一种电压稳定器电路制造技术

本发明专利技术涉及一种电压稳定器电路，包含：电阻R1、电阻R2、齐纳二极管D1、低压NMOS管N1、高压NMOS管N2、低压双极型NPN晶体管Q1；电阻R1，连接电源电压VDD及N2管的栅端；电阻R2连接GND端及N1管的栅端；齐纳二极管D1，阳极接N1管的栅端，阴极接N2管的栅端；N1管的源端接Q1管的基极，漏端接N2管的栅端，衬底端接地；Q1管的集电极接N2管的栅端，发射极接GND端；N2管的漏端接电源电压VDD，源端、衬底端接输出电压Vout。或者，本发明专利技术中以双极性NPN晶体管Q2来替换N1管，使Q2管的集电极接N2管的栅端，基极接二极管D1的阳极，发射极接Q1管的基极。本发明专利技术结构简单，可以改善输出电压的线性调节，使其随电源电压的变化更小，并可以有效改善输出电压的温度特性。

【技术实现步骤摘要】
一种电压稳定器电路
本专利技术涉及模拟电源
，特别涉及一种电压稳定器电路。
技术介绍
如图1所示，传统的电压稳定器电路包含电阻R1、齐纳二级管D1、高压Nmos管N1；该结构产生的输出电压Vout＝Vz-VGSN1，其中Vz为齐纳二极管D1的嵌位电压，为正温度特性；VGSN1为N1管的栅源压降，为负温度特性，所以输出电压表现为正温度特性。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电压稳定器电路，来改善其输出电压的线性调节，并改善输出电压的温度特性。为了达到上述目的，本专利技术的一个技术方案是提供一种电压稳定器电路，其中包含：电阻R1、电阻R2、齐纳二极管D1、低压NMOS管N1、高压NMOS管N2、低压双极型NPN晶体管Q1；所述电阻R1，一端连接电源电压VDD，另一端连接到N2管的栅端；所述电阻R2，一端连接GND端，另一端连接到N1管的栅端；所述齐纳二极管D1，阳极接N1管的栅端，阴极接N2管的栅端；N1管的源端接Q1管的基极，漏端接N2管的栅端，衬底端接地；Q1管的集电极接N2管的栅端，发射极接GND端；N2管的漏端接电源电压VDD，源端、衬底端接输出电压Vout。优选地，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压稳定器电路，其特征在于，包含：电阻R1、电阻R2、齐纳二极管D1、低压NMOS管N1、高压NMOS管N2、低压双极型NPN晶体管Q1；所述电阻R1，一端连接电源电压VDD，另一端连接到N2管的栅端；所述电阻R2，一端连接GND端，另一端连接到N1管的栅端；所述齐纳二极管D1，阳极接N1管的栅端，阴极接N2管的栅端；N1管的源端接Q1管的基极，漏端接N2管的栅端，衬底端接地；Q1管的集电极接N2管的栅端，发射极接GND端；N2管的漏端接电源电压VDD，源端、衬底端接输出电压Vout。

【技术特征摘要】
1.一种电压稳定器电路，其特征在于，包含：电阻R1、电阻R2、齐纳二极管D1、低压NMOS管N1、高压NMOS管N2、低压双极型NPN晶体管Q1；所述电阻R1，一端连接电源电压VDD，另一端连接到N2管的栅端；所述电阻R2，一端连接GND端，另一端连接到N1管的栅端；所述齐纳二极管D1，阳极接N1管的栅端，阴极接N2管的栅端；N1管的源端接Q1管的基极，漏端接N2管的栅端，衬底端接地；Q1管的集电极接N2管的栅端，发射极接GND端；N2管的漏端接电源电压VDD，源端、衬底端接输出电压Vout。2.如权利要求1所述的一种电压稳定器电路，其特征在于，当电源电压VDD为低压时，二极管D1、N1管、Q1管都没有开启，N2管的栅电压等于电源电压VDD，输出电压Vout＝VDD-VGSN2；当电源电压VDD为高压，二极管D1、N1管、Q1管都开启，N2管的栅端被嵌位，随着电源电压VDD升高，N2管的栅电压基本不变，输出电压Vout＝Vz+VGSN1+VBE1-VGSN2；其中，Vz为二极管D1的嵌位电压，VGSN1为N1管的栅源压降，VGSN2为N2管的栅源压降，VBE1为Q1管的基极-发射极压降。3.如权利要求2所述的一种电压稳定器电路，其特征在于，二极管D1的嵌位电压Vz为正温度特性；N1管的栅源压降VGSN1、N2管的栅源压降VGSN2、Q1管的基极-发射极压降VBE1均为负温度特性。4.如权利要求1～3中任意一项所述的一种电压稳定器电路，其特征在于，所述输出电压的温度系数为200ppm以下。...

【专利技术属性】
技术研发人员：逯建武，李兆桂，
申请(专利权)人：普冉半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31