电压发生装置制造方法及图纸

一种根据本发明专利技术的实施例的电压发生装置包括：电压调节器，通过比较输出节点处的输出电压与参考电压来判定通过节点处的通过电压，以及响应于通过节点处的通过电压通过将外部电源电压传送至输出节点来产生输出电压；以及电压稳定器，响应于输出电压而控制从通过节点流出的第一电流和从输出节点流出的第二电流。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2013年9月13日提交的申请号为10-2013-0110536的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术的各种示例性实施例总体而言涉及一种电压发生装置，更具体而言，涉及一种包括恒压稳定器的电压发生装置。
技术介绍
随着使用智能电话和平板计算机的激增，在使用半导体存储器件作为储存媒介的移动信息器件之中，半导体存储器件获得越来越多的兴趣和重要性。广泛应用以及高速处理器或多核并行的出现需要半导体存储器件增加的性能水平和可靠性。半导体存储器件是使用由例如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)制成的半导体实现的储存器件。半导体存储器件通常分成易失性存储器件或非易失性存储器件。易失性存储器件在电源关断时不能保留其储存的数据。易失性存储器件包括：静态随机存取存储(SRAM)器件、动态RAM(DRAM)器件、同步DRAM(SDRAM)器件等。非易失性存储器件即使在断电时也可以保留其储存的数据。非易失性存储器件的实例可以包括：只读存储(ROM)器件、可以编程ROM(PROM)器件、可以擦除可以编程ROM(EPROM)器件、电可以擦除可以编程ROM(EEPROM)器件、快闪存储器件、相变RAM(PRAM)器件、磁性RAM(MRAM)器件、阻变RAM(RRAM)器件、铁电RAM(FRAM)器件等。快闪存储器件通常分成或非(NOR)型或与非(NAND)型。<br>半导体存储器件包括各种功能模块。恒压发生装置可以用于将电源供应至功能模块中的每个。恒压发生装置可以将外部电源电压转换成稳定的电源电压，并且将稳定的电源电压供应至各种功能模块(即，驱动电路)。
技术实现思路
本专利技术的示例性实施例涉及一种能够在输出电压由于负载电流的变化而改变时快速且稳定地恢复输出电压的电压发生装置。根据本专利技术的示例性实施例的电压发生装置可以包括：电压调节器，适合于通过比较输出节点处的输出电压与参考电压来判定通过节点处的通过电压，以及响应于通过节点处的通过电压而通过将外部电源电压传送至输出节点来产生输出电压；以及电压稳定器，适合于响应于输出电压而控制从通过节点流出的第一电流和从输出节点流出的第二电流。根据本专利技术的另一个示例性实施例的恒压发生装置可以包括：反馈单元，适合于将输出节点处的输出电压分压以产生反馈；放大器，适合于通过比较反馈电压与参考电压来判定通过节点处的通过电压；电压通过单元，适合于响应于通过节点处的通过电压而将外部电源电压传送至输出节点；以及电压稳定器，适合于在输出节点处的输出电压降至低于目标电平时增加从通过节点流出的第一电流，且在输出节点处的输出电压升至高于目标电平时增加从输出节点流出的第二电流。附图说明图1是根据本专利技术的一个实施例的恒压发生装置和与其耦接的驱动电路的框图；图2是根据本专利技术的一个实施例的电压调节器的框图；图3是根据本专利技术的一个实施例的电压调节器的详细电路图；图4是根据本专利技术的一个实施例的电压稳定器的框图；图5是根据本专利技术的一个实施例的电压稳定器的详细电路图；以及图6至图8是说明根据本专利技术的一个实施例的电压稳定器的操作的图。具体实施方式在下文中，将参照附图更详细地描述本专利技术的各种示例性实施例。提供附图使得本领域的技术人员根据本专利技术的示例性实施例来制造和利用本专利技术。另外，“连接/耦接”表示一个部件与另一个部件直接耦接或经由另一个部件间接耦接。在本说明书中，只要未在句子中特意提及，单数形式可以包括复数形式。另外，在说明书中使用的“包括/包括”或“包括有/包括有”表示存在或增加一个或多个部件、步骤、操作以及元件。应当容易理解的是：本公开中的“在…上”和“在…之上”的含义应当采用最广义的方式来解释，使得“在…上”的意思不仅是“直接在某物上”，而是还包括在具有中间特征或中间层的情况下“在某物上”的意思；且“在…之上”的意思不仅是指直接在某物的顶部上，还可以包括在具有中间特征或中间层的情况下在某物的顶部上的意思。图1是根据本专利技术的一个实施例的恒压发生装置和及其耦接的驱动电路的框图。参见图1，恒压发生装置10可以包括电压调节器100和电压稳定器200。恒压发生装置10可以与驱动电路300耦接。恒压发生装置10可以将输出电压VCCI传送至驱动电路300。根据驱动电路300的阻抗，负载电流IL可以从恒压发生装置10流至驱动电路300。电压调节器100可以产生输出电压VCCI。电压调节器100可以基于输出电压VCCI(为输出节点No处的电压)，通过比较参考电压与反馈电压来判定通过节点Np处的电压Vp，以及可以响应于通过节点Np处的电压Vp，通过将外部电源电压传送至输出节点No来产生输出电压VCCI。下文将参照图2和图3来详细地描述电压调节器100的操作。电压稳定器200可以与电压调节器100耦接。更具体地，电压稳定器200可以与电压调节器100的通过节点Np耦接。基于电压调节器100的输出电压VCCI，电压稳定器200可以控制电压调节器100的通过节点Np处的电流IDR和从电压调节器100的输出节点No流至电压稳定器200的稳定电流IS。电压稳定器200可以控制电压调节器100的通过节点Np处的电流IDR。当输出节点No处的输出电压VCCI由于流至驱动电路300中的负载电流IL的变化而减小时，电压稳定器200可以基于输出电压VCCI在电压调节器100的通过节点Np处产生电流IDR。因此，由于电压调节器100的通过节点Np处的电压Vp更快速地减小，所以可以快速地将外部电源电压传送至输出节点No，使得输出电压VCCI可以快速增加。因此，可以稳定地恢复输出电压VCCI以获得目标电压电平。当输出节点No处的输出电压VCCI由于流至驱动电路300中的负载电流IL的变化而增加时，电压稳定器200可以基于输出电压VCCI而在电压调节器100的输出节点No处产生稳定电流IS。因此，由于电压调节器100的输出节点No处的输出电压VCCI更快速地减小，所以可以稳定地恢复输出电压VCCI以达到目标电压电平。以下将参照图4至图8来描述电压稳定器200的操作。图2是根据本专利技术的一个实施例的电压调节器的框图。参见图2，电压调节器100可以包括放大器110、电压通过单元130以及反馈单元150。放大器110可以与外部电源电压VCCE和接地电压VSS耦接。电压通过单元130可以耦接在外部电源电压VCCE与输出节点No之间。反馈单元150可以耦本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电压发生装置，包括：电压调节器，适合于通过比较基于输出节点处的输出电压的反馈电压与参考电压来判定通过节点处的通过电压，以及响应于所述通过节点处的所述通过电压，通过将外部电源电压传送至所述输出节点来产生所述输出电压；以及电压稳定器，适合于响应于所述输出电压而控制从所述通过节点流出的第一电流和从所述输出节点流出的第二电流。

【技术特征摘要】
2013.09.13 KR 10-2013-01105361.一种电压发生装置，包括：
电压调节器，适合于通过比较基于输出节点处的输出电压的反馈电压与参考电压来
判定通过节点处的通过电压，以及响应于所述通过节点处的所述通过电压，通过将外部
电源电压传送至所述输出节点来产生所述输出电压；以及
电压稳定器，适合于响应于所述输出电压而控制从所述通过节点流出的第一电流和
从所述输出节点流出的第二电流。
2.如权利要求1所述的电压发生装置，其中，所述电压调节器包括：
反馈单元，适合于通过将所述输出电压分压来产生反馈电压；
放大器，适合于通过比较所述反馈电压与所述参考电压来判定所述通过节点处的所
述通过电压；以及
电压通过单元，适合于基于所述通过节点处的所述通过电压，通过将所述外部电源
电压传送至所述输出节点来产生所述输出电压。
3.如权利要求2所述的电压发生装置，其中，所述放大器比较所述反馈电压与所述
参考电压，在所述反馈电压高于所述参考电压时将逻辑高电压作为比较结果传送至所述
通过节点，以及在所述反馈电压低于所述参考电压时将逻辑低电压作为比较结果传送至
所述通过节点。
4.如权利要求3所述的电压发生装置，其中，在所述通过节点处的所述通过电压为
所述逻辑高电压时所述传输晶体管关断，而在所述通过节点处的所述通过电压为所述逻
辑低电压时所述传输晶体管导通以传送所述外部电源电压。
5.如权利要求4所述的电压发生装置，其中，所述电压通过单元包括：
PMOS晶体管，具有与所述通过节点耦接的栅极、与所述外部电源电压的节点耦接
的源极、以及与所述输出节点耦接的漏极；以及
电容器，耦接在所述PMOS晶体管的所述栅极与所述漏极之间。
6.如权利要求2所述的电压发生装置，其中，所述反馈单元包括：
第一分压PMOS晶体管，具有与所述输出节点耦接的源极和栅极；以及
第二分压PMOS晶体管，具有与所述第一分压PMOS晶体管的漏极耦接的源极和<...

【专利技术属性】
技术研发人员：李弦泰，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR