参考电压产生电路制造技术

本发明专利技术提供了一种参考电压产生电路，所述参考电压产生电路为存储器的读取电路和列译码电路提供调节后的参考电压，所述参考电压产生电路包括隔离模块、第一补偿模块和第二补偿模块，其中：所述第一补偿模块和所述隔离模块对所述电源电压进行钳位形成初步参考电压，并根据所述读取电路和所述列译码电路中的器件所具有的工艺角特性对所述初步参考电压进行补偿；所述第二补偿模块根据所述第一补偿模块的温度特性对所述初步参考电压进行补偿，形成调节后的参考电压。

【技术实现步骤摘要】
参考电压产生电路
本专利技术涉及存储器
，特别涉及一种参考电压产生电路。
技术介绍
针对硅存储闪存单元结构，要求读操作时字线上施加2.7V的参考电压。在现有技术中通常利用带隙基准电路产生参考电压，但由于会引入额外的电压功耗，不适合低功耗设计。而常见的低功耗参考电压产生电路仅是单纯的电阻分压电路，如图1所示，参考电压值跟电源电压值相关，即随着电源电压变化，参考电压也相应变化，造成偏差较大的问题，若参考电压过低，会减小电流窗口，影响读取速度。因此，需要设计一种不影响读取速度的参考电压产生电路。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种参考电压产生电路，以解决现有的参考电压偏差大而影响读取速度的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种参考电压产生电路，所述参考电压产生电路为存储器的读取电路和列译码电路提供调节后的参考电压，所述参考电压产生电路包括隔离模块、第一补偿模块和第二补偿模块，其中：所述第一补偿模块和所述隔离模块对所述电源电压进行钳位形成初步参考电压，并根据所述读取电路和所述列译码电路中的器件所具有的工艺角特性对所述初步参考电压进行补偿；所述第二补偿模块根据所述第一补偿模块的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种参考电压产生电路，所述参考电压产生电路为存储器的读取电路和列译码电路提供调节后的参考电压，其特征在于，所述参考电压产生电路包括隔离模块、第一补偿模块和第二补偿模块，其中：所述第一补偿模块和所述隔离模块对所述电源电压进行钳位形成初步参考电压，并根据所述读取电路和所述列译码电路中的器件所具有的工艺角特性对所述初步参考电压进行补偿；所述第二补偿模块根据所述第一补偿模块的温度特性对所述初步参考电压进行补偿，形成调节后的参考电压。

【技术特征摘要】
1.一种参考电压产生电路，所述参考电压产生电路为存储器的读取电路和列译码电路提供调节后的参考电压，其特征在于，所述参考电压产生电路包括隔离模块、第一补偿模块和第二补偿模块，其中：所述第一补偿模块和所述隔离模块对所述电源电压进行钳位形成初步参考电压，并根据所述读取电路和所述列译码电路中的器件所具有的工艺角特性对所述初步参考电压进行补偿；所述第二补偿模块根据所述第一补偿模块的温度特性对所述初步参考电压进行补偿，形成调节后的参考电压。2.如权利要求1所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述读取电路和所述列译码电路包括多个N型场效应管。3.如权利要求2所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第一补偿模块包括第一晶体管，所述第一晶体管的栅极和漏极分别连接第二补偿模块的输入端和输出端，所述第一晶体管的源极接地。4.如权利要求3所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第一晶体管为N型场效应管。5.如权利要求4所述的参考电压产生电路，其特征在于，位于所述工艺角左下角的N型场效应管产生的所述初步参考电压的平均值高于所述参考电压的基准值，位于所述工艺角右上角的N型场效应管产生的所述初步参考电压的平均值低于所述参考电压的基准值，其中：所述参考电压的基准值为位于所述工艺角中间的N型场效应管产生的所述参考电压的平均值。6.如权利要求5所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第一晶体管位于所述工艺角左下角。7.如权利要求3所述的参考电压产生电路，其特征在于，所述第一晶体管具有正温度系数特性，所述第二补偿模块包括具有负温度系数特性的器件。8.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐依然，黄明永，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31