EEPROM存储器制造技术

本发明专利技术公开了一种EEPROM存储器，其存储阵列包括L行、M列存储字节；每一存储字节由2N个存储单元组成；每一存储字节中的存储单元分为N组；同一组的两个存储单元各自对应1个位线；各组存储单元分别对应于不同的页锁存器；每一个页锁存器的两个输出端分别接同一组的两个存储单元的位线；每一个页锁存器用于锁存需要写入一组存储单元的1位数据，其两个输出端的状态相反；同一行的各存储字节的各组存储单元分别对应于不同的灵敏放大器；灵敏放大器根据对应的同一组中的两个存储单元的电流来判断存储的数据。该EEPROM存储器，其存储单元读出窗口增加大约2倍，极大增加了存储器的可靠性，可以明显提高存储器的擦写耐久性。

EEPROM memory

【技术实现步骤摘要】
EEPROM存储器
本专利技术涉及存储技术，特别涉及一种电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)。
技术介绍
如图1所示，传统EEPROM存储器的体系架构包括存储阵列(MC)、位线(BL)、字线(WL)、页锁存器(PL)、行选择电路(RDEC)、字解码电路(CDEC)、列选择电路(CMUX)以及读出灵敏放大器(SA)。存储阵列由多个存储单元按照行和列排列而成。常规EEPROM的存储单元包括控制栅晶体管(CG)和位选择晶体管(SG)，一个字节通常由N位存储单元和1个字选择晶体管(BSG)构成，一行存储阵列包含M个字节，存储阵列共L行存储单元。通常1个存储单元保存1位数据，其位选择晶体管(SG)的漏极接对应的位线。同一个字节的N位存储单元的所有位选择晶体管(SG)的栅极以及字选择晶体管(BSG)的栅极都连接到对应的字选择信号(BSEL)，所有控制栅晶体管(CG)的栅极连接到字选择晶体管(BSG)的漏极，字选择晶体管(BSG)的源极连接到字线。行选择电路(RDEC)用于选择字节所在的字线，如图1中WL0至WL(L-1)。...

【技术保护点】
1.一种EEPROM存储器，其特征在于，其包括存储阵列、位线、页锁存器以及读出灵敏放大器；/n所述存储阵列，其包括L行、M列存储字节；/n每一存储字节，由2N个存储单元组成；L、M、N均为正整数；/n每一存储字节中的2N个存储单元分为N组；/n同一组的两个存储单元各自对应1个位线；/n同一行的各存储字节的各组存储单元分别对应于不同的页锁存器；/n每一个页锁存器保存1位数据，其两个输出端分别接同一组的两个存储单元的位线；/n所述页锁存器，用于锁存需要写入存储阵列的相应存储字节相应一组存储单元的数据，其两个输出端的状态相反；/n同一行的各存储字节的各组存储单元分别对应于不同的灵敏放大器；/n每一个...

【技术特征摘要】
1.一种EEPROM存储器，其特征在于，其包括存储阵列、位线、页锁存器以及读出灵敏放大器；
所述存储阵列，其包括L行、M列存储字节；
每一存储字节，由2N个存储单元组成；L、M、N均为正整数；
每一存储字节中的2N个存储单元分为N组；
同一组的两个存储单元各自对应1个位线；
同一行的各存储字节的各组存储单元分别对应于不同的页锁存器；
每一个页锁存器保存1位数据，其两个输出端分别接同一组的两个存储单元的位线；
所述页锁存器，用于锁存需要写入存储阵列的相应存储字节相应一组存储单元的数据，其两个输出端的状态相反；
同一行的各存储字节的各组存储单元分别对应于不同的灵敏放大器；
每一个灵敏放大器，用于从存储阵列中读1位数据，其根据对应的同一组中的两个存储单元的电流来判断存储的数据。


2.根据权利要求1所述的EEPROM存储器，其特征在于，
每一个灵敏放大器，比较同一组中的第1存储单元的电流和第2个存储的电流，如果第1存储单元的电流大于第2存储单元的电流，则判断数据为1；如果第1存储单元的电流小于第2存储单元的电流，则判断数据为0。


3.根据权利要求1所述的EEPROM存储器，其特征在于，
同一行的各存储字节分别对应于不同的字选择锁存器；
字选择锁存器用于保存对应存储字节的状态位；
状态位用于表示对应于该个字节...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈涛，汪齐方，冯国友，
申请(专利权)人：普冉半导体上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31