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本发明公开了一种EEPROM存储器,其存储阵列包括L行、M列存储字节;每一存储字节由2N个存储单元组成;每一存储字节中的存储单元分为N组;同一组的两个存储单元各自对应1个位线;各组存储单元分别对应于不同的页锁存器;每一个页锁存器的两个输出端...该专利属于普冉半导体(上海)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过普冉半导体(上海)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种EEPROM存储器,其存储阵列包括L行、M列存储字节;每一存储字节由2N个存储单元组成;每一存储字节中的存储单元分为N组;同一组的两个存储单元各自对应1个位线;各组存储单元分别对应于不同的页锁存器;每一个页锁存器的两个输出端...