支路，正温度系数电流从第二电流镜第二支路产生。本发明专利技术提供的新型带隙基准电路结构能够满足低电源电压、低输入输出、功耗低、占用版图小的需求。

【技术实现步骤摘要】
一种新型带隙基准电路结构
本专利技术涉及模拟电路
，尤其涉及一种新型带隙基准电路结构。
技术介绍
基准电路能够在温度和电源电压变化时提供一个相对稳定的电压和电流，是很多数字电路和模拟电路中不可或缺的一部分。而由于带隙基准具有在温度特性、电源电压抑制、功耗和与CMOS工艺兼容等方面的优点，所以带隙基准被广泛的应用于模数转换器(ADC)、数模转换器(DAC)、低压差线性稳压器(LDO)、存储器、电源管理等CMOS工艺集成电路中。带隙基准具有电压模和电流模两种结构。电压模经典结构为通过一个正温度系数电压和一个负温度系数电压相加得到一个与温度无关的基准电压，但是电压模结构不能够满足低电压的需求。电流模经典结构为采用一个正温度系数电流和一个负温度系数电流求和的方式实现与温度无关的电流，然后通过一个电阻转换成电压，电流模结构可以在低电源电压模式下工作。但是，随着CMOS工艺的不断进步，特征尺寸不断变小，电源电压也按照一定的比例不断减小，电压模结构不能够满足低电压的需求，且电流模不能满足低输入输出的要求。同时，面对不同场合应用的要求，传统的带隙基准电路使用了运放，消耗了一定的功耗和版图面积。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型带隙基准电路结构，包括：偏置模块，用于提供所述带隙基准电路中的晶体管偏置电压；正温度系数电流产生模块，用于产生与温度呈正相关关系的电流；负温度系数电流产生模块，用于产生与温度呈负相关关系的电流；电流加和模块，用于加和所述与温度呈正相关关系的电流与所述与温度呈负相关关系的电流；其特征在于，所述正温度系数电流产生模块包括：接入第一电流镜第一支路的第一晶体管、接入第一电流镜第二支路的第二晶体管、接入所述第一电流镜第一支路的第一NMOS管、以及接入所述第一电流镜第二支路的第二NMOS管；所述第一晶体管的集电极、第二晶体管的集电极、第一NMOS管的发射极、第二NMOS管的发射极共同连接到公共接地...

【技术特征摘要】
1.一种新型带隙基准电路结构，包括：偏置模块，用于提供所述带隙基准电路中的晶体管偏置电压；正温度系数电流产生模块，用于产生与温度呈正相关关系的电流；负温度系数电流产生模块，用于产生与温度呈负相关关系的电流；电流加和模块，用于加和所述与温度呈正相关关系的电流与所述与温度呈负相关关系的电流；其特征在于，所述正温度系数电流产生模块包括：接入第一电流镜第一支路的第一晶体管、接入第一电流镜第二支路的第二晶体管、接入所述第一电流镜第一支路的第一NMOS管、以及接入所述第一电流镜第二支路的第二NMOS管；所述第一晶体管的集电极、第二晶体管的集电极、第一NMOS管的发射极、第二NMOS管的发射极共同连接到公共接地端；所述第一NMOS管的栅极与所述第一晶体管的发射极相连，所述第二NMOS管的栅极与所述第二晶体管的发射极相连；所述第二NMOS管的漏极连接到第二电流镜第一支路，所述第一NMOS管的漏极连接到第二电流镜第二支路，所述正温度系数电流从所述第二电流镜第二支路产生。2.根据权利要求1所述的新型带隙基准电路结构，其特征在于，所述负温度系数电流产生模块包括第三NMOS管、第四NMOS管和第一电阻，所述第四NMOS管的源极和所述第一电阻的一端接入所述公共接地端，所述第四NMOS管的栅极和所述第一电阻的另一端接入所述第三NMOS管的源极，所述第四NMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极相连，所述第三NMOS管的漏...

【专利技术属性】
技术研发人员：纪书江，霍长兴，刘璟，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京,11